Au Beschichtete Wafer, Saphir Wafer, Silicium Wafer, SiC Wafer, 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll, Gold Beschichtete Dicke 10nm 50nm 100nm
Schlëssel Fonctiounen
| Fonktioun | Beschreiwung |
| Substrat Materialien | Silizium (Si), Saphir (Al₂O₃), Siliziumkarbid (SiC) |
| Gold Beschichtung Dicke | 10 nm, 50 nm, 100 nm, 5 00nm |
| Gold Puritéit | 99,999%Rengheet fir optimal Leeschtung |
| Adhäsioun Film | Chrom (Cr), 99,98% Rengheet, suergt fir eng staark Adhäsioun |
| Uewerfläch Roughness | Verschidde nm (glat Uewerfläch Qualitéit fir Präzisioun Uwendungen) |
| Resistenz (Si Wafer) | 1-30 Ohm/cm(je no Typ) |
| Wafer Gréissten | 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, a Benotzerdefinéiert Gréissten |
| Dicke (Si Wafer) | 275 um, 381 µm, 525 um |
| TTV (Total Thickness Variation) | ≤20 µm |
| Primär Flat (Si Wafer) | 15,9 ± 1,65 mmzu32,5 ± 2,5 mm |
Firwat Goldbeschichtung wesentlech an der Semiconductor Industrie ass
Elektresch Konduktivitéit
Gold ass ee vun de beschte Materialien firelektresch Leedung. Goldbeschichtete Wafere bidden niddereg-Resistenzweeër, déi essentiell sinn fir Hallefleitgeräter déi séier a stabil elektresch Verbindunge erfuerderen. Déihéich Rengheetvu Gold suergt fir eng optimal Konduktivitéit, miniméiert Signalverloscht.
Corrosion Resistenz
Gold assnet ätzendan héich resistent géint Oxidatioun. Dëst mécht et ideal fir Hallefleitapplikatiounen déi an haarden Ëmfeld funktionnéieren oder ënner héijen Temperaturen, Feuchtigkeit oder aner korrosive Bedéngungen ënnerleien. E Gold-beschichtete Wafer wäert seng elektresch Eegeschaften an Zouverlässegkeet iwwer Zäit behalen, a bitt englaang Service Liewenfir d'Apparater an deenen et benotzt gëtt.
Thermesch Gestioun
Gold sengexcellent thermesch Konduktivitéitgarantéiert datt d'Hëtzt, déi während der Operatioun vun Halbleitergeräter generéiert gëtt, effizient entlooss gëtt. Dëst ass besonnesch wichteg fir High-Power Uwendungen wéiLEDs, Muecht elektronesch,an anoptoelektronesch Apparater, wou iwwerschësseg Hëtzt kann zu Apparat Echec féieren wann net richteg geréiert.
Mechanesch Haltbarkeet
Gold Beschichtungen biddenmechanesch Schutzop de Wafer, verhënnert Uewerflächeschued beim Ëmgank an der Veraarbechtung. Dës zousätzlech Schutzschicht garantéiert datt Wafere hir strukturell Integritéit an Zouverlässegkeet behalen, och an usprochsvollen Konditiounen.
Post-Coating Charakteristiken
Verbesserte Surface Qualitéit
D'Goldbeschichtung verbessert d'Uewerfläch glattvun der wafer, déi entscheedend ass firhéich PräzisiounUwendungen. DéiUewerfläch roughnessass op e puer Nanometer miniméiert, fir eng flawless Uewerfläch ze garantéieren ideal fir Prozesser wéi zDrot Verbindung, soldering,an anphotolithographie.
Verbesserte Bonding a Soldereigenschaften
D'Gold Layer verbessert derBindungseigenschaftenvun der wafer, mécht et ideal firDrot VerbindunganFlip-Chip Bindung. Dëst resultéiert a sécher a laang dauerhaft elektresch Verbindungen anIC Verpakungansemiconductor Versammlungen.
Korrosiounsfräi a laang dauerhaft
D'Goldbeschichtung garantéiert datt de Wafer fräi vun Oxidatioun an Degradatioun bleift, och no längerer Belaaschtung fir haart Ëmweltbedéngungen. Dëst dréit zu derlaangfristeg Stabilitéitvun der Finale semiconductor Apparat.
Thermesch an elektresch Stabilitéit
Gold-beschichtete Wafere bidden konsequentthermesch Ofbauanelektresch Konduktivitéit, féiert zu besser Leeschtung anZouverlässegkeetvun den Apparater iwwer Zäit, och an extremen Temperaturen.
Parameteren
| Immobilie | Wäert |
| Substrat Materialien | Silizium (Si), Saphir (Al₂O₃), Siliziumkarbid (SiC) |
| Gold Layer Dicke | 10 nm, 50 nm, 100 nm, 5 00nm |
| Gold Puritéit | 99,999%(héich Rengheet fir optimal Leeschtung) |
| Adhäsioun Film | Chrom (Cr),99,98%Rengheet |
| Uewerfläch Roughness | E puer Nanometer |
| Resistenz (Si Wafer) | 1-30 Ohm/cm |
| Wafer Gréissten | 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Benotzerdefinéiert Gréissten |
| Si Wafer Dicke | 275 um, 381 µm, 525 um |
| TTV | ≤20 µm |
| Primär Flat (Si Wafer) | 15,9 ± 1,65 mmzu32,5 ± 2,5 mm |
Uwendungen vun Gold-Beschichtete Wafers
Semiconductor Verpakung
Goldbeschichtete Wafere ginn extensiv benotzt anIC Verpakung, wou hirelektresch Konduktivitéit, mechanesch Haltbarkeet,an anthermesch OfbauEegeschafte garantéieren zouverlässeginterconnectsanBindungan semiconductor Apparater.
LED Fabrikatioun
Goldbeschichtete Wafere spillen eng kritesch Roll anLED Fabrikatioun, wou se verbesserenthermesch Gestiounanelektresch Leeschtung. D'Goldschicht garantéiert datt d'Hëtzt generéiert duerch High-Power LEDs effizient ofgeliwwert gëtt, bäidréit zu enger méi laanger Liewensdauer a besserer Effizienz.
Optoelektronesch Apparater
In optoelektronik, Goldbeschichtete Wafere ginn an Apparater wéiphotodetectors, Laser Dioden,an anLiicht Sensoren. D'Goldbeschichtung gëtt exzellentthermesch Konduktivitéitanelektresch Stabilitéit, garantéiert konsequent Leeschtung an Apparater déi präzis Kontroll vu Liicht an elektresch Signaler erfuerderen.
Power Electronics
Gold-beschichtete Wafere si wesentlech firMuecht elektronesch Apparater, wou héich Effizienz an Zouverlässegkeet entscheedend sinn. Dës Wafere suerge fir stabilMuecht KonversiounanHëtzt dissipationan Apparater wéiKraaft TransistorenanVolt reegler.
Mikroelektronik a MEMS
In MikroelektronikanMEMS (Micro-Electromechanical Systems), Goldbeschichtete Wafere gi benotzt fir ze kreéierenmicroelectromechanical Komponentedéi héich Präzisioun an Haltbarkeet erfuerderen. D'Gold Layer gëtt stabil elektresch Leeschtung anmechanesch Schutza sensiblen mikroelektroneschen Apparater.
Oft gestallte Froen (Q&A)
Q1: Firwat benotzt Gold fir Beschichtung Wafers?
A1:Gold gëtt fir seng benotzthéich elektresch Konduktivitéit, corrosion Resistenz,an anthermesch GestiounEegeschaften. Et garantéiertzouverlässeg interconnects, méi Liewensdauer vum Apparat,an ankonsequent Leeschtungan semiconductor Uwendungen.
Q2: Wat sinn d'Virdeeler fir Goldbeschichtete Waferen an Hallefleitapplikatiounen ze benotzen?
A2:Gold-Beschichtete wafers biddenhéich Zouverlässegkeet, laangfristeg Stabilitéit,an anbesser elektresch an thermesch Leeschtung. Si verbesseren ochBindungseigenschaftena schützen géintOxidatiounancorrosion.
Q3: Wéi eng Dicke vun der Goldbeschichtung soll ech fir meng Applikatioun wielen?
A3:Déi ideal Dicke hänkt vun Ärer spezifescher Applikatioun of.10 nmass gëeegent fir präzis, delikat Uwendungen, iwwerdeems50 nmzu100 nmBeschichtungen gi fir méi héich Kraaft Geräter benotzt.5 00nmkann fir schwéier-Pflicht Uwendungen benotzt ginn, déi décke Schichten firHaltbarkeetanHëtzt dissipation.
Q4: Kënnt Dir d'Wafergréissten personaliséieren?
A4:Jo, Wafere sinn verfügbar an2 Zoll, 4 Zoll,an an6 Zollstandardstorrelser, a mir kënnen och Mooss Gréisst fir eng treffen Är spezifesch Ufuerderunge.
Q5: Wéi verbessert d'Goldbeschichtung den Apparat Leeschtung?
A5:Gold verbessertthermesch Ofbau, elektresch Konduktivitéit,an ancorrosion Resistenz, déi all bäidroe fir méi effizient azouverlässeg semiconductor Apparatermat méi laangen operationelle Liewensdauer.
Q6: Wéi verbessert den Adhäsiounsfilm d'Goldbeschichtung?
A6:DéiChrom (Cr)Haftung Film suergt fir eng staark Verbindung tëscht demGold Layeran denSubstrat, Verhënnerung vun Delaminatioun a garantéiert d'Integritéit vum Wafer während der Veraarbechtung a vum Gebrauch.
Conclusioun
Eis Gold Beschichtete Silicon, Saphir, a SiC Wafers bidden fortgeschratt Léisunge fir Hallefleitapplikatiounen, déi super elektresch Konduktivitéit, thermesch Dissipatioun a Korrosiounsbeständegkeet ubidden. Dës Wafere sinn ideal fir Hallefleitverpackungen, LED-Fabrikatioun, Optoelektronik a méi. Mat héich Rengheet Gold, personaliséierbar Beschichtungsdicke, an exzellenter mechanescher Haltbarkeet, garantéieren se laangfristeg Zouverlässegkeet a konsequent Leeschtung an usprochsvollen Ëmfeld.
Detailléiert Diagramm
