Dia150mm 4H-N 6inch SiC Substrat Produktioun an Dummy Grad

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC) ass eng binär Verbindung vun der Grupp IV-IV, déi eenzeg stabil zolidd Verbindung an der Grupp IV vum Periodeschen Dësch, an ass e wichtegt Hallefleitmaterial. Et huet excellent thermesch, mechanesch, chemesch an elektresch Eegeschaften, ass net nëmmen d'Produktioun vun héich-Temperatur, héich-Frequenz, héich-Muecht elektronesch Apparater, ee vun de héich-Qualitéit Material, mä kann och als Substrat Material baséiert benotzt ginn. op GaN blo Liichtdioden. Am Moment benotzt fir Substrat Siliziumkarbid op 4H-baséiert, konduktiv Typ ass an semi-isoléierend Typ (net dotéiert, dotéiert) an N-Typ opgedeelt.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

D'Haaptmerkmale vu 6 Zoll Siliziumkarbid Mosfet Wafere sinn wéi follegt;.

Héichspannungsstand: Siliziumkarbid huet en héich Decompte elektrescht Feld, sou datt 6 Zoll Siliziumkarbid Mosfet Wafere eng Héichspannungsstandsfäegkeet hunn, gëeegent fir Héichspannungsanwendungsszenarien.

Héich Stroumdicht: Siliziumkarbid huet eng grouss Elektronemobilitéit, sou datt d'6-Zoll Siliziumkarbid Mosfet Wafers eng méi grouss Stroumdicht hunn fir méi Stroum ze widderstoen.

Héich Operatiounsfrequenz: Siliziumkarbid huet eng niddereg Carrier Mobilitéit, sou datt d'6-Zoll Siliziumkarbid Mosfet Wafers eng héich Operatiounsfrequenz hunn, gëeegent fir Héichfrequenz Uwendungsszenarien.

Gutt thermesch Stabilitéit: Siliziumkarbid huet eng héich thermesch Konduktivitéit, sou datt d'6-Zoll Siliziumkarbid Mosfet Wafere nach ëmmer gutt Leeschtung an héijen Temperaturen Ëmfeld hunn.

6 Zoll Silicon Carbide Mosfet Wafere gi wäit an de folgende Beräicher benotzt: Kraaftelektronik, dorënner Transformatoren, Gliichter, Inverter, Kraaftverstärker, asw. Brennstoffzelle, DC-DC Konverter (DCDC), Elektrogefierer Motorfueren an Digitaliséierungstrends am Beräich vun Datenzenteren an aner Beräicher mat enger breet Palette vun Uwendungen.

Mir kënnen 4H-N 6 Zoll SiC Substrat ubidden, verschidde Grade vu Substratlagerwaferen. Mir kënnen och Personnalisatioun no Äre Besoinen arrangéieren. Wëllkomm Ufro!