8 Zoll SiC Produktiounsgrad wafer 4H-N SiC Substrat

8inch SiC Production Grad wafer 4H-N SiC Substrat Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

8-Zoll SiC-Substrate ginn an héich-Muecht elektronesch Geräter benotzt, wéi Power MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), Schottky-Dioden an aner Kraaft-Halbleiter-Geräter.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Déi folgend Tabell weist d'Spezifikatioune vun eise 8inch SiC Wafers:

8 Zoll N-Typ SiC DSP Spezifikatioune
Zuel	Artikel	Eenheet	Produktioun	Fuerschung	Dummy
1:parameter
1.1	polytype	--	4H	4H	4H
1.2	Uewerfläch Orientatioun	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2: Elektresch Parameter
2.1	dotéiert	--	n-Typ Stickstoff	n-Typ Stickstoff	n-Typ Stickstoff
2.2	Resistivitéit	ohm ·cm	0.015~0.025	0,01~0,03	NA
3: Mechanesch Parameter
3.1	Duerchmiesser	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	deck	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Notch Orientatioun	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Notch Déift	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Boun	μm	-25-25	-45-45	-65-65
3.8	Warp	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4: Struktur
4.1	micropipe Dicht	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	Metal Inhalt	Atomer/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5.Front Qualitéit
5.1	virun	--	Si	Si	Si
5.2	Uewerfläch fäerdeg	--	Si-Gesiicht CMP	Si-Gesiicht CMP	Si-Gesiicht CMP
5.3	Partikel	ea / wafer	≤100 (Gréisst ≥0.3μm)	NA	NA
5.4	kraazt	ea / wafer	≤5, Gesamtlängt≤200 mm	NA	NA
5.5	Rand Chips / Intens / Rëss / Flecken / Kontaminatioun	--	Keen	Keen	NA
5.6	Polytype Beräicher	--	Keen	Beräich ≤10%	Beräich ≤30%
5.7	virun Marquage	--	Keen	Keen	Keen
6: Réck Qualitéit
6.1	zréck fäerdeg	--	C-Gesiicht MP	C-Gesiicht MP	C-Gesiicht MP
6.2	kraazt	mm	NA	NA	NA
6.3	Réck Mängel Rand Chips / Intens	--	Keen	Keen	NA
6.4	Réck roughness	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Réckmarkéierung	--	Notch	Notch	Notch
7 :ekt
7.1	rand	--	Chamfer	Chamfer	Chamfer
8: Pak
8.1	Verpakung	--	Epi-prett mat Vakuum Verpakung	Epi-prett mat Vakuum Verpakung	Epi-prett mat Vakuum Verpakung
8.2	Verpakung	--	Multi-wafer Kassettverpackung	Multi-wafer Kassettverpackung	Multi-wafer Kassettverpackung