Personnaliséiert GaN-op-SiC epitaxial Waferen (100mm, 150mm) – Verschidde SiC Substratoptiounen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Kuerz Beschreiwung:

Eis personaliséiert GaN-op-SiC Epitaxialwafere bidden eng iwwerleeën Leeschtung fir Uwendungen mat héijer Leeschtung an héijer Frequenz, andeems se déi aussergewéinlech Eegeschafte vu Galliumnitrid (GaN) mat der robuster Wärmeleitfäegkeet a mechanescher Stäerkt kombinéieren.Siliziumkarbid (SiC)Dës Wafere si mat Wafergréissten vun 100 mm an 150 mm verfügbar a baséieren op enger Villfalt vu SiC-Substratoptiounen, dorënner 4H-N, HPSI an 4H/6H-P, déi op spezifesch Ufuerderunge fir Leeschtungselektronik, HF-Verstärker an aner fortgeschratt Hallefleiterkomponenten zougeschnidden sinn. Mat personaliséierbaren epitaktischen Schichten an eenzegaartege SiC-Substrater sinn eis Wafere sou konzipéiert, datt se eng héich Effizienz, Wärmemanagement a Zouverlässegkeet fir usprochsvoll industriell Uwendungen garantéieren.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

● Epitaxial Schichtdéckt: Personaliséierbar vun1,0 µmzu3,5 µm, optiméiert fir héich Leeschtung a Frequenzleistung.

● SiC-SubstratoptiounenVerfügbar mat verschiddene SiC-Substrater, dorënner:

4H-NHéichqualitativt Stéckstoff-dotiert 4H-SiC fir Héichfrequenz- an Héichleistungsapplikatiounen.
HPSIHéichreinheets-Halbisolatiouns-SiC fir Uwendungen, déi elektresch Isolatioun erfuerderen.
4H/6H-PGemëscht 4H an 6H-SiC fir e Gläichgewiicht tëscht héijer Effizienz a Zouverlässegkeet.

●WafergréisstenVerfügbar an100mman150mmDuerchmiesser fir Vielfältegkeet an der Skalierung an der Integratioun vun Apparater.

● Héich DuerchschlagspannungGaN op SiC Technologie bitt eng héich Duerchschlagspannung, wat eng robust Leeschtung an Héichleistungsapplikatioune erméiglecht.

● Héich thermesch Konduktivitéit: Déi inherent thermesch Leetfäegkeet vu SiC (ongeféier 490 W/m·K) garantéiert eng exzellent Hëtzofleedung fir energieintensiv Uwendungen.

Technesch Spezifikatiounen

Parameter	Wäert
Waferduerchmiesser	100mm, 150mm
Epitaktesch Schichtdéckt	1,0 µm – 3,5 µm (personaliséierbar)
SiC-Substrattypen	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
SiC Wärmeleitfäegkeet	490 W/m·K
SiC-Widerstand	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSIHallefisoléierend,4H/6H-PGemëscht 4H/6H
GaN-Schichtdicke	1,0 µm – 2,0 µm
GaN Carrier Konzentratioun	10^18 cm^-3 bis 10^19 cm^-3 (personaliséierbar)
Qualitéit vun der Waferoberfläche	RMS-Rauheet< 1 nm
Verrécklungsdicht	< 1 x 10^6 cm^-2
Wafer-Schleif	< 50 µm
Wafer-Flaachheet	< 5 µm
Maximal Betribstemperatur	400°C (typesch fir GaN-op-SiC-Komponenten)

Uwendungen

●Energieelektronik:GaN-op-SiC-Wafere bidden eng héich Effizienz an Hëtzofleedung, wouduerch se ideal fir Leeschtungsverstäerker, Stroumkonversiounsapparater a Stroumwechselrichter-Schaltkreesser sinn, déi an Elektroautoen, erneierbaren Energiesystemer an Industriemaschinnen agesat ginn.
●HF-Leeschtungsverstärker:D'Kombinatioun vu GaN a SiC ass perfekt fir Héichfrequenz- an Héichleistungs-HF-Uwendungen, wéi Telekommunikatioun, Satellittekommunikatioun a Radarsystemer.
●Loft- a Raumfaart a Verdeedegung:Dës Wafere si gëeegent fir Loft- a Raumfaart- a Verteidegungstechnologien, déi héich performant Leeschtungselektronik a Kommunikatiounssystemer erfuerderen, déi ënner haarde Konditioune funktionéiere kënnen.
● Uwendungen am Automobilberäich:Ideal fir Héichleistungs-Stroumsystemer an Elektroautoen (EVs), Hybridautoen (HEVs) a Ladestatiounen, wat eng effizient Energiekonversioun a -kontroll erméiglecht.
● Militär- a Radarsystemer:GaN-op-SiC-Wafere ginn a Radarsystemer wéinst hirer héijer Effizienz, Leeschtungskapazitéit an thermescher Leeschtung a schwieregen Ëmfeld benotzt.
● Mikrowellen- a Millimeterwellenapplikatiounen:Fir Kommunikatiounssystemer vun der nächster Generatioun, dorënner 5G, bitt GaN-op-SiC optimal Leeschtung am Mikrowellen- a Millimeterwelleberäich mat héijer Leeschtung.

Froen an Äntwerten

Q1: Wat sinn d'Virdeeler vun der Benotzung vu SiC als Substrat fir GaN?

A1:Siliziumkarbid (SiC) bitt eng iwwerleeën Wärmeleitfäegkeet, héich Duerchbrochspannung a mechanesch Stäerkt am Verglach mat traditionelle Substrater wéi Silizium. Dëst mécht GaN-op-SiC-Waferen ideal fir Uwendungen mat héijer Leeschtung, Héichfrequenz an Héichtemperaturen. De SiC-Substrat hëlleft d'Hëtzt ofzebauen, déi vu GaN-Komponenten generéiert gëtt, wat d'Zouverlässegkeet an d'Performance verbessert.

Q2: Kann d'Dicke vun der epitaktischer Schicht fir spezifesch Uwendungen personaliséiert ginn?

A2:Jo, d'Dicke vun der epitaktischer Schicht kann an engem Beräich vun1,0 µm bis 3,5 µm, ofhängeg vun den Ufuerderunge vun der Leeschtung an der Frequenz vun Ärer Applikatioun. Mir kënnen d'GaN-Schichtdicke upassen, fir d'Leeschtung fir spezifesch Apparater wéi Leeschtungsverstärker, HF-Systemer oder Héichfrequenzschaltungen ze optimiséieren.

Q3: Wat ass den Ënnerscheed tëscht 4H-N, HPSI an 4H/6H-P SiC Substrater?

A3:

4H-NMat Stéckstoff dotiert 4H-SiC gëtt dacks fir Héichfrequenzapplikatioune benotzt, déi eng héich elektronesch Leeschtung erfuerderen.
HPSIHéichreinheets-Halbisoléierend SiC bitt elektresch Isolatioun, ideal fir Uwendungen, déi minimal elektresch Leetfäegkeet erfuerderen.
4H/6H-PEng Mëschung aus 4H an 6H-SiC, déi d'Leeschtung ausbalancéiert, eng Kombinatioun aus héijer Effizienz a Robustheet bitt, gëeegent fir verschidden Uwendungen an der Leeschtungselektronik.

Q4: Sinn dës GaN-op-SiC-Waferen gëeegent fir Uwendungen mat héijer Leeschtung wéi Elektroautoen an erneierbar Energien?

A4:Jo, GaN-op-SiC-Wafere si gutt geegent fir Uwendungen mat héijer Leeschtung, wéi Elektroautoen, erneierbar Energien an industriell Systemer. Déi héich Duerchschlagspannung, déi héich Wärmeleitfäegkeet an d'Leeschtungsveraarbechtungskapazitéite vu GaN-op-SiC-Komponenten erméiglechen et hinnen, effektiv a fuerdernden Energiekonversiouns- a Kontrollkreesser ze funktionéieren.

Q5: Wat ass déi typesch Dislokatiounsdicht fir dës Waferen?

A5:D'Dislokatiounsdicht vun dëse GaN-op-SiC-Waferen ass typescherweis< 1 x 10^6 cm^-2, wat e qualitativ héichwäertegt epitaktesch Wuesstum garantéiert, Mängel miniméiert an d'Performance an d'Zouverlässegkeet vum Apparat verbessert.

Q6: Kann ech eng spezifesch Wafergréisst oder e SiC-Substrattyp ufroen?

A6:Jo, mir bidden personaliséiert Wafergréissten (100 mm an 150 mm) a SiC-Substrattypen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) un, fir déi spezifesch Bedierfnesser vun Ärer Uwendung gerecht ze ginn. Kontaktéiert eis w.e.g. fir weider Personaliséierungsoptiounen an fir Är Ufuerderungen ze diskutéieren.

Q7: Wéi funktionéieren GaN-op-SiC-Waferen an extremen Ëmfeld?

A7:GaN-op-SiC-Wafere si wéinst hirer héijer thermescher Stabilitéit, héijer Leeschtungshandhabung an exzellenter Wärmeofleedungsfäegkeet ideal fir extrem Ëmfeld. Dës Wafere leeschte gutt a Bedéngungen mat héijen Temperaturen, héijer Leeschtung an héijer Frequenz, déi dacks an der Loft- a Raumfaart, Verteidegung an Industrieanwendungen optrieden.

Conclusioun

Eis personaliséiert GaN-op-SiC epitaxial Wafere kombinéieren déi fortgeschratt Eegeschafte vu GaN a SiC fir eng iwwerleeën Leeschtung an Héichleistungs- an Héichfrequenzapplikatiounen ze bidden. Mat verschiddene SiC-Substratoptiounen a personaliséierbaren epitaxialen Schichten sinn dës Wafere ideal fir Industrien, déi héich Effizienz, Wärmemanagement a Zouverlässegkeet erfuerderen. Egal ob fir Leeschtungselektronik, HF-Systemer oder Verteidegungsapplikatiounen, eis GaN-op-SiC Wafere bidden déi Leeschtung a Flexibilitéit, déi Dir braucht.