GaAs Laser epitaktesch Wafer 4 Zoll 6 Zoll VCSEL vertikal Kavitéit Uewerflächenemissiounslaser Wellelängt 940nm eenzel Verbindung

GaAs Laser epitaktesch Wafer 4 Zoll 6 Zoll VCSEL vertikal Kavitéit Uewerflächenemissiounslaser Wellelängt 940nm eenzel Junction Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Clientspezifizéiert Design Gigabit Ethernet Laserarrays fir héichuniform 6-Zoll Waferen 850/940nm zentrale optesche Wellelängt Oxid limitéiert oder Proton-implantéiert VCSEL digital Datenlinkkommunikatioun, Lasermaus elektresch an optesch Charakteristiken geréng Empfindlechkeet fir Temperatur. De VCSEL-940 Single Junction ass e vertikale Kavitéitsflächenemittéierende Laser (VCSEL) mat enger Emissiounswellelängt typescherweis ongeféier 940 Nanometer. Sou Laser bestinn typescherweis aus engem eenzege Quantebrunn a si fäeg eng effizient Liichtemissioun ze liwweren. D'Wellelängt vun 940 Nanometer mécht et am Infraroutspektrum gëeegent fir eng Vielfalt vun Uwendungen. Am Verglach mat aneren Aarte vu Laser hunn VCselen eng méi héich elektrooptesch Konversiounseffizienz. De VCSEL-Package ass relativ kleng an einfach z'integréieren. Déi breet Uwendung vum VCSEL-940 huet et eng wichteg Roll an der moderner Technologie gemaach.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Déi wichtegst Charakteristike vun der GaAs Laser-Epitaxialplack sinn:

1. Struktur mat enger eenzeger Junktioun: Dëse Laser besteet normalerweis aus engem eenzege Quantebrunn, deen eng effizient Liichtemissioun liwwere kann.
2. Wellelängt: D'Wellelängt vun 940 nm mécht et am Infraroutspektrumberäich gëeegent fir eng Villfalt vun Uwendungen.
3. Héich Effizienz: Am Verglach mat aneren Zorte vu Laser huet VCSEL eng héich elektrooptesch Konversiounseffizienz.
4. Kompaktheet: De VCSEL-Package ass relativ kleng an einfach ze integréieren.

5. Niddreg Schwellstroum an héich Effizienz: Vergräift Heterostrukturlaser weisen eng extrem niddreg Laserschwellstroumdicht (z.B. 4mA/cm²) an eng héich extern Differenzquanteneffizienz (z.B. 36%), mat enger linearer Ausgangsleistung vu méi wéi 15mW.
6. Stabilitéit vum Wellenleitermodus: De verstoppte Heterostrukturlaser huet de Virdeel vun der Stabilitéit vum Wellenleitermodus wéinst sengem Breechungsindex-geféierte Wellenleitermechanismus a senger schmueler Breet vun der aktiver Sträif (ongeféier 2μm).
7. Excellent photoelektresch Konversiounseffizienz: Duerch d'Optimiséierung vum epitaktischen Wuessprozess kann eng héich intern Quanteneffizienz a photoelektresch Konversiounseffizienz erreecht ginn, fir intern Verloschter ze reduzéieren.
8. Héich Zouverlässegkeet a Liewensdauer: Héichqualitativ epitaktesch Wuesstechnologie kann epitaktesch Blieder mat engem gudden Uewerflächenausgesinn an enger gerénger Defektdichte virbereeden, wouduerch d'Produktzouverlässegkeet an d'Liewensdauer verbessert ginn.
9. Gëeegent fir eng Vielfalt vun Uwendungen: GAAS-baséiert Laserdiode-Epitaxialplack gëtt wäit verbreet an der optescher Faserkommunikatioun, industriellen Uwendungen, Infrarout- a Photodetektoren an aner Beräicher benotzt.

Déi wichtegst Uwendungsméiglechkeeten vun der GaAs Laser-Epitaxialfolie sinn ënner anerem

1. Optesch Kommunikatioun an Datenkommunikatioun: GaAs epitaktesch Wafere gi wäit verbreet am Beräich vun der optescher Kommunikatioun, besonnesch an optesche Kommunikatiounssystemer mat héijer Geschwindegkeet, fir d'Fabrikatioun vun optoelektroneschen Apparater wéi Laseren an Detektoren agesat.

2. Industriell Uwendungen: GaAs-Laser-Epitaxialplacken hunn och wichteg Uwendungen an industriellen Uwendungen, wéi Laserveraarbechtung, Miessung a Sensorik.

3. Konsumentelektronik: An der Konsumentelektronik ginn GaAs epitaktesch Wafere benotzt fir VCselen (Vertical Cavity Surface-Emitting Lasers) ze produzéieren, déi wäit verbreet a Smartphones an aner Konsumentelektronik benotzt ginn.

4. RF-Uwendungen: GaAs-Materialien hunn bedeitend Virdeeler am RF-Beräich a gi benotzt fir héichperformant RF-Apparater ze produzéieren.

5. Quantepunktlaser: GAAS-baséiert Quantepunktlaser gi wäit verbreet an der Kommunikatioun, am Medizinberäich a militäresche Beräicher benotzt, besonnesch am optesche Kommunikatiounsband vun 1,31 µm.

6. Passive Q-Schalter: Den GaAs-Absorber gëtt fir diodegepompelt Festkierperlaser mat passivem Q-Schalter benotzt, deen fir Mikrobearbeitung, Ranging-Miessung a Mikrochirurgie gëeegent ass.

Dës Uwendungen demonstréieren de Potenzial vun GaAs-Laser-epitaxialen Waferen an enger breeder Palette vun High-Tech-Uwendungen.

XKH bitt GaAs epitaktesch Waferen mat verschiddene Strukturen an Déckten un, déi op d'Ufuerderunge vum Client zougeschnidden sinn, a decken eng breet Palette vun Uwendungen of, wéi VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G Basisstatiounen, etc. D'Produkter vun XKH gi mat fortgeschrattener MOCVD-Ausrüstung hiergestallt, fir eng héich Leeschtung a Zouverlässegkeet ze garantéieren. Wat d'Logistik ugeet, hu mir eng breet Palette vun internationale Quellkanäl, kënne flexibel mat der Unzuel vun de Bestellunge ëmgoen a bidden Wäert-Zousätzlech Servicer wéi Verdënnung, Segmentéierung, etc. Effizient Liwwerprozesser garantéieren eng pünktlech Liwwerung a erfëllen d'Ufuerderunge vum Client u Qualitéit an Liwwerzäiten. No der Arrivée kënnen d'Clienten ëmfaassend technesch Ënnerstëtzung an en After-Sales-Service kréien, fir sécherzestellen, datt de Produit reibungslos a Betrib geholl gëtt.