Personnaliséiert SiC Somkristallsubstrater Dia 205/203/208 4H-N Typ fir optesch Kommunikatioun

Kuerz Beschreiwung:

SiC (Siliziumkarbid) Keimkristallsubstrater, als Kärträger vun Hallefleedermaterialien vun der drëtter Generatioun, notzen hir héich Wärmeleitfäegkeet (4,9 W/cm·K), ultrahéich Duerchbrochfeldstäerkt (2–4 MV/cm) a grouss Bandlück (3,2 eV) fir als Grondmaterialien fir Optoelektronik, nei Energiefahrzeuge, 5G-Kommunikatioun an Loftfaartapplikatiounen ze déngen. Duerch fortgeschratt Fabrikatiounstechnologien wéi physikaleschen Dampftransport (PVT) a Flëssegkeetsphase-Epitaxie (LPE) liwwert XKH 4H/6H-N-Typ, hallefisoléierend, a 3C-SiC Polytyp Keimsubstrater a 2–12-Zoll Waferformater, mat Mikropipe-Dichten ënner 0,3 cm⁻², engem Widderstand vun 20–23 mΩ·cm, an enger Uewerflächenrauheet (Ra) <0,2 nm. Eis Servicer ëmfaassen heteroepitaxial Wuesstem (z.B. SiC-op Si), Präzisiounsbearbechtung op Nanoskala (Toleranz vun ±0,1 μm) a global séier Liwwerung, wat de Clienten ermächtegt, technesch Barrièren ze iwwerwannen an d'Kuelestoffneutralitéit an d'intelligent Transformatioun ze beschleunegen.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Technesch Parameteren

Siliziumkarbid-Saatwafer
Polytyp	4H
Feeler bei der Orientéierung vun der Uewerfläch	4° Richtung <11-20> ± 0,5º
Widderstandsfäegkeet	Personaliséierung
Duerchmiesser	205±0,5mm
Déckt	600±50μm
Rauheet	CMP,Ra≤0,2nm
Mikropäifdicht	≤1 Stéck/cm²
Kratzer	≤5, Gesamtlängt ≤2 * Duerchmiesser
Kantenabschnitzungen/Abschnitzungen	Keen
Frontlasermarkéierung	Keen
Kratzer	≤2, Gesamtlängt ≤Duerchmiesser
Kantenabschnitzungen/Abschnitzungen	Keen
Polytyp-Gebidder	Keen
Récklasermarkéierung	1mm (vum ieweschte Rand)
Rand	Fassung
Verpackung	Multi-Wafer-Kassett

Schlësselcharakteristiken

1. Kristallstruktur an elektresch Leeschtung

· Kristallographesch Stabilitéit: 100% 4H-SiC Polytyp-Dominanz, null multikristallin Inklusiounen (z.B. 6H/15R), mat XRD-Schaukelkurve voller Breet um Hallefmaximum (FWHM) ≤32,7 Bogensekonnen.

· Héich Trägermobilitéit: Elektronemobilitéit vu 5.400 cm²/V·s (4H-SiC) a Lächermobilitéit vu 380 cm²/V·s, wat Héichfrequenz-Apparatdesignen erméiglecht.

·Stralungshärte: Hält enger Neutronenbestrahlung vun 1 MeV mat engem Verrécklungsschuedschwellwäert vun 1×10¹⁵ n/cm² stand, ideal fir Loftfaart- an Nuklearanwendungen.

2. Thermesch a mechanesch Eegeschaften

· Aussergewéinlech thermesch Leetfäegkeet: 4,9 W/cm·K (4H-SiC), dräimol sou vill wéi Silizium, ënnerstëtzt e Betrib iwwer 200°C.

· Niddrege thermeschen Ausdehnungskoeffizient: CTE vun 4,0 × 10⁻⁶/K (25–1000 °C), wat d'Kompatibilitéit mat Siliziumbaséierte Verpackungen garantéiert an d'thermesch Belaaschtung miniméiert.

3. Defektkontroll a Veraarbechtungspräzisioun

· Mikropäifdicht: <0,3 cm⁻² (8-Zoll-Waferen), Dislokatiounsdicht <1.000 cm⁻² (verifizéiert duerch KOH-Ätzen).

· Uewerflächenqualitéit: CMP-poléiert op Ra <0,2 nm, entsprécht den Ufuerderunge fir d'Flaachheet vum EUV-Lithographiegrad.

Schlësselapplikatiounen

Domain	Applikatiounsszenarien	Technesch Virdeeler
Optesch Kommunikatioun	100G/400G Laseren, Silizium-Photonikhybridmoduler	InP-Somsubstrater erméiglechen eng direkt Bandlück (1,34 eV) an Si-baséiert Heteroepitaxie, wouduerch de Verloscht vun der optescher Kopplung reduzéiert gëtt.
Nei Energiefahrzeuge	800V Héichspannungswandler, Onboard-Ladegeräter (OBC)	4H-SiC-Substrater standhalen eng Belaaschtung vu méi wéi 1.200 V, wouduerch d'Leetverloschter ëm 50% an de Systemvolumen ëm 40% reduzéiert ginn.
5G Kommunikatioun	Millimeterwellen-HF-Geräter (PA/LNA), Basisstatiouns-Leeschtungsverstärker	Hallefisoléierend SiC-Substrater (Widerstand >10⁵ Ω·cm) erméiglechen eng passiv Integratioun bei héijer Frequenz (60 GHz+).
Industriell Ausrüstung	Héichtemperatursensoren, Stroumtransformatoren, Iwwerwaachungssystemer fir Atomreaktoren	InSb-Somsubstrater (0,17 eV Bandlück) liwweren eng magnetesch Empfindlechkeet vu bis zu 300%@10 T.

Schlësselvirdeeler

SiC (Siliziumkarbid) Keimkristallsubstrater liwweren eng onvergläichlech Leeschtung mat enger Wärmeleitfäegkeet vun 4,9 W/cm·K, enger Duerchbrochfeldstäerkt vun 2–4 MV/cm an enger breeder Bandlück vun 3,2 eV, wat Uwendungen mat héijer Leeschtung, Héichfrequenz an Héichtemperatur erméiglecht. Mat enger Dicht vun Null Mikroleitungen an enger Verrécklungsdicht vun <1.000 cm⁻² garantéieren dës Substrater Zouverlässegkeet ënner extremen Bedéngungen. Hir chemesch Inertitéit a CVD-kompatibel Uewerflächen (Ra <0,2 nm) ënnerstëtzen en fortgeschrattent heteroepitaxialt Wuesstum (z.B. SiC-op-Si) fir Optoelektronik an EV-Energiesystemer.

XKH Servicer:

1. Personnaliséiert Produktioun

· Flexibel Waferformater: 2–12-Zoll-Waferen mat kreesfërmegen, rechteckegen oder personaliséierte Schnëttformen (±0,01 mm Toleranz).

· Dotierungskontroll: Präzis Dotierung vu Stéckstoff (N) an Aluminium (Al) iwwer CVD, wouduerch e Widderstand vun 10⁻³ bis 10⁶ Ω·cm erreecht gëtt.

2. Fortgeschratt Prozesstechnologien

· Heteroepitaxie: SiC-op-Si (kompatibel mat 8-Zoll Siliziumleitungen) a SiC-op-Diamant (Wärmeleitfäegkeet >2.000 W/m·K).

· Defektbekämpfung: Waasserstoffätzen an -glühen fir Mikropäif-/Dichtedefekter ze reduzéieren, wouduerch d'Wafer-Ausbezuelung op >95% verbessert gëtt.

3. Qualitéitsmanagementsystemer

· End-to-End Tester: Raman-Spektroskopie (Polytypverifizéierung), XRD (Kristallinitéit) a SEM (Defektanalyse).

· Zertifizéierungen: Entsprécht AEC-Q101 (Automobilindustrie), JEDEC (JEDEC-033) a MIL-PRF-38534 (Militärqualitéit).

4. Global Ënnerstëtzung vun der Liwwerketten

· Produktiounskapazitéit: Méintlech Produktioun >10.000 Waferen (60% 8-Zoll), mat Noutliwwerung bannent 48 Stonnen.

· Logistiknetz: Ofdeckung an Europa, Nordamerika an Asien-Pazifik iwwer Loft-/Séifracht mat temperaturkontrolléierter Verpackung.

5. Technesch Zesummenaarbecht

· Gemeinsam Fuerschungs- an Entwécklungslaboren: Zesummenaarbecht bei der Optimiséierung vun der Verpackung vu SiC-Stroummoduler (z. B. DBC-Substratintegratioun).

· IP-Lizenzéierung: Lizenzéierung vun der GaN-op-SiC RF-epitaxialer Wuesstechnologie ubidden, fir d'Fuerschungs- an Entwécklungskäschte vun de Clienten ze reduzéieren.

Resumé

SiC (Siliziumkarbid) Somkristallsubstrater, als strategescht Material, änneren d'global Industrieketten duerch Duerchbréch am Kristallwuesstum, der Defektkontrolle an der heterogener Integratioun. Duerch d'kontinuéierlech Fortschrëtter an der Reduktioun vu Waferdefekter, d'Skaléierung vun der 8-Zoll-Produktioun an d'Ausbau vun heteroepitaxialen Plattformen (z.B. SiC-on-Diamond), liwwert XKH héich zouverlässeg a käschtegënschteg Léisunge fir Optoelektronik, nei Energien an fortgeschratt Produktioun. Eist Engagement fir Innovatioun garantéiert, datt Clienten a punkto Kuelestoffneutralitéit an intelligente Systemer féieren a sou déi nächst Ära vun Halbleiter-Ökosystemer mat breeder Bandlück virukommen.