Benotzerdefinéiert N-Typ SiC Seed Substrat Dia153/155mm fir Power Elektronik

Benotzerdefinéiert N-Typ SiC Seed Substrat Dia 153/155mm fir Power Electronics Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC)-Somsubstrater déngen als Grondmaterial fir Hallefleeder vun der drëtter Generatioun a ënnerscheede sech duerch hir aussergewéinlech héich Wärmeleitfäegkeet, hir iwwerleeën Duerchbrochstäerkt an hir héich Elektronemobilitéit. Dës Eegeschafte maachen se onentbehrlech fir Leeschtungselektronik, HF-Geräter, Elektroautoen (EVs) an Uwendungen an erneierbaren Energien. XKH spezialiséiert sech op d'Fuerschung an d'Entwécklung a Produktioun vu qualitativ héichwäertege SiC-Somsubstrater a benotzt fortgeschratt Kristallwuesstumstechniken wéi Physical Vapor Transport (PVT) an High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD), fir eng féierend kristallin Qualitéit ze garantéieren.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Virstellen

XKH bitt 4-Zoll, 6-Zoll an 8-Zoll SiC-Seed-Substrater mat personaliséierbarer N-Typ/P-Typ Dotierung un, déi e Widderstandsniveau vun 0,01-0,1 Ω·cm an Dislokatiounsdichten ënner 500 cm⁻² erreechen, wat se ideal fir d'Produktioun vu MOSFETs, Schottky-Barrièredioden (SBDs) an IGBTs mécht. Eise vertikal integréierte Produktiounsprozess ëmfaasst Kristallwuesstem, Wafer-Schneiden, Poléieren an Inspektioun, mat enger monatlecher Produktiounskapazitéit vu méi wéi 5.000 Waferen, fir den diversen Ufuerderunge vu Fuerschungsinstituter, Hallefleederhersteller an erneierbaren Energiefirmen gerecht ze ginn.

Zousätzlech bidden mir personaliséiert Léisungen, dorënner:

Personnalisatioun vun der Kristallorientéierung (4H-SiC, 6H-SiC)

Spezialiséiert Dotierung (Aluminium, Stéckstoff, Bor, asw.)

Ultra-glat Polieren (Ra < 0,5 nm)

XKH ënnerstëtzt probebaséiert Veraarbechtung, technesch Berodung a Prototyping a klenge Chargen, fir optiméiert SiC-Substratléisungen ze liwweren.

Technesch Parameteren

Siliziumkarbid-Saatwafer
Polytyp	4H
Feeler bei der Orientéierung vun der Uewerfläch	4° Richtung <11-20> ± 0,5º
Widderstandsfäegkeet	Personaliséierung
Duerchmiesser	205±0,5mm
Déckt	600±50μm
Rauheet	CMP,Ra≤0,2nm
Mikropäifdicht	≤1 Stéck/cm²
Kratzer	≤5, Gesamtlängt ≤2 * Duerchmiesser
Kantenabschnitzungen/Abschnitzungen	Keen
Frontlasermarkéierung	Keen
Kratzer	≤2, Gesamtlängt ≤Duerchmiesser
Kantenabschnitzungen/Abschnitzungen	Keen
Polytyp-Gebidder	Keen
Récklasermarkéierung	1mm (vum ieweschte Rand)
Rand	Fassung
Verpackung	Multi-Wafer-Kassett

SiC-Saatsubstrater - Schlësselcharakteristiken

1. Aussergewéinlech physikalesch Eegeschaften

· Héich thermesch Leetfäegkeet (~490 W/m·K), déi Silizium (Si) a Galliumarsenid (GaAs) däitlech iwwertrëfft, wouduerch et ideal fir d'Ofkillung vun Apparater mat héijer Leeschtungsdicht ass.

· Duerchschlagsfeldstäerkt (~3 MV/cm), déi e stabile Betrib ënner Héichspannungsbedingungen erméiglecht, entscheedend fir EV-Inverter an industriell Stroummoduler.

· Grouss Bandlück (3,2 eV), reduzéiert Leckstréim bei héijen Temperaturen an erhéicht d'Zouverlässegkeet vum Apparat.

2. Iwwerleeën kristallin Qualitéit

· D'PVT + HTCVD Hybrid-Wuesstumstechnologie miniméiert Mikropäifdefekter, wouduerch d'Dislokatiounsdicht ënner 500 cm⁻² gehale gëtt.

· Waferbéi/Kettung < 10 μm an Uewerflächenrauheet Ra < 0,5 nm, wat Kompatibilitéit mat héichpräzisen Lithographie- a Dënnschichtoflagerungsprozesser garantéiert.

3. Verschidden Dopingoptiounen

·N-Typ (mat Stéckstoff dotiert): Niddrege Widderstand (0,01-0,02 Ω·cm), optiméiert fir Héichfrequenz-HF-Geräter.

· P-Typ (Aluminium-dotiert): Ideal fir Power-MOSFETs an IGBTs, wat d'Mobilitéit vun den Träger verbessert.

· Hallefisoléierend SiC (Vanadium-dotiert): Widderstand > 10⁵ Ω·cm, ugepasst fir 5G RF Frontend Moduler.

4. Ëmweltstabilitéit

· Héichtemperaturbeständegkeet (>1600°C) a Stralungshärkeet, gëeegent fir Loftfaart, Nuklearausrüstung an aner extrem Ëmfeld.

SiC-Saatsubstrater - Haaptapplikatiounen

1. Leeschtungselektronik

· Elektroautoen (EVs): Ginn an On-Board-Ladegeräter (OBC) an Inverter benotzt fir d'Effizienz ze verbesseren an d'Ufuerderunge fir d'Wärmemanagement ze reduzéieren.

· Industriell Energieversuergungssystemer: Verbessert photovoltaesch Inverter a Smart Grids, wouduerch eng Energiekonversiounseffizienz vun >99% erreecht gëtt.

2. HF-Geräter

· 5G Basisstatiounen: Hallefisoléierend SiC-Substrater erméiglechen GaN-op-SiC HF-Leeschtungsverstärker, déi héichfrequent Signaliwwerdroung mat héijer Leeschtung ënnerstëtzen.

Satellittekommunikatioun: Duerch seng Verloschter ass et gëeegent fir Millimeterwellengeräter.

3. Erneierbar Energie & Energiespeicher

· Solarenergie: SiC MOSFETs erhéijen d'Effizienz vun der DC-AC-Konversioun a reduzéieren gläichzäiteg d'Systemkäschten.

· Energiespeichersystemer (ESS): Optimiséiert bidirektional Konverter a verlängert d'Liewensdauer vun der Batterie.

4. Verdeedegung & Loftfaart

· Radarsystemer: Héichleistungs-SiC-Apparater ginn an AESA-Radaren (Active Electronically Scanned Array) benotzt.

· Energieverwaltung fir Raumschëffer: Stralungsbeständeg SiC-Substrater si fir Weltraummissioune ganz wichteg.

5. Fuerschung & nei Technologien

· Quanteberechnung: Héichreine SiC erméiglecht d'Fuerschung iwwer Spin-Qubits.

· Héichtemperatursensoren: Am Asaz bei der Uelegexploratioun an der Iwwerwaachung vun Atomreaktoren.

SiC Somsubstrater - XKH Services

1. Virdeeler vun der Liwwerketten

· Vertikal integréiert Produktioun: Voll Kontroll vum héichreine SiC-Pulver bis zu fäerdege Waferen, wat Liwwerzäiten vu 4-6 Wochen fir Standardprodukter garantéiert.

· Käschtekompetitivitéit: Skalenvirdeeler erméiglechen 15-20% méi niddreg Präisser wéi bei Konkurrenten, mat Ënnerstëtzung fir laangfristeg Ofkommes (LTAen).

2. Personaliséierungsservicer

· Kristallorientéierung: 4H-SiC (Standard) oder 6H-SiC (spezialiséiert Uwendungen).

· Dopingoptimiséierung: Moossgeschneidert N-Typ/P-Typ/Halbisolatiounseigenschaften.

· Fortgeschratt Polieren: CMP-Polierung an epi-ready Uewerflächenbehandlung (Ra < 0,3 nm).

3. Techneschen Support

· Gratis Prouftest: Enthält XRD-, AFM- a Hall-Effekt-Miessberichter.

· Hëllef bei der Simulatioun vun Apparater: Ënnerstëtzt epitaktesch Wuesstem an Optimiséierung vun Apparatdesign.

4. Schnell Reaktioun

· Prototyping a klenge Volumen: Mindestbestellung vun 10 Waferen, Liwwerung bannent 3 Wochen.

· Global Logistik: Partnerschafte mat DHL a FedEx fir Liwwerung vun Dier zu Dier.

5. Qualitéitssécherung

· Vollprozessinspektioun: Ëmfaasst Röntgentopographie (XRT) an Defektdichtanalyse.

· International Zertifizéierungen: Entsprécht den IATF 16949 (Automobilqualitéit) an AEC-Q101 Normen.

Conclusioun

D'SiC-Somsubstrate vun XKH exceléieren a punkto kristalliner Qualitéit, Stabilitéit vun der Versuergungskette a Flexibilitéit bei der Personnalisatioun a si gëeegent fir Energieelektronik, 5G-Kommunikatioun, erneierbar Energien a Verteidegungstechnologien. Mir entwéckelen weiderhin d'8-Zoll-SiC-Masseproduktiounstechnologie, fir d'Halbleiterindustrie vun der drëtter Generatioun virunzedreiwen.

Virdrun: SiC Keramikplack/Schacht fir 4 Zoll 6 Zoll Waferhalter fir ICP

Weider: Personnaliséiert SiC Somkristallsubstrater Dia 205/203/208 4H-N Typ fir optesch Kommunikatioun