Galliumnitrid op Siliziumwafer 4 Zoll 6 Zoll Moossgeschneidert Si-Substrat Orientéierung, Widderstand an N-Typ/P-Typ Optiounen
Fonctiounen
● Breet Bandlück:GaN (3,4 eV) bitt eng bedeitend Verbesserung vun der Héichfrequenz-, Héichleistungs- an Héichtemperaturleistung am Verglach mat traditionellem Silizium, wouduerch et ideal fir Leeschtungsgeräter an HF-Verstärker ass.
●Personaliséiert Si-Substratorientéierung:Wielt aus verschiddenen Si-Substratorientéierungen wéi <111>, <100> an anerer, fir de spezifeschen Ufuerderunge vum Apparat gerecht ze ginn.
● Personaliséiert Widderstandsfäegkeet:Wielt tëscht verschiddene Widderstandsoptioune fir Si, vu Hallefisolatioun bis Héichwidderstand an Nidderwidderstand, fir d'Leeschtung vum Apparat ze optimiséieren.
●Dopingtyp:Verfügbar an N-Typ oder P-Typ Dotierung fir den Ufuerderunge vun Energieversuergungsapparater, HF-Transistoren oder LEDs gerecht ze ginn.
●Héich Duerchschlagspannung:GaN-op-Si-Wafere hunn eng héich Duerchbrochspannung (bis zu 1200 V), wat se erlaabt, Héichspannungsapplikatiounen ze bewältegen.
● Méi séier Schaltgeschwindegkeeten:GaN huet eng méi héich Elektronemobilitéit a méi niddreg Schaltverloschter wéi Silizium, wouduerch GaN-op-Si-Wafere ideal fir Héichgeschwindegkeetsschaltkreesser sinn.
● Verbessert thermesch Leeschtung:Trotz der gerénger Wärmeleitfäegkeet vu Silizium bitt GaN-op-Si ëmmer nach eng iwwerleeën thermesch Stabilitéit, mat enger besserer Wärmeofleedung wéi traditionell Silizium-Komponenten.
Technesch Spezifikatiounen
| Parameter | Wäert |
| Wafergréisst | 4 Zoll, 6 Zoll |
| Orientéierung vum Si-Substrat | <111>, <100>, personaliséiert |
| Si-Widerstand | Héichwidderstand, Hallefisolatioun, Nidderwidderstand |
| Dopingtyp | N-Typ, P-Typ |
| GaN-Schichtdicke | 100 nm – 5000 nm (personaliséierbar) |
| AlGaN-Barrièreschicht | 24% – 28% Al (typesch 10-20 nm) |
| Duerchbrochspannung | 600V – 1200V |
| Elektronenmobilitéit | 2000 cm²/V·s |
| Schaltfrequenz | Bis zu 18 GHz |
| Rauheet vun der Waferoberfläche | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| GaN-Blechwiderstand | 437,9 Ω·cm² |
| Total Wafer-Verzerrung | < 25 µm (maximal) |
| Wärmeleitfäegkeet | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
Uwendungen
LeeschtungselektronikGaN-on-Si ass ideal fir Leeschtungselektronik wéi Leeschtungsverstärker, Konverter an Inverter, déi an erneierbaren Energiesystemer, Elektroautoen (EVs) an industriellen Ausrüstung agesat ginn. Seng héich Duerchschlagspannung an den niddrege Schaltwiderstand garantéieren eng effizient Energiekonversioun, och an Uwendungen mat héijer Leeschtung.
RF- a MikrowellenkommunikatiounGaN-op-Si-Waferen bidden Héichfrequenzfäegkeeten, wat se perfekt fir RF-Leeschtungsverstärker, Satellittekommunikatioun, Radarsystemer an 5G-Technologien mécht. Mat méi héije Schaltgeschwindegkeeten an der Fäegkeet, bei méi héije Frequenzen ze schaffen (bis zu ...18 GHz), bidden GaN-Apparater eng iwwerleeën Leeschtung an dësen Uwendungen.
AutomobilelektronikGaN-on-Si gëtt a Kraaftsystemer fir Autoen agesat, dorënnerOnboard-Ladegeräter (OBCs)anDC-DC KonverterSeng Fäegkeet, bei méi héijen Temperaturen ze funktionéieren an héijere Spannungsniveauen auszehalen, mécht en zu enger gudder Méiglechkeet fir Elektroautoen, déi eng robust Energiekonversioun erfuerderen.
LED an OptoelektronikGaN ass dat bevorzugt Material fir blo a wäiss LEDsGaN-op-Si-Wafere gi benotzt fir héicheffizient LED-Beliichtungssystemer ze produzéieren, déi exzellent Leeschtung an der Beliichtung, Displaytechnologien an optescher Kommunikatioun bidden.
Froen an Äntwerten
Q1: Wat ass de Virdeel vu GaN géintiwwer Silizium an elektroneschen Apparater?
A1:GaN huet engméi breet Bandlück (3,4 eV)wéi Silizium (1,1 eV), wat et erlaabt, méi héije Spannungen an Temperaturen standzehalen. Dës Eegeschaft erméiglecht et GaN, Uwendungen mat héijer Leeschtung méi effizient ze handhaben, wat de Stroumverloscht reduzéiert an d'Systemleistung erhéicht. GaN bitt och méi séier Schaltgeschwindegkeeten, déi fir Héichfrequenzgeräter wéi HF-Verstärker a Stroumwandler entscheedend sinn.
Q2: Kann ech d'Orientéierung vum Si-Substrat fir meng Applikatioun personaliséieren?
A2:Jo, mir biddenpersonaliséierbar Si-Substratorientéierungenwéi zum Beispill<111>, <100>, an aner Orientéierungen ofhängeg vun den Ufuerderunge vun Ärem Apparat. D'Orientéierung vum Si-Substrat spillt eng Schlësselroll an der Leeschtung vum Apparat, dorënner elektresch Charakteristiken, thermescht Verhalen a mechanesch Stabilitéit.
Q3: Wat sinn d'Virdeeler vun der Benotzung vu GaN-op-Si-Waferen fir Héichfrequenzapplikatiounen?
A3:GaN-op-Si-Waferen bidden iwwerleeënSchaltgeschwindegkeeten, wat e méi schnelle Betrib bei méi héije Frequenzen am Verglach mat Silizium erméiglecht. Dëst mécht se ideal firRFanMikrowellUwendungen, souwéi HéichfrequenzStroumgeräterwéi zum BeispillHEMTs(Transistoren mat héijer Elektronemobilitéit) anHF-VerstärkerDéi méi héich Elektronemobilitéit vu GaN féiert och zu méi niddrege Schaltverloschter an enger verbesserter Effizienz.
Q4: Wéi eng Dotierungsoptioune gëtt et fir GaN-op-Si-Waferen?
A4:Mir bidden béides unN-TypanP-TypDopingoptiounen, déi allgemeng fir verschidden Zorte vu Hallefleederkomponenten benotzt ginn.N-Typ Dotierungass ideal firLeeschtungstransistorenanHF-Verstärker, wärendP-Typ Dopinggëtt dacks fir optoelektronesch Apparater wéi LEDs benotzt.
Conclusioun
Eis personaliséiert Galliumnitrid op Silizium (GaN-op-Si) Wafere bidden déi ideal Léisung fir Héichfrequenz-, Héichleistungs- an Héichtemperaturapplikatiounen. Mat personaliséierbaren Si-Substratorientéierungen, Widderstand an N-Typ/P-Typ Dotierung sinn dës Wafere speziell op déi spezifesch Bedierfnesser vun Industrien zougeschnidden, déi vun der Leeschtungselektronik an Automobilsystemer bis hin zu HF-Kommunikatioun an LED-Technologien reechen. Duerch d'Notzung vun den iwwerleeënen Eegeschafte vu GaN an der Skalierbarkeet vu Silizium bidden dës Wafere verbessert Leeschtung, Effizienz a zukunftssécherung fir Apparater vun der nächster Generatioun.
Detailéiert Diagramm
