GaAs Laser Epitaxial Wafer 4 Zoll 6 Zoll VCSEL Vertikal Kavitéit Surface Emissioun Laser Wellelängt 940nm Single Junction

GaAs Laser Epitaxial Wafer 4 Zoll 6 Zoll VCSEL Vertikal Kavitéit Uewerfläch Emissioun Laser Wellelängt 940nm Single Kräizung Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Client spezifizéiert Design Gigabit Ethernet Laser Arrays fir héich Uniformitéit 6-Zoll wafers 850/940nm Zentrum opteschen Wellelängt Oxid limitéiert oder proton-implantéiert VCSEL digital Daten Link Kommunikatioun, Laser Maus elektresch an optesch Charakteristiken niddereg Empfindlechkeet fir Temperatur. De VCSEL-940 Single Junction ass e vertikale Kavitéit Surface Emitting Laser (VCSEL) mat enger Emissiounswellelängt typesch ëm 940 Nanometer. Esou Laser besteet typesch aus enger eenzeger Quantewell a si fäeg fir effizient Liichtemissioun ze bidden. D'Wellelängt vun 940 Nanometer mécht et am Infraroutspektrum, gëeegent fir eng Vielfalt vun Uwendungen. Am Verglach mat aner Zorte vu Laser hunn VCsels méi héich elektro-optesch Konversiounseffizienz. De VCSEL Package ass relativ kleng an einfach ze integréieren. Déi breet Uwendung vum VCSEL-940 huet et eng wichteg Roll an der moderner Technologie gemaach.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

D'Haaptrei Charakteristiken vun GaAs Laser epitaxial Blat ëmfaasst

1. Single-junction Struktur: Dëse Laser besteet normalerweis aus enger eenzeger Quantewell, déi effizient Liichtemissioun liwweren kann.
2. Wellelängt: D'Wellelängt vun 940 nm mécht et am Infraroutspektrum Spektrum, gëeegent fir eng Rei vun Uwendungen.
3. Héich Effizienz: Am Verglach mat aner Zorte vu Laser huet VCSEL eng héich elektro-optesch Konversiounseffizienz.
4. Kompaktheet: De VCSEL Package ass relativ kleng an einfach ze integréieren.

5. Niddereg Schwellstroum an héich Effizienz: Begruewe Heterostrukturlaser weisen extrem niddereg Laserschwellstroumdicht (zB 4mA/cm²) an héich extern Differential Quanteeffizienz (zB 36%), mat linearer Ausgangskraaft iwwer 15mW.
6. Waveguide Modus Stabilitéit: D'begruewe heterostructure Laser huet de Virdeel vun Waveguide Modus Stabilitéit wéinst sengem refractive Index guidéiert Waveguide Mechanismus a schmuel aktiv Sträif Breet (ongeféier 2μm).
7. Excellent photoelectric Konversioun Effizienz: Duerch d'Optimisatioun vun der epitaxial Wuesstem Prozess, héich intern Quantephysik Effizienz an photoelectric Konversioun Effizienz kann kritt intern Verloscht ze reduzéieren.
8. Héich Zouverlässegkeet a Liewen: qualitativ héichwäerteg epitaxial Wuesstumstechnologie kann Epitaxialplacke mat guddem Uewerflächentwécklung a gerénger Defektdicht preparéieren, d'Produktverlässegkeet an d'Liewen verbesseren.
9. Gëeegent fir eng Rei vun Uwendungen: GAAS-baséiert Laser Diode epitaxial Blat ass wäit an opteschen Léngen Kommunikatioun, industriell Uwendungen, Infraroutstrahlung an photodetectors an aner Beräicher benotzt.

D'Haaptapplikatiounsmethoden vu GaAs Laser Epitaxial Blat enthalen

1. Optesch Kommunikatioun an Datekommunikatioun: GaAs epitaxial Wafere gi wäit am Beräich vun der optescher Kommunikatioun benotzt, besonnesch an High-Speed-optesch Kommunikatiounssystemer, fir optoelektronesch Geräter wéi Laser an Detektoren ze fabrizéieren.

2. Industriell Uwendungen: GaAs Laser epitaxial Blieder hunn och wichteg Uwendungen an industriellen Uwendungen, wéi Laserveraarbechtung, Messung a Sensing.

3. Konsumentelektronik: An Konsumentelektronik ginn GaAs epitaxial Wafere benotzt fir VCsels (vertikal Kavitéit Surface-Emitting Laser) ze fabrizéieren, déi wäit an Smartphones an aner Konsumentelektronik benotzt ginn.

4. Rf Uwendungen: GaAs Materialien hunn bedeitend Virdeeler am RF Feld a gi benotzt fir High-Performance RF-Geräter ze fabrizéieren.

5. Quante Punkt Laser: GAAS-baséiert Quante Punkt Laser gi wäit an der Kommunikatioun, medizineschen a militäresche Felder benotzt, besonnesch an der 1.31µm optesch Kommunikatiounsband.

6. Passiv Q-Schalter: De GaAs-Absorber gëtt fir diodegepompelt Solid-State-Laser mat passive Q-Schalter benotzt, wat fir Mikro-Maschinn, Range a Mikro-Chirurgie gëeegent ass.

Dës Uwendungen weisen d'Potenzial vu GaAs Laser epitaxialen Waferen an enger breeder Palette vun High-Tech Uwendungen.

XKH offréiert GaAs epitaxial wafers mat verschiddene Strukturen an deck un Client Ufuerderunge ugepasst, deckt eng breet Palette vun Uwendungen wéi VCSEL / HCSEL, WLAN, 4G / 5G Basis Statiounen, etc. Zouverlässegkeet. Wat d'Logistik ugeet, hu mir eng breet Palette vun internationalen Quellkanälen, kënne flexibel d'Zuel vun den Bestellungen handhaben, a bidden Valeur-added Servicer wéi Ausdünnung, Segmentéierung, asw. Qualitéit an Liwwerzäiten. No der Arrivée kënnen d'Clienten eng ëmfaassend technesch Ënnerstëtzung an After-Sales-Service kréien fir sécherzestellen datt de Produkt glat a benotzt gëtt.