8 Zoll 200 mm 4H-N SiC Wafer Conductive Dummy Fuerschung Grad

8 Zoll 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive Dummy Fuerschungsgrad Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Wéi den Transport, d'Energie an d'Industrie Mäert entwéckelen, geet d'Nofro fir zouverlässeg, héich performant Kraaftelektronik weider wuessen. Fir d'Bedierfnesser fir eng verbessert Halbleiterleistung z'erreechen, sichen Apparathersteller no breet Bandgap Halbleitermaterialien, sou wéi eise 4H SiC Prime Grade Portfolio vu 4H n-Typ Siliziumcarbid (SiC) Wafere.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Duerch seng eenzegaarteg physesch an elektronesch Eegeschafte gëtt 200mm SiC Wafer Hallefleitmaterial benotzt fir héich performant, héich Temperatur, Stralungsbeständeg an héichfrequenz elektronesch Geräter ze kreéieren. 8inch SiC Substrat Präis fällt graduell erof wéi d'Technologie méi fortgeschratt gëtt an d'Nofro wiisst. Rezent Technologieentwécklungen féieren zu Produktiounsskala Fabrikatioun vun 200mm SiC Wafers. D'Haaptvirdeeler vu SiC Wafer Hallefleitmaterialien am Verglach mat Si a GaAs Wafers: D'elektresch Feldstäerkt vu 4H-SiC wärend Lawine Decompte ass méi wéi eng Uerdnung méi héich wéi déi entspriechend Wäerter fir Si a GaAs. Dëst féiert zu enger wesentlecher Ofsenkung vun der On-State Resistivitéit Ron. Niddereg On-State Resistivitéit, kombinéiert mat héijer Stroumdicht an thermescher Konduktivitéit, erlaabt d'Benotzung vu ganz klenge Stierwen fir Kraaftapparater. Déi héich thermesch Konduktivitéit vu SiC reduzéiert d'thermesch Resistenz vum Chip. D'elektronesch Eegeschafte vun Apparater baséiert op SiC wafers si ganz stabil iwwer Zäit an op Temperatur stabil, déi héich Zouverlässegkeet vun Produite garantéiert. Siliziumkarbid ass extrem resistent géint haart Stralung, wat d'elektronesch Eegeschafte vum Chip net degradéiert. Déi héich limitéierend Operatiounstemperatur vum Kristall (méi wéi 6000C) erlaabt Iech héich zouverlässeg Apparater fir haart Operatiounsbedingungen a speziell Uwendungen ze kreéieren. Am Moment kënne mir kleng Batch 200mmSiC Wafere stänneg a kontinuéierlech liwweren an e puer Lager am Lager hunn.

Spezifizéierung

Zuel	Artikel	Eenheet	Produktioun	Fuerschung	Dummy
1. Parameteren
1.1	polytype	--	4H	4H	4H
1.2	Uewerfläch Orientatioun	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Elektresch Parameter
2.1	dotéiert	--	n-Typ Stickstoff	n-Typ Stickstoff	n-Typ Stickstoff
2.2	Resistivitéit	ohm ·cm	0.015~0.025	0,01~0,03	NA
3. Mechanesch Parameter
3.1	Duerchmiesser	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	deck	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Notch Orientatioun	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Notch Déift	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5 (10mm * 10mm)	≤5 (10mm * 10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Boun	μm	-25-25	-45-45	-65-65
3.8	Warp	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4. Struktur
4.1	micropipe Dicht	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	Metal Inhalt	Atomer/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Positiv Qualitéit
5.1	virun	--	Si	Si	Si
5.2	Uewerfläch fäerdeg	--	Si-Gesiicht CMP	Si-Gesiicht CMP	Si-Gesiicht CMP
5.3	Partikel	ea / wafer	≤100 (Gréisst ≥0.3μm)	NA	NA
5.4	kraazt	ea / wafer	≤5, Gesamtlängt≤200 mm	NA	NA
5.5	Rand Chips / Intens / Rëss / Flecken / Kontaminatioun	--	Keen	Keen	NA
5.6	Polytype Beräicher	--	Keen	Beräich ≤10%	Beräich ≤30%
5.7	virun Marquage	--	Keen	Keen	Keen
6. Réck Qualitéit
6.1	zréck fäerdeg	--	C-Gesiicht MP	C-Gesiicht MP	C-Gesiicht MP
6.2	kraazt	mm	NA	NA	NA
6.3	Réck Mängel Rand Chips / Absacker	--	Keen	Keen	NA
6.4	Réck roughness	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Réckmarkéierung	--	Notch	Notch	Notch
7. Rand
7.1	rand	--	Chamfer	Chamfer	Chamfer
8. Package
8.1	Verpakung	--	Epi-prett mat Vakuum Verpakung	Epi-prett mat Vakuum Verpakung	Epi-prett mat Vakuum Verpakung
8.2	Verpakung	--	Multi-wafer Kassettverpackung	Multi-wafer Kassettverpackung	Multi-wafer Kassettverpackung