AlN-on-NPSS Wafer: High-Performance Aluminium Nitride Layer op net poléiert Saphir Substrat fir Héichtemperatur, High-Power, a RF Uwendungen
Fonctiounen
High-Performance AlN Layer: Aluminiumnitrid (AlN) ass bekannt fir senghéich thermesch Konduktivitéit(~200 W/m·K),breet Bandgap,an anhéich Decompte Spannung, mécht et en idealt Material firhéich-Muecht, héich Frequenz,an anhéich TemperaturUwendungen.
Non-Polished Saphir Substrat (NPSS): Déi net poléiert Saphir bitt engKäschten-effikass, mechanesch robustBasis, garantéiert e stabile Fundament fir epitaxial Wuesstum ouni d'Komplexitéit vum Uewerflächepoléieren. Déi exzellent mechanesch Eegeschafte vum NPSS maachen et haltbar fir usprochsvollen Ëmfeld.
Héich thermesch Stabilitéit: D'AlN-on-NPSS Wafer kann extrem Temperaturschwankunge widderstoen, sou datt et gëeegent ass fir ze benotzen anMuecht elektronesch, automobile Systemer, LEDs,an anoptesch Uwendungendéi stabil Leeschtung bei héijen Temperaturen erfuerderen.
Elektresch Isolatioun: AlN huet excellent elektresch isoléierend Eegeschafte, mécht et perfekt fir Uwendungen wouelektresch Isolatiounass kritesch, dorënnerRF ApparateranMikrowellenelektronik.
Superior Wärmevergëftung: Mat enger héijer thermescher Konduktivitéit garantéiert d'AlN-Schicht eng effektiv Wärmevergëftung, wat essentiell ass fir d'Performance an d'Längegkeet vun Apparater, déi ënner héijer Kraaft a Frequenz operéieren.
Technesch Parameteren
| Parameter | Spezifizéierung |
| Wafer Duerchmiesser | 2-Zoll, 4-Zoll (personaliséiert Gréissten verfügbar) |
| Substrat Typ | Non-Polished Saphir Substrat (NPSS) |
| AlN Layer Dicke | 2µm bis 10µm (personaliséierbar) |
| Substrat Dicke | 430µm ± 25µm (fir 2-Zoll), 500µm ± 25µm (fir 4-Zoll) |
| Thermesch Konduktivitéit | 200 W/m·K |
| Elektresch Resistivitéit | Héich Isolatioun, gëeegent fir RF Uwendungen |
| Uewerfläch Roughness | Ra ≤ 0,5 µm (fir AlN Layer) |
| Material Rengheet | Héich Rengheet AlN (99,9%) |
| Faarf | Wäiss / Off-White (AlN Schicht mat hellfaarwege NPSS Substrat) |
| Wafer Warp | <30µm (typesch) |
| Doping Typ | Un-dotéiert (kann personaliséiert ginn) |
Uwendungen
DéiAlN-op-NPSS waferass fir eng grouss Varietéit vun héich-Performance Uwendungen entworf a verschiddene Industrien:
High-Power Electronics: D'AlN Schicht héich thermesch Konduktivitéit an isoléierend Eegeschafte maachen et en idealt Material firKraaft Transistoren, rectifiers,an anMuecht ICsbenotzt anautomobile, industriell,an anerneierbar EnergienSystemer.
Radio-Frequenz (RF) Komponente: Déi exzellent elektresch isoléierend Eegeschafte vun AlN, gekoppelt mat sengem nidderegen Verloscht, erméiglecht d'Produktioun vunRF Transistoren, HEMTs (High-Electron-Mobility Transistors), an anerMikrowelle Komponentendéi effizient op héije Frequenzen a Kraaftniveauen funktionnéieren.
Optesch Apparater: AlN-op-NPSS Wafere ginn anLaser Dioden, LEDs,an anphotodetectors, wou dehéich thermesch Konduktivitéitanmechanesch Robustheetsi wesentlech fir d'Performance iwwer verlängert Liewensdauer z'erhalen.
Héich Temperatur Sensoren: D'Kapazitéit vum Wafer fir extrem Hëtzt ze widderstoen mécht et gëeegent firTemperatursensorenanËmwelt Iwwerwachungan Industrien wéiLoftfaart, automobile,an anUeleg & Gas.
Semiconductor Verpakung: Benotzt an Hëtzt spreadersanthermesch Gestioun Schichtena Verpackungssystemer, fir d'Zouverlässegkeet an d'Effizienz vun de Hallefleit ze garantéieren.
Q&A
Q: Wat ass den Haaptvirdeel vun AlN-op-NPSS Wafere iwwer traditionell Materialien wéi Silizium?
A: Den Haaptvirdeel ass AlN'shéich thermesch Konduktivitéit, wat et erlaabt effizient d'Hëtzt ze verdeelen, sou datt et ideal ass firhéich-Muechtanhéich-Frequenz Uwendungenwou Hëtzt Gestioun kritesch ass. Zousätzlech huet AlN engbreet Bandgapan excellentelektresch Isolatioun, mécht et super fir ze benotzen anRFanMikrowellengeräteram Verglach zum traditionelle Silizium.
Q: Kann d'AlN Schicht op NPSS Wafere personaliséiert ginn?
A: Jo, d'AlN-Schicht kann a punkto Dicke personaliséiert ginn (rangéiert vun 2µm bis 10µm oder méi) fir de spezifesche Bedierfnesser vun Ärer Applikatioun ze treffen. Mir bidden och Personnalisatioun a punkto Doping-Typ (N-Typ oder P-Typ) an zousätzlech Schichten fir spezialiséiert Funktiounen.
Q: Wat ass déi typesch Applikatioun fir dës Wafer an der Automobilindustrie?
A: An der Automobilindustrie ginn AlN-on-NPSS Wafere allgemeng benotztMuecht elektronesch, LED Beliichtung Systemer,an anTemperatursensoren. Si bidden eng super thermesch Gestioun an elektresch Isolatioun, wat essentiell ass fir héicheffizient Systemer déi ënner variabelen Temperaturbedéngungen funktionnéieren.
Detailléiert Diagramm
