English

Dia150mm 4H-N 6 Zoll SiC Substrat Produktioun an Dummy Grad

Dia150mm 4H-N 6 Zoll SiC Substrat Produktioun a Dummy Grad Featured Image
  • Dia150mm 4H-N 6 Zoll SiC Substrat Produktioun an Dummy Grad
  • Dia150mm 4H-N 6 Zoll SiC Substrat Produktioun an Dummy Grad
  • Dia150mm 4H-N 6 Zoll SiC Substrat Produktioun an Dummy Grad

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC) ass eng binär Verbindung aus der Grupp IV-IV, déi eenzeg stabil fest Verbindung aus der Grupp IV vum Periodesystem, an e wichtegt Hallefleitmaterial. Et huet exzellent thermesch, mechanesch, chemesch an elektresch Eegeschaften, ass net nëmmen fir d'Produktioun vun Héichtemperatur-, Héichfrequenz- an Héichleistungselektronen, ee vun den héichqualitative Materialien, mä kann och als Substratmaterial op Basis vu GaN bloe Liichtdioden benotzt ginn. De Moment gëtt Siliziumkarbid als Substrat op 4H-baséiert, leetend Typ opgedeelt an halbisoléierend Typ (net dotiert, dotiert) an N-Typ.


Produktdetailer

Produkt Tags

Déi wichtegst Eegeschafte vu 6 Zoll Siliziumcarbid-Mosfet-Wafers sinn wéi follegt:.

Héichspannungsbeständegkeet: Siliziumcarbid huet e staarkt Duerchbrochselektrescht Feld, dofir hunn 6 Zoll Siliziumcarbid-Mosfet-Wafers eng Héichspannungsbeständegkeet, gëeegent fir Héichspannungsapplikatiounsszenarien.

Héich Stroumdicht: Siliziumcarbid huet eng grouss Elektronemobilitéit, wouduerch déi 6-Zoll Siliziumcarbid-Mosfet-Waferen eng méi grouss Stroumdicht hunn, fir méi héije Stroum standzehalen.

Héich Betribsfrequenz: Siliziumcarbid huet eng niddreg Trägermobilitéit, wouduerch déi 6-Zoll Siliziumcarbid-Mosfet-Waferen eng héich Betribsfrequenz hunn, déi fir Héichfrequenz-Applikatiounsszenarien gëeegent sinn.

Gud thermesch Stabilitéit: Siliziumcarbid huet eng héich thermesch Leetfäegkeet, wouduerch déi 6-Zoll Siliziumcarbid-Mosfet-Waferen ëmmer nach eng gutt Leeschtung an héijen Temperaturen hunn.

6 Zoll Siliziumkarbid-Mosfet-Wafere gi wäit verbreet an de folgende Beräicher benotzt: Leeschtungselektronik, dorënner Transformatoren, Gleichrichter, Inverter, Leeschtungsverstäerker, etc., wéi Solarinverter, nei Energieopluedung vu Gefierer, Schinnetransport, Héichgeschwindegkeets-Loftkompressoren an der Brennstoffzell, DC-DC-Konverter (DCDC), Elektroautomotorundriff an Digitaliséierungstrends am Beräich vun den Datenzentren an aner Beräicher mat enger breeder Palette vun Uwendungen.

Mir kënnen 4H-N 6 Zoll SiC Substrat, verschidde Qualitéite vu Substratwaferen ubidden. Mir kënnen och personaliséiert Material no Äre Besoinen arrangéieren. Wëllkomm op Ufro!

Detailéiert Diagramm

asd (1)
asd (2)
asd (3)
  • Virdrun:
  • Weider:
    • Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis

    Produktkategorien

    Dréckt Enter fir ze sichen oder ESC fir zouzemaachen