English

As-grown Saphir Boule Ingot Kristall Ky Method

As-grown Saphir Boule Ingot Kristall Ky Method Featured Image
  • As-grown Saphir Boule Ingot Kristall Ky Method
  • As-grown Saphir Boule Ingot Kristall Ky Method
  • As-grown Saphir Boule Ingot Kristall Ky Method
  • As-grown Saphir Boule Ingot Kristall Ky Method

Kuerz Beschreiwung:

An gewuessene Saphir Bouleass e Saphir-Eenzelkristall-Barr, deen direkt aus dem Wuesstumsuewen produzéiert gëtt a virun der sekundärer Veraarbechtung wéi Orientéierung, Schneiden oder Polieren geliwwert gëtt. Et bitt aussergewéinlech Häert, chemesch Inertitéit, héich thermesch Stabilitéit a breet optesch Transparenz vun UV bis IR. Dës Eegeschafte maachen et zu engem idealen Ausgangsmaterial fir d'Downstream-Fabrikatioun a Fënsteren, Waferen/Substrater, Lënsen a Schutzhüllen. Typesch Endbenotzunge sinn LED- a Laserkomponenten, Infrarout-/sichtbar Fënsteren, verschleißbeständeg Auer- an Instrumentenzifferen, a Substrater fir RF, Sensoren an aner elektronesch Apparater. Boules ginn normalerweis no Kristallorientéierung, Duerchmiesser/Längt, Verrécklungs- oder Defektdicht, Faarfuniformitéit an Aschlëss klasséiert, mat optionalen Servicer fir Orientéierung a Schneiden no Clientspezifikatioune verfügbar.


  • :
  • :

    • Fonctiounen

    Barrenqualitéit

    Gréisst vum Bar

    Foto vum Ingot

    Detailéiert Diagramm

    Saphirbarre 11
    Saphirbarre08
    als gewuessene Saphirbarre01

    Iwwersiicht

    A Saphir Bouleass e groussen, gewuessenen Eenzelkristall aus Aluminiumoxid (Al₂O₃), deen als Upstream-Ausgangsmaterial fir Saphirwaferen, optesch Fënsteren, verschleißbeständeg Deeler a fir d'Schneiden vu Steng déngt. MatMohs 9 Härkeet, exzellent thermesch Stabilitéit(Schmëlzpunkt ~2050 °C), anBreitbandtransparenzVum UV bis zum mëttleren Infrarout ass Saphir dat Referenzmaterial, wou Haltbarkeet, Rengheet an optesch Qualitéit koexistéiere mussen.

    Mir liwweren faarflos an dotiert Saphir-Boules, déi no bewährte Wuessmethoden hiergestallt sinn, optiméiert fir ...GaN/AlGaN Epitaxie, Präzisiounsoptik, anhéichzouverlässeg industriell Komponenten.

    Firwat Saphir Boule vun eis

    • Kristallqualitéit als éischt:geréng intern Spannung, niddrege Blasen-/Striae-Gehalt, eng strikt Orientéierungskontroll fir Downstream-Slicing an Epitaxie.

    • Prozessflexibilitéit:KY/HEM/CZ/Verneuil Wuesstemsoptiounen fir Gréisst, Stress a Käschte fir Är Applikatioun auszebalancéieren.

    • Skalierbar Geometrie:zylindresch, Muertfërmeg oder Blockboule mat personaliséierte Flaacher, Som-/Ennbehandlungen a Referenzebenen.

    • Verfollegbar & widderhuelbar:Batch-Opzeechnungen, Metrologieberichter an Akzeptanzkriterien, déi op Är Spezifikatioune ofgestëmmt sinn.

    Wuesstemstechnologien

    • KY (Kyropoulos):Boules mat groussen Duerchmiesser a gerénger Belaaschtung; favoriséiert fir Epi-Grade-Waferen an Optik, wou d'Uniformitéit vun der Duebelbrechung wichteg ass.

    • HEM (Wärmetauschermethod):Excellent thermesch Gradienten a Spannungskontroll; attraktiv fir déck Optik a Premium Epi-Rohmaterial.

    • CZ (Czochralski):Staark Kontroll vun der Orientéierung a Reproduzéierbarkeet; eng gutt Wiel fir konsequent, héich Ertragsschnëtt.

    • Verneuil (Flam-Fusioun):Käschteeffizient, héijen Duerchgank; gëeegent fir allgemeng Optik, mechanesch Deeler a Virforme vu Edelsteier.

    Kristallorientéierung, Geometrie a Gréisst

    • Standard Orientéierungen: c-Ebene (0001), A-Fliger (11-20), r-Ebene (1-102), m-Ebene (10-10); personaliséiert Fligeren verfügbar.

    • Orientéierungsgenauegkeet:≤ ±0,1° duerch Laue/XRD (méi enk op Ufro).

    • Formen:zylindresch oder Muert-Typ Boules, véiereckeg/rechteckeg Blöck a Staangen.

    • Typesch Gréisst vun der Enveloppe: Ø30–220 mm, Längt 50–400 mm(méi grouss/méi kleng op Bestellung gemaach).

    • Enn-/Referenzfeatures:Saat-/Endflächebearbechtung, Referenzflaacher/Kerben a Fiduzien fir d'Ausriichtung no ënnen.

    Material & Optesch Eegeschaften

    • Zesummesetzung:Eenkristallin Al₂O₃, Rohmaterialreinheet ≥ 99,99%.

    • Dicht:~3,98 g/cm³

    • Härkeet:Mohs 9

    • Breechungsindex (589 nm): nₒ≈ 1,768,nₑ≈ 1,760 (negativ uniaxial; Δn ≈ 0,008)

    • Transmissiounsfenster: UV bis ~5 µm(ofhängeg vun Déckt an Onreinheeten)

    • Wärmeleitfäegkeet (300 K):~25 W·m⁻¹·K⁻¹

    • CTE (20–300 °C):~5–8 × 10⁻⁶ /K (orientéierungsofhängeg)

    • Young säi Modul:~345 GPa

    • Elektresch:Héich isoléierend (Volumenwiderstand typescherweis ≥ 10¹⁴ Ω·cm)

    Qualitéiten & Optiounen

    • Epitaxie-Grad:Ultra-niddreg Blasen/Streifen a miniméiert Spannungsduebelbriechen fir GaN/AlGaN MOCVD-Waferen mat héijer Ausbezuelung (2–8 Zoll a méi downstream).

    • Optesch Qualitéit:Héich intern Transmissioun an Homogenitéit fir Fënsteren, Lënsen an IR-Bléckporten.

    • Allgemeng/Mechanesch Qualitéit:Haltbar, käschteoptimiséiert Rohmaterial fir Auerglaser, Knäppercher, Verschleißdeeler a Gehäuse.

    • Dotierung/Faarf:

      • Faarflos(Standard)
        Cr:Al₂O₃(Rubin),Ti:Al₂O₃(Ti: Saphir) Präformen
        Aner Chromophoren (Fe/Ti) op ​​Ufro

    Uwendungen

    Hallefleeder: Substrater fir GaN LEDs, Mikro-LEDs, Power HEMTs, HF-Apparater (Saphir-Wafer-Rohmaterial).

    Optik & Photonik: Héichtemperatur-/Drockfënsteren, IR-Bléckfensteren, Laserhöhlfenster, Detektorofdeckungen.

    Konsument & Wearables: Auerkristaller, Kameralënsofdeckungen, Fangerofdrocksensorofdeckungen, Premium-Exterieurdeeler.

    Industrie & Loftfaart: Düsen, Ventilsëtzer, Dichtungsréng, Schutzfënsteren an Observatiounsöffnungen.

    Laser-/Kristallwuesstem: Ti:Saphir- a Rubin-Wirtsstätten aus dotiéierte Boules.

    Iwwerbléckdaten (Typesch, als Referenz)

    Parameter Wäert (Typesch)
    Kompositioun Eenkristallin Al₂O₃ (≥ 99,99% Rengheet)
    Orientéierung c / a / r / m (op Ufro personaliséiert)
    Index @ 589 nm nₒ≈ 1,768,nₑ≈ 1.760
    Transmissiounsreechwäit ~0,2–5 µm (ofhängeg vun der Déckt)
    Wärmeleitfäegkeet ~25 W·m⁻¹·K⁻¹ (300 K)
    CTE (20–300 °C) ~5–8 × 10⁻⁶/K
    Young säi Modul ~345 GPa
    Dicht ~3,98 g/cm³
    Häert Mohs 9
    Elektresch Isoléierend; Volumenwiderstand ≥ 10¹⁴ Ω·cm

     

    Prozess vun der Produktioun vu Saphirwaferen

    1. Kristallwuesstum
      Héichreine Aluminiumoxid (Al₂O₃) gëtt geschmolz a mat Hëllef vun der ... zu engem eenzege Saphirkristallbarre verwandelt.Kyropoulos (KY) or Czochralski (Tschechesch Republik)Method.

    2. Veraarbechtung vu Baren
      De Barren gëtt op eng Standardform gefräst - schneiden, Duerchmiesserformung an Endflächeveraarbechtung.

    3. Schneiden
      De Saphirbarre gëtt mat engem a dënn Wafere geschniddenDiamant-Drotsäge.

    4. Duebelsäiteg Lappen
      Béid Säite vum Wafer ginn iwwerlappt fir Sägemarken ze entfernen an eng eenheetlech Déckt z'erreechen.

    5. Glühen
      D'Wafel gi waarmbehandelt, firinternen Stress lassginna verbesseren d'Kristallqualitéit an d'Transparenz.

    6. Kantenschleifen
      D'Kante vun de Wafer sinn ofgeschrägt, fir datt se net bei der weiderer Veraarbechtung ofbriechen a Rëss kréien.

    7. Montage
      Wafere ginn op Träger oder Halter fir präzis Poléieren an Inspektioun montéiert.

    8. DMP (Duebelsäiteg mechanesch Poléieren)
      D'Waferoberflächen ginn mechanesch poléiert fir d'Uewerflächenglättung ze verbesseren.

    9. CMP (Chemesch Mechanesch Poléieren)
      E feine Polierschritt, deen chemesch a mechanesch Aktiounen kombinéiert, fir espigelfërmeg Uewerfläch.

    10. Visuell Inspektioun
      Bedreiwer oder automatiséiert Systemer kontrolléieren op siichtbar Uewerflächendefekter.

    11. Flaachheetsinspektioun
      Flaachheet an Décktuniformitéit gi gemooss fir d'Dimensiounspräzisioun ze garantéieren.

    12. RCA-Botzen
      Standard chemesch Reinigung läscht organesch, metallesch a partikelfërmeg Kontaminanten.

    13. Schrubbereinigung
      Mechanesch Schrubbung läscht verbleiwen mikroskopesch Partikelen.

    14. Inspektioun vu Uewerflächendefekter
      Automatiséiert optesch Inspektioun erkennt Mikrodefekter wéi Kratzer, Lächer oder Kontaminatioun.

     

    1. Kristallwuesstum
      Héichreine Aluminiumoxid (Al₂O₃) gëtt geschmolz a mat Hëllef vun der ... zu engem eenzege Saphirkristallbarre verwandelt.Kyropoulos (KY) or Czochralski (Tschechesch Republik)Method.

    2. Veraarbechtung vu Baren
      De Barren gëtt op eng Standardform gefräst - schneiden, Duerchmiesserformung an Endflächeveraarbechtung.

    3. Schneiden
      De Saphirbarre gëtt mat engem a dënn Wafere geschniddenDiamant-Drotsäge.

    4. Duebelsäiteg Lappen
      Béid Säite vum Wafer ginn iwwerlappt fir Sägemarken ze entfernen an eng eenheetlech Déckt z'erreechen.

    5. Glühen
      D'Wafel gi waarmbehandelt, firinternen Stress lassginna verbesseren d'Kristallqualitéit an d'Transparenz.

    6. Kantenschleifen
      D'Kante vun de Wafer sinn ofgeschrägt, fir datt se net bei der weiderer Veraarbechtung ofbriechen a Rëss kréien.

    7. Montage
      Wafere ginn op Träger oder Halter fir präzis Poléieren an Inspektioun montéiert.

    8. DMP (Duebelsäiteg mechanesch Poléieren)
      D'Waferoberflächen ginn mechanesch poléiert fir d'Uewerflächenglättung ze verbesseren.

    9. CMP (Chemesch Mechanesch Poléieren)
      E feine Polierschritt, deen chemesch a mechanesch Aktiounen kombinéiert, fir espigelfërmeg Uewerfläch.

    10. Visuell Inspektioun
      Bedreiwer oder automatiséiert Systemer kontrolléieren op siichtbar Uewerflächendefekter.

    11. Flaachheetsinspektioun
      Flaachheet an Décktuniformitéit gi gemooss fir d'Dimensiounspräzisioun ze garantéieren.

    12. RCA-Botzen
      Standard chemesch Reinigung läscht organesch, metallesch a partikelfërmeg Kontaminanten.

    13. Schrubbereinigung
      Mechanesch Schrubbung läscht verbleiwen mikroskopesch Partikelen.

    14. Inspektioun vu Uewerflächendefekter
      Automatiséiert optesch Inspektioun erkennt Mikrodefekter wéi Kratzer, Lächer oder Kontaminatioun.

    Saphir Boule (Eenkristall Al₂O₃) — FAQ

    Q1: Wat ass e Saphir-Boule?
    A: En nei gewuessenen Eenzelkristall aus Aluminiumoxid (Al₂O₃). Et ass den Upstream-"Barr", deen benotzt gëtt fir Saphirwaferen, optesch Fënsteren a Komponenten mat héijem Verschleiss ze maachen.

    Q2: Wéi hänkt e Boule mat Waferen oder Fënsteren zesummen?
    A: De Boule gëtt orientéiert → geschnidden → iwwerlappt → poléiert fir epigrade Waferen oder optesch/mechanesch Deeler ze produzéieren. D'Uniformitéit vum Quellboule beaflosst d'Ofwäertsproduktioun staark.

    Q3: Wéi eng Wuessmethoden gëtt et a wéi ënnerscheede se sech?
    A: KY (Kyropoulos)anHEMgrouss Ertrag,niddereg-StressBoules - bevorzugt fir Epitaxie an High-End-Optik.CZ (Czochralski)bitt exzellentOrientéierungskontrolla Konsistenz vu Lot zu Lot.Verneuil (Flammfusioun) is käschteeffizientfir allgemeng Optik a Edelsteen-Preformen.

    Q4: Wéi eng Orientéierunge liwwert Dir? Wéi eng Genauegkeet ass typesch?
    A: c-Fläch (0001), a-Fläch (11-20), r-Fläch (1-102), m-Fläch (10-10), an Douane. Orientéierungsgenauegkeet typesch≤ ±0,1°verifizéiert vu Laue/XRD (méi enk op Ufro).

  • Virdrun:
  • Weider:

    • Optesch Kristaller mat verantwortungsvoller interner Offallentsuergung

    All eis Saphir-Boules gi produzéiert nooptesch Qualitéit, wat eng héich Transmissioun, eng dicht Homogenitéit a geréng Inklusiouns-/Blasen- an Dislokatiounsdicht fir usprochsvoll Optik an Elektronik garantéiert. Mir kontrolléieren d'Kristallorientéierung an d'Duerchbriechenung vum Som bis zum Boule, mat voller Charge-Traçabilitéit a Konsistenz iwwer all Lafzäiten. Dimensiounen, Orientéierungen (c-, a-, r-Fläch) an Toleranzen kënnen op Är Downstream-Schneid-/Poléierbedürfnisser personaliséiert ginn.
    Wichteg ass, datt all Material, dat net der Spezifikatioun entsprécht,komplett intern veraarbechtduerch e zouenen Aarbechtslaf - sortéiert, recycléiert an verantwortungsvoll entsuergt - sou datt Dir zouverlässeg Qualitéit kritt ouni Handhabungs- oder Konformitéitsbelaaschtungen. Dësen Usaz reduzéiert Risiken, verkierzt d'Liwwerzäiten an ënnerstëtzt Är Nohaltegkeetsziler.

    Gewiichtsband vun Ingots (kg) 2″ 4″ 6″ 8″ 12″ Notizen
    10–30 Gëeegent Gëeegent Limitéiert/méiglech Net typesch Net benotzt Klengformat Schneiden; 6″ hänkt vum brauchbaren Duerchmiesser/Längt of.
    30–80 Gëeegent Gëeegent Gëeegent Limitéiert/méiglech Net typesch Breet Notzungsgebitt; heiansdo 8″ Pilotparzellen.
    80–150 Gëeegent Gëeegent Gëeegent Gëeegent Net typesch Gudde Gläichgewiicht fir eng Produktioun vu 6–8 Zoll.
    150–250 Gëeegent Gëeegent Gëeegent Gëeegent Limitéiert/Fuerschung an Entwécklung Ënnerstëtzt initial 12″ Tester mat enken Spezifikatiounen.
    250–300 Gëeegent Gëeegent Gëeegent Gëeegent Limitéiert/enk spezifizéiert Groussvolumen 8″; selektiv 12″ Läif.
    >300 Gëeegent Gëeegent Gëeegent Gëeegent Gëeegent Grenzflächlech; 12″ machbar mat strikter Uniformitéits-/Ausbeutungskontroll.

     

    barre

    Verwandte Produkter

    Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis
    Dréckt Enter fir ze sichen oder ESC fir zouzemaachen