Epitaktesch Schicht
-
200mm 8Zoll GaN op Saphir Epi-Layer Wafer-Substrat
-
Héichleistungs-heterogent Substrat fir RF-akustesch Geräter (LNOSiC)
-
GaN op Glas 4-Zoll: Personaliséierbar Glasoptiounen, dorënner JGS1, JGS2, BF33 a gewéinleche Quarz
-
AlN-op-NPSS-Wafer: Héichleistungs-Aluminiumnitridschicht op net-poléiertem Saphirsubstrat fir Héichtemperatur-, Héichleistungs- an RF-Uwendungen
-
Personnaliséiert GaN-op-SiC epitaxial Waferen (100mm, 150mm) – Verschidde SiC Substratoptiounen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
GaN-op-Diamant-Waferen 4 Zoll 6 Zoll Gesamt Epi-Déckt (Mikron) 0,6 ~ 2,5 oder personaliséiert fir Héichfrequenzapplikatiounen
-
GaAs Héichleistungs-Epitaxial-Wafer-Substrat Galliumarsenid-Wafer-Leistungslaserwellenlängt 905nm fir Lasermedizinesch Behandlung
-
InGaAs epitaktesch Wafer-Substrat PD Array Photodetektor-Arrays kënne fir LiDAR benotzt ginn
-
2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll InP epitaktesch Wafer-Substrat APD Liichtdetektor fir Glasfaserkommunikatioun oder LiDAR
-
6 Zoll SiC Epitaxie Wafer N/P Typ akzeptéiert personaliséiert
-
4 Zoll SiC Epi-Wafer fir MOS oder SBD
-
Silizium-op-Isolator-Substrat SOI-Wafer dräi Schichten fir Mikroelektronik a Radiofrequenz