Au-beschichtete Wafer, Saphirwafer, Siliziumwafer, SiC-Wafer, 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Goldbeschichtete Déckt 10 nm, 50 nm, 100 nm
Schlësselmerkmale
| Fonktioun | Beschreiwung |
| Substratmaterialien | Silizium (Si), Saphir (Al₂O₃), Siliziumkarbid (SiC) |
| Goldbeschichtungsdicke | 10nm, 50nm, 100nm, 500nm |
| Goldreinheet | 99,999%Rengheet fir optimal Leeschtung |
| Haftungsfolie | Chrom (Cr), 99,98% Rengheet, garantéiert eng staark Haftung |
| Uewerflächenrauheet | E puer nm (glat Uewerflächequalitéit fir Präzisiounsapplikatiounen) |
| Resistenz (Si-Wafer) | 1-30 Ohm/cm(ofhängeg vum Typ) |
| Wafergréissten | 2-Zoll, 4-Zoll, 6-Zoll, a personaliséiert Gréissten |
| Déckt (Si Wafer) | 275µm, 381µm, 525µm |
| TTV (Gesamtdickenvariatioun) | ≤20µm |
| Primär flaach (Si Wafer) | 15,9 ± 1,65 mmzu32,5 ± 2,5 mm |
Firwat Goldbeschichtung an der Hallefleiterindustrie essentiell ass
Elektresch Konduktivitéit
Gold ass ee vun de beschte Materialien firelektresch LeedungGoldbeschichtete Wafer bidden Weeër mat nidderegem Widderstand, déi essentiell fir Hallefleederkomponenten sinn, déi séier a stabil elektresch Verbindungen erfuerderen.héich Rengheetaus Gold garantéiert optimal Konduktivitéit a miniméiert de Signalverloscht.
Korrosiounsbeständegkeet
Gold assnet korrosivan héich resistent géint Oxidatioun. Dëst mécht et ideal fir Hallefleederapplikatiounen, déi a rauen Ëmfeld funktionéieren oder héijen Temperaturen, Fiichtegkeet oder aner korrosive Konditiounen ausgesat sinn. E vergoldete Wafer behält seng elektresch Eegeschaften a Zouverlässegkeet iwwer Zäit a bitt elaang Liewensdauerfir d'Apparater, an deenen et benotzt gëtt.
Thermesch Gestioun
Gold'sexzellent thermesch Konduktivitéitgarantéiert, datt d'Hëtzt, déi beim Betrib vun Hallefleederkomponenten entsteet, effizient ofgeleet gëtt. Dëst ass besonnesch wichteg fir Uwendungen mat héijer Leeschtung, wéi z.B.LEDs, Leeschtungselektronik, anoptoelektronesch Apparater, wou iwwerschësseg Hëtzt zu engem Apparatausfall féiere kann, wann net richteg geréiert gëtt.
Mechanesch Haltbarkeet
Goldbeschichtunge biddenmechanesche Schutzop de Wafer, wat Uewerflächeschued beim Ëmgang a bei der Veraarbechtung verhënnert. Dës zousätzlech Schutzschicht garantéiert, datt d'Waferen hir strukturell Integritéit a Zouverlässegkeet behalen, och ënner usprochsvollen Bedingungen.
Charakteristike vun der Nobeschichtung
Verbessert Uewerflächenqualitéit
D'Goldbeschichtung verbessert d'Uewerflächenglättheetvum Wafer, wat entscheedend ass firhéichpräzisUwendungen. DenUewerflächenrauheetgëtt op e puer Nanometer miniméiert, wat eng makellos Uewerfläch garantéiert, déi ideal fir Prozesser wéi z. B.Drotverbindung, Läten, anFotolithographie.
Verbessert Bindungs- a Läteigenschaften
D'Goldschicht verstäerkt d'Bindungseigenschaftenvum Wafer, wat en ideal mécht firDrotverbindunganFlip-Chip-VerbindungDëst resultéiert a sécheren an haltbaren elektresche Verbindungen anIC-VerpackunganHallefleederbaugruppen.
Korrosiounsfräi a laang haltbar
D'Goldbeschichtung garantéiert, datt de Wafer fräi vun Oxidatioun a Verschlechterung bleift, och no längerer Belaaschtung duerch haart Ëmweltbedingungen. Dëst dréit dozou bäi,laangfristeg Stabilitéitvum finale Halbleiterbauelement.
Thermesch an elektresch Stabilitéit
Goldbeschichtete Wafere suergen fir konsequentthermesch Ofleedunganelektresch Konduktivitéitwat zu enger besserer Leeschtung féiert anZouverlässegkeetvun den Apparater mat der Zäit, och bei extremen Temperaturen.
Parameteren
| Immobilie | Wäert |
| Substratmaterialien | Silizium (Si), Saphir (Al₂O₃), Siliziumkarbid (SiC) |
| Déckt vun der Goldschicht | 10nm, 50nm, 100nm, 500nm |
| Goldreinheet | 99,999%(héich Rengheet fir optimal Leeschtung) |
| Haftungsfolie | Chrom (Cr),99,98%Rengheet |
| Uewerflächenrauheet | E puer Nanometer |
| Resistenz (Si-Wafer) | 1-30 Ohm/cm |
| Wafergréissten | 2-Zoll, 4-Zoll, 6-Zoll, personaliséiert Gréissten |
| Si Wafer Déckt | 275µm, 381µm, 525µm |
| TTV | ≤20µm |
| Primär flaach (Si Wafer) | 15,9 ± 1,65 mmzu32,5 ± 2,5 mm |
Uwendungen vu vergoldete Waferen
Halbleiterverpackung
Goldbeschichtete Wafere gi wäit verbreet a benotztIC-Verpackung, wou hirelektresch Konduktivitéit, mechanesch Haltbarkeet, anthermesch OfleedungEegeschafte garantéieren zouverlässegVerbindungenanBindungan Halbleiterapparater.
LED-Produktioun
Goldbeschichtete Wafere spillen eng entscheedend RollLED-Produktioun, wou se sech verbesserenthermesch Gestiounanelektresch LeeschtungDéi gëllen Schicht garantéiert, datt d'Hëtzt, déi vun den Héichleistungs-LEDs generéiert gëtt, effizient ofgeleet gëtt, wat zu enger méi laanger Liewensdauer an enger besserer Effizienz bäidréit.
Optoelektronesch Apparater
In Optoelektronik, goldbeschichtete Wafere ginn an Apparater wéiphotodetectors, Laserdioden, anLiichtsensorenD'Goldbeschichtung suergt fir exzellentthermesch Konduktivitéitanelektresch Stabilitéit, wat eng konsequent Leeschtung an Apparater garantéiert, déi eng präzis Kontroll vu Liicht- an elektresche Signaler erfuerderen.
Leeschtungselektronik
Goldbeschichtete Wafere si wesentlech firelektronesch Apparater fir Kraaft, wou héich Effizienz a Zouverlässegkeet entscheedend sinn. Dës Wafere garantéieren stabilEnergiekonversiounanHëtztofleedungan Apparater wéi z.B.LeeschtungstransistorenanSpannungsregler.
Mikroelektronik a MEMS
In MikroelektronikanMEMS (Mikroelektromechanesch Systemer), goldbeschichtete Wafere gi benotzt fir ze kreéierenmikroelektromechanesch Komponentendéi héich Präzisioun a Haltbarkeet erfuerderen. D'Goldschicht suergt fir eng stabil elektresch Leeschtung anmechanesche Schutza sensiblen mikroelektroneschen Apparater.
Dacks gestallte Froen (Q&A)
Q1: Firwat Gold fir d'Beschichtung vu Wafere benotzen?
A1:Gold gëtt dofir benotztiwwerleeën elektresch Konduktivitéit, Korrosiounsbeständegkeet, anthermesch GestiounEegeschaften. Et garantéiertzouverlässeg Verbindungen, méi laang Liewensdauer vum Apparat, ankonsequent Leeschtungan Halbleiterapplikatiounen.
Q2: Wat sinn d'Virdeeler vun der Verwendung vu vergoldete Waferen an Halbleiterapplikatiounen?
A2:Goldbeschichtete Wafere liwwerenhéich Zouverlässegkeet, laangfristeg Stabilitéit, anbesser elektresch an thermesch LeeschtungSi verbesseren ochBindungseigenschaftena schützen géintOxidatiounanKorrosioun.
Q3: Wéi eng Déckt vun der Goldbeschichtung soll ech fir meng Uwendung wielen?
A3:Déi ideal Déckt hänkt vun Ärer spezifescher Uwendung of.10nmass gëeegent fir präzis, delikat Uwendungen, wärend50nmzu100nmBeschichtunge gi fir Apparater mat méi héijer Leeschtung benotzt.500nmkann fir schwéier Uwendungen benotzt ginn, déi méi déck Schichten erfuerderen,HaltbarkeetanHëtztofleedung.
Q4: Kënnt Dir d'Wafergréissten personaliséieren?
A4:Jo, Wafere sinn verfügbar2-Zoll, 4-Zoll, an6-ZollStandardgréissten, a mir kënnen och personaliséiert Gréissten ubidden, déi Äre spezifesche Bedierfnesser entspriechen.
Q5: Wéi verbessert d'Goldbeschichtung d'Leeschtung vum Apparat.
A5:Gold verbessert sechthermesch Ofleedung, elektresch Konduktivitéit, anKorrosiounsbeständegkeet, déi all zu enger méi effizienter anzouverlässeg Hallefleiterkomponentenmat méi laangen operationelle Liewensdauern.
Q6: Wéi verbessert den Haftfilm d'Goldbeschichtung?
A6:DenChrom (Cr)D'Haftfolie garantéiert eng staark Verbindung tëscht deGoldschichtan denSubstrat, fir Delaminatioun ze vermeiden an d'Integritéit vum Wafer während der Veraarbechtung an dem Gebrauch ze garantéieren.
Conclusioun
Eis vergoldete Silizium-, Saphir- a SiC-Wafere bidden fortgeschratt Léisunge fir Hallefleederapplikatiounen, andeems se eng iwwerleeën elektresch Leetfäegkeet, Wärmeabsorptioun a Korrosiounsbeständegkeet bidden. Dës Wafere si ideal fir Hallefleederverpackungen, LED-Fabrikatioun, Optoelektronik a méi. Mat héichreinegem Gold, personaliséierbarer Beschichtungsdicke an exzellenter mechanescher Haltbarkeet garantéieren si laangfristeg Zouverlässegkeet a konsequent Leeschtung an usprochsvollen Ëmfeld.
Detailéiert Diagramm
