Galliumnitrid op Siliziumwafer 4 Zoll 6 Zoll Mooss Si Substrat Orientéierung, Resistivitéit, an N-Typ / P-Typ Optiounen
Fonctiounen
● Breet Bandgap:GaN (3.4 eV) bitt eng bedeitend Verbesserung vun der Héichfrequenz, Héichkraaft an Héichtemperaturleistung am Verglach zum traditionelle Silizium, wat et ideal mécht fir Kraaftapparater a RF Verstärker.
● Customizable Si Substrat Orientéierung:Wielt aus verschiddene Si Substrat Orientatiounen wéi <111>, <100>, an anerer fir spezifesch Apparat Ufuerderunge ze passen.
● Benotzerdefinéiert Resistivitéit:Wielt tëscht verschiddene Resistivitéitsoptioune fir Si, vun semi-isoléierend bis héich Resistivitéit a Low-Resistivitéit fir d'Apparatleistung ze optimiséieren.
●Doping Typ:Verfügbar an N-Typ oder P-Typ Doping fir d'Ufuerderunge vu Kraaftapparater, RF Transistoren oder LEDs ze passen.
● Héich Decompte Volt:GaN-on-Si Wafere hunn eng héich Decomptespannung (bis zu 1200V), wat hinnen erlaabt Héichspannungsapplikatiounen ze handhaben.
● Méi séier Schaltgeschwindegkeet:GaN huet méi héich Elektronemobilitéit a méi niddereg Schaltverloschter wéi Silizium, wat GaN-on-Si Wafere ideal mécht fir Héichgeschwindegkeetskreesser.
●Erweidert thermesch Leeschtung:Trotz der gerénger thermescher Konduktivitéit vu Silizium bitt GaN-on-Si ëmmer nach eng super thermesch Stabilitéit, mat enger besserer Wärmevergëftung wéi traditionell Siliziumapparater.
Technesch Spezifikatioune
| Parameter | Wäert |
| Wafer Gréisst | 4 Zoll, 6 Zoll |
| Si Substrat Orientatioun | <111>, <100>, Benotzerdefinéiert |
| Si Resistivitéit | Héich Resistivitéit, Semi-isoléierend, Low-Resistivitéit |
| Doping Typ | N-Typ, P-Typ |
| GaN Layer Dicke | 100 nm - 5000 nm (personaliséierbar) |
| AlGaN Barrière Layer | 24% - 28% Al (typesch 10-20 nm) |
| Decompte Volt | 600 V - 1200 V |
| Elektronen Mobilitéit | 2000 cm²/V·s |
| Wiessel Frequenz | Bis zu 18 GHz |
| Wafer Surface Roughness | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| GaN Blat Resistenz | 437,9 Ω·cm² |
| Total Wafer Warp | < 25 µm (maximal) |
| Thermesch Konduktivitéit | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
Uwendungen
Power Electronics: GaN-on-Si ass ideal fir Kraaftelektronik wéi Kraaftverstärker, Konverter an Inverter, déi an erneierbaren Energiesystemer, elektresche Gefierer (EVs) an Industrieausrüstung benotzt ginn. Seng héich Decompte Spannung an niddreg On-Resistenz suergen fir effizient Kraaftkonversioun, och an Héichkraaftapplikatiounen.
RF a Mikrowelle Kommunikatiounen: GaN-on-Si Wafere bidden Héichfrequenzfäegkeeten, wat se perfekt mécht fir RF Kraaftverstärker, Satellitekommunikatioun, Radarsystemer a 5G Technologien. Mat méi héije Schaltgeschwindegkeet an der Fäegkeet fir op méi héije Frequenzen ze bedreiwen (bis18 GHz), GaN Apparater bidden eng super Leeschtung an dësen Uwendungen.
Automobile Electronics: GaN-on-Si gëtt an Automotive Kraaftsystemer benotzt, dorënnerOnboard Charger (OBCs)anDC-DC Konverter. Seng Fäegkeet fir bei méi héijen Temperaturen ze bedreiwen a méi héich Spannungsniveauen ze widderstoen mécht et e gudde Fit fir elektresch Gefier Uwendungen déi robust Kraaftkonversioun erfuerderen.
LED an Optoelektronik: GaN ass d'Material vun der Wiel fir blo a wäiss LEDs. GaN-on-Si Wafere gi benotzt fir héicheffizient LED Beliichtungssystemer ze produzéieren, déi exzellent Leeschtung an der Beliichtung, Displaytechnologien an opteschen Kommunikatiounen ubidden.
Q&A
Q1: Wat ass de Virdeel vu GaN iwwer Silizium an elektroneschen Apparater?
A1:GaN huet engméi breet Bandgap (3,4 eV)wéi Silizium (1,1 eV), wat et erlaabt méi héich Spannungen an Temperaturen ze widderstoen. Dëse Besëtz erméiglecht GaN fir High-Power Uwendungen méi effizient ze handhaben, Kraaftverloscht ze reduzéieren an d'Systemleistung ze erhéijen. GaN bitt och méi séier Schaltgeschwindegkeet, déi entscheedend sinn fir Héichfrequenz Geräter wéi RF Verstärker a Kraaftkonverter.
Q2: Kann ech d'Si Substrat Orientéierung fir meng Applikatioun personaliséieren?
A2:Jo, mir biddenpersonaliséierbar Si Substrat Orientatiounenwéi z<111>, <100>, an aner Orientatiounen ofhängeg vun Ärem Apparat Ufuerderunge. D'Orientéierung vum Si-Substrat spillt eng Schlësselroll an der Leeschtung vum Apparat, dorënner elektresch Charakteristiken, thermesch Verhalen a mechanesch Stabilitéit.
Q3: Wat sinn d'Virdeeler fir GaN-on-Si Wafere fir Héichfrequenz Uwendungen ze benotzen?
A3:GaN-on-Si Wafere bidden superiorschalt Vitesse, erméiglecht méi séier Operatioun bei méi héije Frequenzen am Verglach zum Silizium. Dëst mécht se ideal firRFanMikrowellUwendungen, souwéi héich FrequenzMuecht Apparaterwéi zHEMTs(Héich Elektronen Mobilitéit Transistoren) anRF Verstärker. Dem GaN seng méi héich Elektronemobilitéit resultéiert och zu méi nidderegen Schaltverloschter a verbessert Effizienz.
Q4: Wéi eng Dopingoptioune si fir GaN-on-Si Wafere verfügbar?
A4:Mir bidden souwuelN-TypanP-TypDopingoptiounen, déi allgemeng fir verschidden Aarte vu Hallefleitgeräter benotzt ginn.N-Typ Dopingass ideal firKraaft TransistorenanRF Verstärker, währendP-Typ Dopinggëtt dacks fir optoelektronesch Geräter wéi LEDs benotzt.
Conclusioun
Eis Customized Gallium Nitride on Silicon (GaN-on-Si) Wafers bidden déi ideal Léisung fir Héichfrequenz, Héichkraaft an Héichtemperatur Uwendungen. Mat personaliséierbaren Si Substrat Orientatiounen, Resistivitéit, an N-Typ / P-Typ Doping, sinn dës Wafere geschnidde fir d'spezifesch Bedierfnesser vun Industrien ze treffen, rangéiert vu Kraaftelektronik an Autossystemer bis RF Kommunikatioun an LED Technologien. Mat de superieure Eegeschafte vu GaN an d'Skalierbarkeet vum Silizium, bidden dës Wafere verbessert Leeschtung, Effizienz an zukünfteg Beweis fir déi nächst Generatioun Geräter.
Detailléiert Diagramm
