CVD Method fir héich Rengheet SiC Rohmaterial ze produzéieren am Siliziumkarbid Syntheseofen bei 1600 ℃

CVD Method fir héich Rengheet SiC Rohmaterialien am Siliziumcarbid Syntheseofen bei 1600 ℃ ze produzéieren Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

A Silicon Carbide (SiC) Synthese Uewen (CVD). Et benotzt eng Chemesch Vapor Deposition (CVD) Technologie fir ₄ gasforme Siliziumquellen (zB SiH₄, SiCl₄) an engem héijen Temperaturen Ëmfeld an deem se op Kuelestoffquellen reagéieren (zB C₃H₈, CH₄). E Schlësselapparat fir héich Rengheet Siliciumkarbid Kristalle op engem Substrat ze wuessen (Grafit oder SiC Som). D'Technologie gëtt haaptsächlech benotzt fir SiC Eenkristallsubstrat (4H / 6H-SiC) virzebereeden, wat d'Kärprozessausrüstung fir d'Fabrikatioun vun Kraafthalbleiteren (wéi MOSFET, SBD) ass.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Aarbechtsprinzip:

1. Virleefer Fourniture. Siliziumquell (z. B. SiH₄) a Kuelestoffquell (zB C₃H₈) Gase ginn a Proportioun gemëscht an an d'Reaktiounskammer gefüttert.

2. Héichtemperatur Zersetzung: Bei enger héijer Temperatur vun 1500 ~ 2300 ℃ generéiert de Gas Zersetzung Si a C aktiv Atomer.

3. Surface Reaktioun: Si a C Atomer ginn op der Substrat Uewerfläch deposéiert fir eng SiC Kristallschicht ze bilden.

4. Kristallwachstum: Duerch d'Kontroll vun Temperaturgradient, Gasfloss an Drock, fir Richtungswachstum laanscht d'c-Achs oder d'A-Achs z'erreechen.

Schlëssel Parameteren:

· Temperatur: 1600 ~ 2200 ℃ (> 2000 ℃ fir 4H-SiC)

· Drock: 50 ~ 200mbar (Niddereg Drock fir d'Gasnukleatioun ze reduzéieren)

· Gasverhältnis: Si/C≈1.0~1.2 (fir Si oder C Beräicherungsfehler ze vermeiden)

Haaptfeatures:

(1) Kristallqualitéit
Niddereg Defektdicht: Mikrotubulär Dicht < 0,5 cm⁻², Dislokatiounsdicht <10⁴ cm⁻².

Polykristallin Typ Kontroll: kann 4H-SiC (Mainstream), 6H-SiC, 3C-SiC an aner Kristallarten wuessen.

(2) Equipement Leeschtung
Héich Temperaturstabilitéit: Graphit Induktioun Heizung oder Resistenzheizung, Temperatur > 2300 ℃.

Uniformitéit Kontroll: Temperatur Schwankung ± 5 ℃, Wuesstem Taux 10 ~ 50μm / h.

Gas System: Héich Präzisioun Mass Flowmeter (MFC), Gas Rengheet ≥99,999%.

(3) Technologesch Virdeeler
Héich Rengheet: Hannergrond Gëftstoffer Konzentratioun <10¹⁶ cm⁻³ (N, B, etc.).

Grouss Gréisst: Ënnerstëtzt 6 "/8" SiC Substratwachstum.

(4) Energieverbrauch a Käschten
Héich Energieverbrauch (200 ~ 500kW · h pro Schmelzhäre), déi 30% ~ 50% vun de Produktiounskäschte vum SiC Substrat ausmécht.

Core Applikatiounen:

1. Power Semiconductor Substrat: SiC MOSFETs fir d'Fabrikatioun vun elektresche Gefierer a Photovoltaik Inverter.

2. Rf Apparat: 5G Basisstatioun GaN-op-SiC epitaxial Substrat.

3.Extreme Ëmfeld Geräter: Héichtemperatursensoren fir Raumfaart- an Atomkraaftwierker.

Technesch Spezifizéierung:

Spezifizéierung	Detailer
Dimensiounen (L × B × H)	4000 x 3400 x 4300 mm oder personaliséiere
Uewen Chamber Duerchmiesser	1100 mm
Luede Kapazitéit	50 kg
D'Limit Vakuum Grad	10-2Pa (2h no der molekulare Pompel fänkt)
Chamber Drock Erhéijung Taux	≤10 Pa/h (no Kalzinatioun)
Ënneschten Uewen Cover Lift Schlag	1500 mm
Heizungsmethod	Induktioun Heizung
Déi maximal Temperatur am Uewen	2400°C
Heizung Energieversuergung	2 x 40 kW
Temperaturmessung	Zwee-Faarf Infrarout Temperatur Messung
Temperaturbereich	900-3000 ℃
Temperatur Kontroll Genauegkeet	± 1°C
Kontroll Drock Beräich	1 ~ 700 mbar
Drock Kontroll Genauegkeet	1~5mbar ±0,1mbar; 5 ~ 100 mbar ± 0,2 mbar; 100 ~ 700 mbar ± 0,5 mbar
Lueden Method	Niddereg Luede;
Fakultativ Configuratioun	Duebel Temperatur Miesspunkt, Ausluede forklift.

XKH Servicer:

XKH bitt Vollzyklusservicer fir Siliziumkarbid CVD-Schmelzhäre, dorënner Ausrüstungspersonaliséierung (Temperaturzonen Design, Gassystemkonfiguratioun), Prozessentwécklung (Kristallkontroll, Defektoptimiséierung), technesch Ausbildung (Operatioun an Ënnerhalt) an After-Sales Support (Ersatzdeeler Versuergung vu Schlësselkomponenten, Ferndiagnos) fir Clienten ze hëllefen héichqualitativ SiC Substrat Masseproduktioun z'erreechen. A bitt Prozess Upgrade Servicer fir kontinuéierlech d'Kristallrendung a Wuesstumseffizienz ze verbesseren.