CNC-Barren-Ronnungsmaschinn (fir Saphir, SiC, etc.)
Schlësselmerkmale
Kompatibel mat verschiddene Kristallmaterialien
Kann Saphir, SiC, Quarz, YAG an aner ultra-haart Kristallstäb veraarbechten. Flexibelt Design fir breet Materialkompatibilitéit.
Héichpräzis CNC-Steierung
Ausgestatt mat enger fortgeschrattener CNC-Plattform, déi Echtzäit-Positiounsverfolgung an automatesch Kompensatioun erméiglecht. Duerchmiessertoleranzen an der Noveraarbechtung kënnen innerhalb vun ±0,02 mm agehale ginn.
Automatiséiert Zentrierung a Miessung
Integréiert mat engem CCD-Visiounssystem oder engem Laser-Ausriichtungsmodul fir d'Barr automatesch ze zentréieren an radial Ausriichtungsfeeler z'entdecken. Erhéicht d'Ausbezuelung beim éischte Duerchgank a reduzéiert manuell Interventioun.
Programméierbar Schleifweeër
Ënnerstëtzt verschidde Ronnungsstrategien: Standard zylindresch Formung, Glättung vu Flächendefekter a personaliséiert Konturkorrekturen.
Modulare mechaneschen Design
Gebaut mat modulare Komponenten a kompaktem Format. Déi vereinfacht Struktur garantéiert einfach Ënnerhalt, séieren Komponentenwiessel a minimal Ausfallzäit.
Integréiert Ofkillung a Staubsaugung
Verfügt iwwer e leistungsstarkt Waasserkillsystem a Kombinatioun mat enger versiegelter Staubofzuigunitéit mat Negativdrock. Reduzéiert thermesch Verzerrung a Loftpartikelen beim Schleifen, wat e sécheren a stabile Betrib garantéiert.
Uwendungsberäicher
Saphir Wafer Virveraarbechtung fir LEDs
Gëtt benotzt fir Saphirbarren ze formen ier se a Wafer geschnidden ginn. Eng gläichméisseg Ronnung erhéicht d'Ausbezuelung däitlech a reduzéiert Schied un de Waferkanten beim spéidere Schnëtt.
SiC-Stangschleifen fir d'Benotzung als Hallefleiter
Essentiell fir d'Virbereedung vu Siliziumkarbid-Barren an Uwendungen an der Leeschtungselektronik. Erméiglecht e konstante Duerchmiesser a Uewerflächenqualitéit, entscheedend fir d'Produktioun vu SiC-Wafer mat héijer Leeschtung.
Optesch a Laserkristallformung
Präzisiounsronding vu YAG, Nd:YVO₄ an aner Lasermaterialien verbessert d'optesch Symmetrie an d'Uniformitéit a garantéiert eng konsequent Stralausgaab.
Virbereedung vu Fuerschungs- a Experimentmaterial
Gëtt vun Universitéiten a Fuerschungslaboratoiren vertraut fir d'physikalesch Gestaltung vun neien Kristaller fir Orientéierungsanalyse an Materialwëssenschaftsexperimenter.
Spezifikatioun vun
Spezifikatioun | Wäert |
Lasertyp | DPSS Nd:YAG |
Ënnerstëtzte Wellelängten | 532nm / 1064nm |
Energieoptiounen | 50W / 100W / 200W |
Positionéierungsgenauegkeet | ±5μm |
Minimal Linnbreet | ≤20μm |
Hëtzt-beaflosst Zon | ≤5μm |
Bewegungssystem | Linear- / Direktundriffsmotor |
Maximal Energiedicht | Bis zu 10⁷ W/cm² |
Conclusioun
Dëst Mikrojet-Lasersystem definéiert d'Grenze vun der Laserbearbechtung fir haart, brécheg a thermesch empfindlech Materialien nei. Duerch seng eenzegaarteg Laser-Waasser-Integratioun, Duebelwellenlängt-Kompatibilitéit a flexibel Bewegungssystem bitt et eng personaliséiert Léisung fir Fuerscher, Hiersteller a Systemintegratoren, déi mat modernste Materialien schaffen. Egal ob se a Hallefleiterfabriken, Loftfaartlaboren oder an der Produktioun vu Solarpanneauen agesat gëtt, dës Plattform liwwert Zouverlässegkeet, Widderhuelbarkeet a Präzisioun, déi d'Materialveraarbechtung vun der nächster Generatioun erméiglechen.
Detailéiert Diagramm


