GaAs Héichleistungs-Epitaxial-Wafer-Substrat Galliumarsenid-Wafer-Leistungslaserwellenlängt 905nm fir Lasermedizinesch Behandlung
Schlësselmerkmale vun der GaAs-Laser-Epitaxialplack sinn:
1. Héich Elektronemobilitéit: Galliumarsenid huet eng héich Elektronemobilitéit, wouduerch GaAs Laser-epitaxialwafer gutt Uwendungen an Héichfrequenzgeräter an Héichgeschwindegkeetselektroneschen Apparater hunn.
2. Direkt Bandgap-Iwwergangslumineszenz: Als direkt Bandgap-Material kann Galliumarsenid elektresch Energie effizient an Liichtenergie an optoelektroneschen Apparater ëmwandelen, wouduerch et ideal fir d'Hierstellung vu Laser ass.
3. Wellelängt: GaAs 905 Laser funktionéieren typescherweis bei 905 nm, wat se fir vill Uwendungen, dorënner Biomedizin, gëeegent mécht.
4. Héich Effizienz: mat héijer photoelektrescher Konversiounseffizienz kann et elektresch Energie effektiv an Laseroutput ëmwandelen.
5. Héich Leeschtung: Et kann eng héich Leeschtung erreechen an ass gëeegent fir Uwendungsszenarien, déi eng staark Liichtquell erfuerderen.
6. Gutt thermesch Leeschtung: GaAs Material huet eng gutt thermesch Konduktivitéit, wat hëlleft d'Betribstemperatur vum Laser ze reduzéieren an d'Stabilitéit ze verbesseren.
7. Breet Ofstëmmebarkeet: D'Ausgangsleistung kann ugepasst ginn andeems den Undriffsstroum geännert gëtt, fir sech un ënnerschiddlech Applikatiounsufuerderungen unzepassen.
Déi wichtegst Uwendungen vun GaAs Laser-Epitaxialtabletten sinn:
1. Optesch Faserkommunikatioun: GaAs Laser-Epitaxialplack kann benotzt ginn fir Laser an der optescher Faserkommunikatioun ze produzéieren, fir eng héichgeschwindeg an optesch Signaliwwerdroung iwwer grouss Distanzen z'erreechen.
2. Industriell Uwendungen: Am industrielle Beräich kënnen GaAs Laser-Epitaxialplacke fir Laser-Distanzmiessung, Lasermarkéierung an aner Uwendungen benotzt ginn.
3. VCSEL: De vertikale Kavitéitsflächenemittéierende Laser (VCSEL) ass e wichtegt Uwendungsfeld vun der GaAs-Laser-Epitaxialfolie, déi wäit verbreet an der optescher Kommunikatioun, der optescher Späicherung an der optescher Detektioun benotzt gëtt.
4. Infrarout- a Punktfeld: GaAs-Laser-Epitaxialplack kann och benotzt ginn fir Infraroutlaser, Punktgeneratoren an aner Apparater ze produzéieren, a spillt eng wichteg Roll bei der Infraroutdetektioun, der Liichtanzeige an anere Beräicher.
D'Virbereedung vun enger GaAs-Laser-Epitaxialfolie hänkt haaptsächlech vun der epitaktischer Wuesstechnologie of, dorënner metallorganesch chemesch Dampfdepositioun (MOCVD), molekulare Strale-Epitaxial (MBE) an aner Methoden. Dës Technike kënnen d'Déckt, d'Zesummesetzung an d'Kristallstruktur vun der epitaktischer Schicht präzis kontrolléieren, fir héichqualitativ GaAs-Laser-Epitaxialfolien ze kréien.
XKH bitt personaliséiert GaAs-Epitaxialplacken a verschiddene Strukturen an Déckten un, déi eng breet Palette vun Uwendungen an der optescher Kommunikatioun, VCSEL, Infrarout a Liichtfleckfelder ofdecken. D'Produkter vun XKH gi mat fortgeschrattener MOCVD-Ausrüstung hiergestallt, fir eng héich Leeschtung a Zouverlässegkeet ze garantéieren. Wat d'Logistik ugeet, huet XKH eng breet Palette vun internationale Quellkanäl, déi flexibel mat der Unzuel vun de Bestellunge ëmgoe kënnen a Wäert-Zousätzlech Servicer wéi Verfeinerung an Ënnerdeelung ubidden. Effizient Liwwerprozesser garantéieren eng pünktlech Liwwerung a erfëllen d'Ufuerderunge vum Client u Qualitéit a Liwwerzäiten. D'Clienten kënnen no der Arrivée ëmfaassend technesch Ënnerstëtzung an en After-Sales-Service kréien, fir sécherzestellen, datt de Produit reibungslos a Betrib geholl gëtt.
Detailéiert Diagramm
