AlN op FSS 2 Zoll 4 Zoll NPSS/FSS AlN Schabloun fir Hallefleitberäich

Kuerz Beschreiwung:

D'AlN op FSS (Flexible Substrat) Wafere bidden eng eenzegaarteg Kombinatioun vun der aussergewéinlecher thermescher Konduktivitéit, der mechanescher Kraaft an der elektrescher Isolatiounseigenschaften vun Aluminiumnitrid (AlN), gepaart mat der Flexibilitéit vun engem High-Performance-Substrat. Dës 2-Zoll a 4-Zoll Wafere si speziell fir fortgeschratt Hallefleitapplikatiounen entworf, besonnesch wou thermesch Gestioun an Apparat Flexibilitéit kritesch sinn. Mat der Optioun vun NPSS (Non-Polished Substrate) an FSS (Flexible Substrate) als Basis, sinn dës AlN Templates ideal fir Uwendungen a Kraaftelektronik, RF Apparater, a flexibel elektronesch Systemer, wou héich thermesch Konduktivitéit a flexibel Integratioun Schlëssel sinn fir d'Apparatleistung an Zouverlässegkeet ze verbesseren.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Eegeschaften

Material Zesummesetzung:
Aluminiumnitrid (AlN) - Wäiss, héich performant Keramikschicht déi exzellent thermesch Konduktivitéit ubitt (typesch 200-300 W / m · K), gutt elektresch Isolatioun, an héich mechanesch Kraaft.
Flexibel Substrat (FSS) - Flexibel Polymerfilmer (wéi Polyimid, PET, etc.) Bitt Haltbarkeet a Béibarkeet ouni d'Funktionalitéit vun der AlN Schicht ze kompromittéieren.

Wafer Gréissten verfügbar:
2 Zoll (50,8 mm)
4 Zoll (100 mm)

Dicke:
AlN Layer: 100-2000nm
FSS Substrat Dicke: 50µm-500µm (personaliséierbar baséiert op Ufuerderungen)

Surface Finish Optiounen:
NPSS (Non-Polished Substrate) - Onpoléiert Substratoberfläche, gëeegent fir bestëmmten Uwendungen déi méi rau Uewerflächeprofile fir besser Adhäsioun oder Integratioun erfuerderen.
FSS (Flexible Substrat) - Politéiert oder onpoléiert flexibel Film, mat der Optioun fir glat oder texturéiert Flächen, ofhängeg vun de spezifesche Applikatiounsbedürfnisser.

Elektresch Eegeschaften:
Isoléierend - AlN's elektresch Isoléiereigenschaften maachen et ideal fir Héichspannungs- a Kraaft-Hallefuederapplikatiounen.
Dielektresch Konstant: ~9.5
Thermesch Konduktivitéit: 200-300 W/m·K (je no spezifeschen AlN Grad an Dicke)

Mechanesch Eegeschaften:
Flexibilitéit: AlN gëtt op e flexiblen Substrat (FSS) deposéiert, wat Biegen a Flexibilitéit erlaabt.
Surface Hardness: AlN ass héich haltbar a widderstoen kierperleche Schued ënner normalen Operatiounsbedingungen.

Uwendungen

High-Power Apparater: Ideal fir Kraaftelektronik, déi héich thermesch Dissipatioun erfuerdert, wéi Kraaftkonverter, RF Verstärker, a High-Power LED Moduler.

RF a Mikrowelle Komponenten: Gëeegent fir Komponenten wéi Antennen, Filteren a Resonatoren, wou souwuel thermesch Konduktivitéit wéi och mechanesch Flexibilitéit gebraucht ginn.

Flexibel Elektronik: Perfekt fir Uwendungen wou Apparater mussen un net-planar Flächen konform sinn oder e liichte, flexibelen Design erfuerderen (zB wearables, flexibel Sensoren).

Semiconductor Verpakung: Benotzt als Substrat an Hallefleitverpackungen, bitt thermesch Ofdreiwung an Uwendungen déi héich Hëtzt generéieren.

LEDs an Optoelektronik: Fir Apparater déi héich Temperatur Operatioun mat robust Hëtzt dissipation verlaangen.

Parameter Dësch

Immobilie	Wäert oder Range
Wafer Gréisst	2 Zoll (50,8 mm), 4 Zoll (100 mm)
AlN Layer Dicke	100 nm - 2000 nm
FSS Substrat Dicke	50µm – 500µm (personaliséierbar)
Thermesch Konduktivitéit	200 – 300 W/m·K
Elektresch Eegeschafte	Isoléierend (Dielektresch Konstant: ~9.5)
Uewerfläch Finish	Poléiert oder ongepoléiert
Substrat Typ	NPSS (Non-Polished Substrat), FSS (Flexible Substrat)
Mechanesch Flexibilitéit	Héich Flexibilitéit, ideal fir flexibel Elektronik
Faarf	Wäiss bis Off-White (ofhängeg vum Substrat)

Uwendungen

● Power Electronics:D'Kombinatioun vun héijer thermescher Konduktivitéit a Flexibilitéit mécht dës Wafere perfekt fir Kraaftapparater wéi Kraaftkonverter, Transistoren a Spannungsreegler déi effizient Wärmevergëftung erfuerderen.
● RF / Mikrowellengeräter:Wéinst dem AlN seng super thermesch Eegeschaften an déi geréng elektresch Konduktivitéit, ginn dës Wafere a RF Komponenten wéi Verstäerker, Oszilléierer, an Antennen benotzt.
● Flexibel Elektronik:D'Flexibilitéit vun der FSS Schicht kombinéiert mat der exzellenter thermescher Gestioun vun AlN mécht et eng ideal Wiel fir wearable Elektronik a Sensoren.
● Semiconductor Verpakung:Benotzt fir High-Performance Hallefleitverpackungen, wou effektiv thermesch Dissipatioun an Zouverlässegkeet kritesch sinn.
●LED & Optoelektronesch Uwendungen:Aluminiumnitrid ass en exzellent Material fir LED Verpackungen an aner optoelektronesch Geräter déi héich Hëtztbeständegkeet erfuerderen.

Q&A (Frequently Asked Questions)

Q1: Wat sinn d'Virdeeler fir AlN op FSS Wafers ze benotzen?

A1: AlN op FSS Wafere kombinéieren déi héich thermesch Konduktivitéit an elektresch Isolatiounseigenschaften vun AlN mat der mechanescher Flexibilitéit vun engem Polymer Substrat. Dëst erméiglecht eng verbessert Wärmevergëftung a flexibelen elektronesche Systemer wärend d'Integritéit vum Apparat ënner Béie- a Stretchbedéngungen behalen.

Q2: Wéi eng Gréisste si fir AlN op FSS Wafere verfügbar?

A2: Mir bidden2 Zollan4 Zollwafer Gréissten. Benotzerdefinéiert Gréisste kënnen op Ufro diskutéiert ginn fir Är spezifesch Applikatiounsbedürfnisser ze treffen.

Q3: Kann ech d'Dicke vun der AlN Schicht personaliséieren?

A3: Jo, denAlN Schichtdickekann personaliséiert ginn, mat typesch Gamme vu100nm bis 2000nmofhängeg vun Ärer Applikatioun Ufuerderunge.