GaAs

GaAs Héichleistungs-Epitaxial-Wafer-Substrat Galliumarsenid-Wafer-Leistungslaserwellenlängt 905nm fir Lasermedizinesch Behandlung
GaAs Laser epitaktesch Wafer 4 Zoll 6 Zoll VCSEL vertikal Kavitéit Uewerflächenemissiounslaser Wellelängt 940nm eenzel Verbindung