AlN-op-NPSS-Wafer: Héichleistungs-Aluminiumnitridschicht op net-poléiertem Saphirsubstrat fir Héichtemperatur-, Héichleistungs- an RF-Uwendungen

Kuerz Beschreiwung:

Den AlN-op-NPSS-Wafer kombinéiert eng héichperformant Aluminiumnitrid (AlN)-Schicht mat engem net-poléierte Saphirsubstrat (NPSS) fir eng ideal Léisung fir Héichtemperatur-, Héichleistungs- a Radiofrequenz- (RF)-Applikatiounen ze bidden. Déi eenzegaarteg Kombinatioun vun der aussergewéinlecher thermescher Leetfäegkeet an den elektreschen Eegeschafte vum AlN, zesumme mat der exzellenter mechanescher Stäerkt vum Substrat, mécht dëse Wafer zu enger bevorzugter Wiel fir usprochsvoll Applikatiounen wéi Leeschtungselektronik, Héichfrequenzapparater an optesch Komponenten. Mat exzellenter Wärmeofleedung, niddrege Verloschter a Kompatibilitéit mat Héichtemperaturëmfeld erméiglecht dëse Wafer d'Entwécklung vun Apparater vun der nächster Generatioun mat iwwerleeëner Leeschtung.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Héichleistungs-AlN-SchichtAluminiumnitrid (AlN) ass bekannt fir senghéich thermesch Konduktivitéit(~200 W/m·K),breet Bandlück, anhéich Duerchbrochspannung, wat et zu engem ideale Material mécht firhéich Leeschtung, héichfrequenz, anhéich TemperaturUwendungen.

Net-poléiert Saphir-Substrat (NPSS)Den net poléierte Saphir suergt fir ekäschtegënschteg, mechanesch robustBasis, wat eng stabil Basis fir epitaktesch Wuesstem ouni d'Komplexitéit vun der Uewerflächenpoléierung garantéiert. Déi exzellent mechanesch Eegeschafte vum NPSS maachen et haltbar fir usprochsvoll Ëmfeld.

Héich thermesch StabilitéitDen AlN-op-NPSS-Wafer kann extremen Temperaturschwankungen aushalen, wouduerch en gëeegent ass fir den Asaz anLeeschtungselektronik, Automobilsystemer, LEDs, anoptesch Uwendungendéi eng stabil Leeschtung bei héijen Temperaturen erfuerderen.

Elektresch IsolatiounAlN huet exzellent elektresch isoléierend Eegeschaften, wat et perfekt mécht fir Uwendungen wouelektresch Isolatiounass kritesch, dorënnerRF-GeräteranMikrowellenelektronik.

Iwwerleeën HëtztofleedungMat enger héijer Wärmeleitfäegkeet garantéiert d'AlN-Schicht eng effektiv Wärmeofleedung, wat essentiell ass fir d'Leeschtung an d'Liewensdauer vun Apparater ze erhalen, déi mat héijer Leeschtung a Frequenz funktionéieren.

Technesch Parameteren

Parameter	Spezifikatioun
Waferduerchmiesser	2-Zoll, 4-Zoll (personaliséiert Gréissten verfügbar)
Substrattyp	Net-poléiert Saphir-Substrat (NPSS)
AlN-Schichtdicke	2µm bis 10µm (personaliséierbar)
Substratdicke	430µm ± 25µm (fir 2-Zoll), 500µm ± 25µm (fir 4-Zoll)
Wärmeleitfäegkeet	200 W/m·K
Elektresch Widderstand	Héich Isolatioun, gëeegent fir RF-Uwendungen
Uewerflächenrauheet	Ra ≤ 0,5µm (fir AlN-Schicht)
Materialreinheet	Héichreinheets-AlN (99,9%)
Faarf	Wäiss/Off-wäiss (AlN-Schicht mat hellfaarwegem NPSS-Substrat)
Wafer-Ketten	< 30µm (typesch)
Dopingtyp	Net dotiert (kann personaliséiert ginn)

Uwendungen

DenAlN-op-NPSS-Waferass fir eng breet Palette vun héichperformanten Uwendungen a verschiddene Branchen entwéckelt:

HéichleistungselektronikDéi héich Wärmeleitfäegkeet an Isolatiounseigenschaften vun der AlN-Schicht maachen se zu engem ideale Material firLeeschtungstransistoren, Gläichrichter, anStroumversuergungs-ICsbenotzt anAutomobilindustrie, industriell, anerneierbar EnergieSystemer.

Radiofrequenzkomponenten (RF)Déi exzellent elektresch isoléierend Eegeschafte vun AlN, zesumme mat sengem niddrege Verloscht, erméiglechen d'Produktioun vunHF-Transistoren, HEMTs (Transistoren mat héijer Elektronemobilitéit), an anerMikrowellenkomponentendéi effizient bei héije Frequenzen a Leeschtungsniveauen funktionéieren.

Optesch ApparaterAlN-op-NPSS-Wafere ginn agesatLaserdioden, LEDs, anphotodetectors, wou denhéich thermesch Konduktivitéitanmechanesch Robustheetsinn essentiell fir d'Leeschtung iwwer eng verlängert Liewensdauer z'erhalen.

HéichtemperatursensorenD'Fäegkeet vum Wafer, extremer Hëtzt auszehalen, mécht en gëeegent firTemperatursensorenanËmweltiwwerwaachungan Industrien ewéiLoftfaart, Automobilindustrie, anUeleg & Gas.

HalbleiterverpackungBenotzt an HëtztverbreederanSchichten vun der thermescher Gestiouna Verpackungssystemer, fir d'Zouverlässegkeet an d'Effizienz vun Halbleiter ze garantéieren.

Froen an Äntwerten

Q: Wat ass den Haaptvirdeel vun AlN-op-NPSS-Waferen am Verglach mat traditionelle Materialien wéi Silizium?

A: Den Haaptvirdeel ass den AlNhéich thermesch Konduktivitéit, wat et erlaabt, d'Hëtzt effizient ofzebauen, wat et ideal mécht firhéich LeeschtunganHéichfrequenzapplikatiounenwou d'Hëtztmanagement entscheedend ass. Zousätzlech huet AlN ebreet Bandlückan exzellentelektresch Isolatioun, wat et super mécht fir ze benotzen anRFanMikrowellenapparateram Verglach mat traditionellem Silizium.

Q: Kann d'AlN-Schicht op NPSS-Waferen personaliséiert ginn?

A: Jo, d'AlN-Schicht kann a punkto Déckt (vun 2µm bis 10µm oder méi) personaliséiert ginn, fir de spezifesche Bedierfnesser vun Ärer Uwendung gerecht ze ginn. Mir bidden och Upassung a punkto Dotierungsart (N-Typ oder P-Typ) a weider Schichten fir spezialiséiert Funktiounen.

Q: Wat ass déi typesch Uwendung fir dëse Wafer an der Automobilindustrie?

A: An der Automobilindustrie ginn AlN-op-NPSS-Waferen dacks benotzt anLeeschtungselektronik, LED Beliichtungssystemer, anTemperatursensorenSi bidden eng iwwerleeën Wärmemanagement an elektresch Isolatioun, wat essentiell fir héicheffizient Systemer ass, déi ënner variéierende Temperaturbedingungen funktionéieren.