CVD-Method fir d'Produktioun vun héichreine SiC-Rohmaterialien an engem Siliziumcarbid-Syntheseuewen bei 1600 ℃

Kuerz Beschreiwung:

E Siliziumkarbid (SiC) Syntheseuewen (CVD). En benotzt eng chemesch Vapor Deposition (CVD) Technologie fir gasfërmeg Siliziumquellen (z.B. SiH₄, SiCl₄) an enger Héichtemperaturëmfeld ze ₄, an där se mat Kuelestoffquellen (z.B. C₃H₈, CH₄) reagéieren. E Schlësselinstrument fir d'Zucht vun héichreine Siliziumkarbidkristaller op engem Substrat (Graphit oder SiC-Som). D'Technologie gëtt haaptsächlech fir d'Virbereedung vun engem SiC-Eenkristallsubstrat (4H/6H-SiC) benotzt, wat déi zentral Prozessausrüstung fir d'Produktioun vu Kraafthallefleeder (wéi MOSFET, SBD) ass.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Aarbechtsprinzip:

1. Virleeferversuergung. Siliziumquell (z.B. SiH₄) a Kuelestoffquell (z.B. C₃H₈) Gaser ginn am Verhältnes gemëscht an an d'Reaktiounskammer agefouert.

2. Zersetzung bei héijer Temperatur: Bei enger héijer Temperatur vun 1500~2300 ℃ generéiert d'Gaszersetzung aktiv Si- an C-Atomer.

3. Uewerflächereaktioun: Si- an C-Atomer ginn op der Substratoberfläche ofgesat, fir eng SiC-Kristallschicht ze bilden.

4. Kristallwuesstum: Duerch d'Kontroll vum Temperaturgradient, Gasstroum an Drock, fir e gerichtete Wuesstum laanscht d'c-Achs oder d'a-Achs z'erreechen.

Schlësselparameteren:

· Temperatur: 1600~2200 ℃ (>2000 ℃ fir 4H-SiC)

· Drock: 50~200mbar (niddregen Drock fir d'Gaskärbildung ze reduzéieren)

· Gasverhältnis: Si/C≈1,0~1,2 (fir Si- oder C-Anreicherungsdefekter ze vermeiden)

Haaptmerkmale:

(1) Kristallqualitéit
Niddreg Defektdicht: Mikrotubulidicht < 0,5 cm⁻², Dislokatiounsdicht < 10⁴ cm⁻².

Polykristallin Typ Kontroll: kann 4H-SiC (Mainstream), 6H-SiC, 3C-SiC an aner Kristallzorten wuessen.

(2) Leeschtung vun der Ausrüstung
Héich Temperaturstabilitéit: Grafit-Induktiounsheizung oder Resistenzheizung, Temperatur >2300 ℃.

Uniformitéitskontroll: Temperaturschwankung ±5 ℃, Wuestumsquote 10~50μm/h.

Gassystem: Héichpräzis Massenduerchflussmesser (MFC), Gasreinheet ≥99,999%.

(3) Technologesch Virdeeler
Héich Rengheet: Konzentratioun vun den Hannergrondongeurenheeten <10¹⁶ cm⁻³ (N, B, etc.).

Grouss Gréisst: Ënnerstëtzung fir 6 "/8" SiC-Substratwuesstum.

(4) Energieverbrauch a Käschten
Héije Energieverbrauch (200~500 kW·h pro Uewen), deen 30%~50% vun de Produktiounskäschte vum SiC-Substrat ausmécht.

Kärapplikatiounen:

1. Halbleitersubstrat fir Leeschtungen: SiC MOSFETs fir d'Produktioun vun Elektroautoen a photovoltaesche Wechselrichter.

2. RF-Apparat: 5G-Basisstatioun GaN-op-SiC epitaktesch Substrat.

3. Apparater fir extrem Ëmweltbedingungen: Héichtemperatursensoren fir Loftfaart a Raumfaart a Kernkraaftwierker.

Technesch Spezifikatioun:

Spezifikatioun	Detailer
Dimensiounen (L × B × H)	4000 x 3400 x 4300 mm oder personaliséiert
Duerchmiesser vun der Uewenkammer	1100mm
Ladekapazitéit	50 kg
De limitéierte Vakuumgrad	10-2Pa (2 Stonnen nodeems d'Molekularpompel ugefaangen huet)
Drocksteigerungsquote an der Kammer	≤10Pa/h (no der Kalzinatioun)
Hiewschlag vun der ënneschter Uewendeckel	1500mm
Heizmethod	Induktiounsheizung
Déi maximal Temperatur am Uewen	2400°C
Heizungsstromversuergung	2X40kW
Temperaturmessung	Zweifarweg Infrarouttemperaturmiessung
Temperaturberäich	900~3000℃
Genauegkeet vun der Temperaturkontroll	±1°C
Kontrolldrockberäich	1~700 mbar
Genauegkeet vum Drockkontroll	1~5mbar ±0,1mbar; 5~100mbar ±0,2mbar; 100~700mbar ±0,5mbar
Luedemethod	Niddreg Belaaschtung;
Optional Konfiguratioun	Duebele Temperaturmiesspunkt, Gabelstapler auslueden.

XKH Servicer:

XKH bitt komplett Zyklus-Servicer fir Siliziumkarbid-CVD-Uewen, dorënner d'Personaliséierung vun der Ausrüstung (Temperaturzonendesign, Gassystemerkonfiguratioun), Prozessentwécklung (Kristallkontrolle, Defektoptimiséierung), technesch Ausbildung (Betrib an Ënnerhalt) an After-Sales-Support (Ersatzdeelerliwwerung vu Schlësselkomponenten, Ferndiagnos), fir de Clienten ze hëllefen, eng héichqualitativ SiC-Substratmasseproduktioun z'erreechen. A si bidden och Prozessupgrade-Servicer, fir d'Kristallerausbezuelung an d'Wuesstumseffizienz kontinuéierlech ze verbesseren.