8 Zoll SiC Produktiounsqualitéit Wafer 4H-N SiC Substrat
Déi folgend Tabelle weist d'Spezifikatioune vun eisen 8 Zoll SiC-Waferen:
| 8 Zoll N-Typ SiC DSP Spezifikatiounen | |||||
| Zuel | Artikel | Eenheet | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| 1: Parameteren | |||||
| 1.1 | Polytyp | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | Uewerflächenorientéierung | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2: Elektresche Parameter | |||||
| 2.1 | Dotiermëttel | -- | n-Typ Stéckstoff | n-Typ Stéckstoff | n-Typ Stéckstoff |
| 2.2 | Widderstand | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3: Mechanesche Parameter | |||||
| 3.1 | Duerchmiesser | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | Déckt | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Notch Orientéierung | ° | [1-100]±5 | [1-100]±5 | [1-100]±5 |
| 3.4 | Kerbdéift | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Béi | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Ketten | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4: Struktur | |||||
| 4.1 | Mikropäifdicht | ea/cm² | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | Metallgehalt | Atomer/cm² | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm² | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm² | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm² | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Qualitéit vun der Front | |||||
| 5.1 | vir | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | Uewerflächenfinish | -- | Si-Face CMP | Si-Face CMP | Si-Face CMP |
| 5.3 | Partikel | ea/Waffel | ≤100 (Gréisst ≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | krazen | ea/Waffel | ≤5, Gesamtlängt ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Rand Abschnitzen/Verdéiwungen/Rëss/Flecken/Kontaminatioun | -- | Keen | Keen | NA |
| 5.6 | Polytyp-Gebidder | -- | Keen | Fläch ≤10% | Fläch ≤30% |
| 5.7 | Frontmarkéierung | -- | Keen | Keen | Keen |
| 6: Réckqualitéit | |||||
| 6.1 | Réckfinish | -- | C-Face MP | C-Face MP | C-Face MP |
| 6.2 | krazen | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Réckdefekter um Rand Stécker/Verdéiwungen | -- | Keen | Keen | NA |
| 6.4 | Réckrauheet | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Réckmarkéierung | -- | Kerb | Kerb | Kerb |
| 7: Rand | |||||
| 7.1 | Rand | -- | Fase | Fase | Fase |
| 8: Pak | |||||
| 8.1 | Verpackung | -- | Epi-ready mat Vakuum Verpackung | Epi-ready mat Vakuum Verpackung | Epi-ready mat Vakuum Verpackung |
| 8.2 | Verpackung | -- | Multi-Wafer Kassettenverpackung | Multi-Wafer Kassettenverpackung | Multi-Wafer Kassettenverpackung |
Detailéiert Diagramm
Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis