Customized GaN-on-SiC Epitaxial Wafers (100 mm, 150 mm) - Multiple SiC Substratoptiounen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Kuerz Beschreiwung:

Eis Customized GaN-on-SiC Epitaxial Wafers bidden eng super Leeschtung fir Héichkraaft, Héichfrequenz Uwendungen andeems d'aussergewéinlech Eegeschafte vu Gallium Nitride (GaN) mat der robuster thermescher Konduktivitéit a mechanescher Kraaft kombinéiert ginn.Silicon Carbide (SiC). Verfügbar an 100mm an 150mm Wafergréissten, sinn dës Wafere op enger Vielfalt vu SiC Substratoptiounen gebaut, dorënner 4H-N, HPSI, a 4H / 6H-P Typen, ugepasst fir spezifesch Ufuerderunge fir Kraaftelektronik, RF Verstärker, an aner fortgeschratt Hallefleitgeräter ze treffen. Mat personaliséierbaren epitaxiale Schichten an eenzegaartege SiC-Substrate sinn eis Wafere entwéckelt fir héich Effizienz, thermesch Gestioun an Zouverlässegkeet fir erfuerderlech industriell Uwendungen ze garantéieren.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Fonctiounen

●Epitaxial Layer Thickness: Customisable vun1,0 µmzu3,5 um, optimiséiert fir héich Kraaft a Frequenzleistung.

●SiC Substrat Optiounen: Verfügbar mat verschiddene SiC-Substraten, dorënner:

4H-N: Héich-Qualitéit Stickstoff-dotéiert 4H-SiC fir héich Frequenz, héich-Muecht Uwendungen.
HPSI: High-Purity Semi-Isolating SiC fir Uwendungen déi elektresch Isolatioun erfuerderen.
4H/6H-P: Gemëscht 4H an 6H-SiC fir e Gläichgewiicht vun héich Effizienz an Zouverlässegkeet.

● Wafer Gréissten: Verfügbar an100 mman150 mmDuerchmiesser fir Villsäitegkeet am Apparat Skaléieren an Integratioun.

● Héich Decompte Volt: GaN op SiC Technologie liwwert eng héich Decompte Spannung, erméiglecht eng robust Leeschtung an High-Power Uwendungen.

●Héich thermesch Konduktivitéit: SiC seng inherent thermesch Konduktivitéit (ongeféier 490 W/m·K) suergt fir eng exzellent Wärmevergëftung fir Stroumintensiv Uwendungen.

Technesch Spezifikatioune

Parameter	Wäert
Wafer Duerchmiesser	100 mm, 150 mm
Epitaxial Layer Dicke	1,0 µm - 3,5 µm (personaliséierbar)
SiC Substrat Typen	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
SiC thermesch Konduktivitéit	490 W/m·K
SiC Resistivitéit	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Semi-isoléierend,4H/6H-P: Gemëscht 4H / 6H
GaN Layer Dicke	1,0 µm - 2,0 µm
GaN Carrier Konzentratioun	10^18 cm^-3 bis 10^19 cm^-3 (personaliséierbar)
Wafer Uewerfläch Qualitéit	RMS Roughness: < 1 nm
Dislokatioun Dicht	< 1 x 10^6 cm^-2
Wafer Bow	< 50 µm
Wafer Flatness	< 5 µm
Maximal Operatioun Temperatur	400°C (typesch fir GaN-on-SiC Geräter)

Uwendungen

● Power Electronics:GaN-on-SiC Wafere bidden héich Effizienz an Wärmevergëftung, sou datt se ideal sinn fir Kraaftverstärker, Kraaftkonversiounsgeräter, a Kraaft-Inverter Circuits, déi an elektresche Gefierer, erneierbar Energiesystemer, an industriell Maschinnen benotzt ginn.
●RF Power Amplifiers:D'Kombinatioun vu GaN a SiC ass perfekt fir High-Frequenz, High-Power RF Uwendungen wéi Telekommunikatioun, Satellitekommunikatioun a Radarsystemer.
● Raumfaart a Verdeedegung:Dës Wafere si gëeegent fir Raumfaart- a Verteidegungstechnologien, déi héich performant Kraaftelektronik a Kommunikatiounssystemer erfuerderen, déi ënner haarde Bedéngungen funktionéiere kënnen.
● Automotive Uwendungen:Ideal fir High-Performance Power Systemer an elektresche Gefierer (EVs), Hybrid Gefierer (HEVs), an Opluedstatiounen, déi effizient Kraaftkonversioun a Kontroll erméiglechen.
● Militär- a Radarsystemer:GaN-on-SiC Wafere ginn a Radarsystemer benotzt fir hir héich Effizienz, Kraafthandlungsfäegkeeten an thermesch Leeschtung an usprochsvollen Ëmfeld.
● Mikrowellen a Millimeterwellen Uwendungen:Fir d'nächst Generatioun Kommunikatiounssystemer, dorënner 5G, bitt GaN-on-SiC optimal Leeschtung an High-Power Mikrowellen a Millimeterwelleberäicher.

Q&A

Q1: Wat sinn d'Virdeeler fir SiC als Substrat fir GaN ze benotzen?

A1:Silicon Carbide (SiC) bitt eng super thermesch Konduktivitéit, héich Decomptespannung a mechanesch Kraaft am Verglach mat traditionelle Substrate wéi Silizium. Dëst mécht GaN-on-SiC Wafere ideal fir Héichkraaft, Héichfrequenz an Héichtemperatur Uwendungen. De SiC-Substrat hëlleft d'Hëtzt, déi vu GaN-Geräter generéiert gëtt, opléisen, d'Zouverlässegkeet an d'Performance verbesseren.

Q2: Kann d'Epitaxial Schichtdicke fir spezifesch Uwendungen personaliséiert ginn?

A2:Jo, d'Epitaxial Schichtdicke kann an enger Rei vu personaliséiert ginn1,0 µm bis 3,5 µm, jee no der Kraaft- an Frequenz Ufuerderunge vun Ärer Applikatioun. Mir kënnen d'GaN Schichtdicke personaliséieren fir d'Performance fir spezifesch Apparater wéi Kraaftverstärker, RF Systemer oder Héichfrequenzkreesser ze optimiséieren.

Q3: Wat ass den Ënnerscheed tëscht 4H-N, HPSI, an 4H/6H-P SiC Substrate?

A3:

4H-N: Nitrogen-dotéiert 4H-SiC gëtt allgemeng fir Héichfrequenzapplikatiounen benotzt, déi héich elektronesch Leeschtung erfuerderen.
HPSI: High-Purity Semi-Isolating SiC bitt elektresch Isolatioun, ideal fir Uwendungen déi minimal elektresch Konduktivitéit erfuerderen.
4H/6H-P: Eng Mëschung aus 4H an 6H-SiC déi d'Performance ausbalancéiert, eng Kombinatioun vun héich Effizienz a Robustheet ubitt, gëeegent fir verschidde Kraaftelektronikapplikatiounen.

Q4: Sinn dës GaN-on-SiC Wafere gëeegent fir High-Power Uwendungen wéi elektresch Gefierer an erneierbar Energie?

A4:Jo, GaN-on-SiC Wafere si gutt gëeegent fir High-Power Uwendungen wéi elektresch Gefierer, erneierbar Energie an industriell Systemer. Déi héich Ënnerbriechungsspannung, héich thermesch Konduktivitéit, a Kraaftbehandlungsfäegkeete vu GaN-on-SiC Geräter erméiglechen hinnen effektiv an usprochsvollen Kraaftkonversioun a Kontrollkreesser auszeféieren.

Q5: Wat ass déi typesch Dislokatiounsdicht fir dës Waferen?

A5:D'Dislokatiounsdicht vun dëse GaN-op-SiC Wafere ass typesch< 1 x 10^6 cm^-2, déi qualitativ héichwäerteg epitaxial Wuesstum garantéiert, Defekter minimiséieren an d'Apparatleistung an Zouverlässegkeet verbesseren.

Q6: Kann ech eng spezifesch Wafergréisst oder SiC Substrattyp ufroen?

A6:Jo, mir bidden personaliséiert Wafergréissten (100mm an 150mm) a SiC Substrattypen (4H-N, HPSI, 4H / 6H-P) fir déi spezifesch Bedierfnesser vun Ärer Applikatioun ze treffen. Kontaktéiert eis w.e.g. fir weider Personnalisatiounsoptiounen a fir Är Ufuerderungen ze diskutéieren.

Q7: Wéi funktionnéieren GaN-on-SiC Waferen an extremen Ëmfeld?

A7:GaN-on-SiC Wafere sinn ideal fir extremen Ëmfeld wéinst hirer héijer thermescher Stabilitéit, héijer Kraafthandhabung an exzellente Wärmevergëftungsfäegkeeten. Dës Wafere Leeschtunge gutt an héich-Temperatur, héich-Muecht, an héich-Frequenz Konditiounen allgemeng an Raumfaarttechnik, Verdeedegung, an industriell Uwendungen begéint.

Conclusioun

Eis Customized GaN-on-SiC Epitaxial Wafers kombinéieren déi fortgeschratt Eegeschafte vu GaN a SiC fir eng super Leeschtung an High-Power an High-Frequenz Uwendungen ze bidden. Mat multiple SiC Substratoptiounen a personaliséierbar epitaxial Schichten, sinn dës Wafere ideal fir Industrien déi héich Effizienz, thermesch Gestioun an Zouverlässegkeet erfuerderen. Egal ob fir Kraaftelektronik, RF Systemer oder Verteidegungsapplikatiounen, eis GaN-on-SiC Wafere bidden d'Performance an d'Flexibilitéit déi Dir braucht.