8 Zoll SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Typ 0.5mm Produktiounsgrad Fuerschungsgrad personaliséiert poléiert Substrat

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC), och bekannt als Siliziumkarbid, ass e Hallefleit deen Silizium a Kuelestoff enthält mat der chemescher Formel SiC. SiC gëtt an semiconductor elektronesch Geräter benotzt déi bei héijen Temperaturen oder héijen Drock funktionnéieren, oder béid. SiC ass och ee vun de wichtege LED Komponenten, et ass e gemeinsame Substrat fir GaN Geräter ze wuessen, an et kann och als Heizkierper fir High-Power LEDs benotzt ginn.
8-Zoll Silicon Carbide Substrat ass e wichtege Bestanddeel vun der drëtter Generatioun vun semiconductor Materialien, déi d'Charakteristiken vun héich Decompte Feld Kraaft, héich thermesch Leit, héich Elektronen Sättigung Drift Taux, etc. héich-Volt, an héich-Muecht elektronesch Apparater. Seng Haaptapplikatiounsfelder enthalen elektresch Gefierer, Eisebunnstransit, Héichspannungsmuecht Iwwerdroung an Transformatioun, Photovoltaik, 5G Kommunikatioun, Energielagerung, Raumfaart, an AI Kär Rechenkraaft Datenzenteren.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

D'Haaptmerkmale vum 8-Zoll Siliziumkarbidsubstrat 4H-N Typ enthalen:

1. Mikrotubule Dicht: ≤ 0,1 / cm² oder manner, sou wéi Mikrotubule Dicht ass wesentlech reduzéiert op manner wéi 0,05 / cm² an e puer Produkter.
2. Kristallform Verhältnis: 4H-SiC Kristallform Verhältnis erreecht 100%.
3. Resistivitéit: 0,014 ~ 0,028 Ω · cm, oder méi stabil tëscht 0,015-0,025 Ω · cm.
4. Uewerfläch roughness: CMP Si Face Ra≤0.12nm.
5. Dicke: Normalerweis 500,0 ± 25μm oder 350,0 ± 25μm.
6. Chamfering Wénkel: 25 ± 5 ° oder 30 ± 5 ° fir A1 / A2 ofhängeg vun der Dicke.
7. Total Dislokatiounsdicht: ≤3000/cm².
8. Uewerflächemetallkontaminatioun: ≤1E+11 Atomer/cm².
9. Béie a Verréckelung: ≤ 20μm respektiv ≤2μm.
Dës Charakteristike maachen 8-Zoll Siliziumkarbidsubstrater e wichtege Applikatiounswäert bei der Fabrikatioun vun héijer Temperaturen, Héichfrequenz a High-Power elektroneschen Apparater.

8inch Silicon Carbide Wafer huet verschidde Uwendungen.

1. Power Geräter: SiC Wafere gi wäit an der Fabrikatioun vu Kraaftelektronesch Geräter wéi Power MOSFETs (Metal-Oxid-Halbleiter Feldeffekt Transistoren), Schottky-Dioden a Kraaft Integratiounsmoduler benotzt. Wéinst der héijer thermescher Konduktivitéit, héijer Decomptespannung an der héijer Elektronemobilitéit vu SiC kënnen dës Geräter effizient, héich performant Kraaftkonversioun an héijer Temperatur, Héichspannung an Héichfrequenz Ëmfeld erreechen.

2. Optoelektronesch Geräter: SiC Wafers spillen eng vital Roll an optoelektroneschen Apparater, benotzt fir Photodetektoren, Laserdioden, Ultravioletquellen, asw. héich Frequenzen, an héich Muecht Niveauen.

3. Radio Frequenz (RF) Apparater: SiC Chips ginn och benotzt fir RF Apparater wéi RF Kraaftverstärker, Héichfrequenz Schalter, RF Sensoren a méi ze fabrizéieren. SiC héich thermesch Stabilitéit, héich Frequenz Charakteristiken, a niddereg Verloschter maachen et ideal fir RF Uwendungen wéi drahtlose Kommunikatiounen a Radar Systemer.

4.High-Temperature Elektronik: Duerch hir héich thermesch Stabilitéit an Temperaturelastizitéit ginn SiC Wafere benotzt fir elektronesch Produkter ze produzéieren, déi entwéckelt sinn fir an héich Temperaturen Ëmfeld ze bedreiwen, dorënner High-Temperatur Power Elektronik, Sensoren a Controller.

D'Haaptapplikatiounsweeër vum 8-Zoll Siliciumcarbid-Substrat 4H-N Typ enthalen d'Fabrikatioun vun héijer Temperatur, Héichfrequenz a High-Power elektronesch Geräter, besonnesch an de Felder vun der Automobilelektronik, Solarenergie, Windenergie Generatioun, elektresch. Lokomotiven, Serveren, Hausgeräter an elektresch Gefierer. Zousätzlech hunn Apparater wéi SiC MOSFETs a Schottky-Dioden eng exzellent Leeschtung bei Schaltfrequenzen, Kuerzschlussexperimenter an Inverterapplikatiounen bewisen, déi hir Benotzung an der Kraaftelektronik féieren.

XKH kann mat verschiddenen Dicken no Client Ufuerderunge personaliséiert ginn. Verschidde Uewerflächrauheet a Polierbehandlunge si verfügbar. Verschidde Aarte vun Doping (wéi Stickstoffdoping) ginn ënnerstëtzt. XKH kann technesch Ënnerstëtzung a Berodungsservicer ubidden fir sécherzestellen datt d'Clientë Problemer am Gebrauch léisen. Den 8-Zoll Siliciumcarbid-Substrat huet bedeitend Virdeeler wat d'Käschtereduktioun a verstäerkte Kapazitéit ugeet, wat d'Eenheet-Chipkäschte ëm ongeféier 50% am Verglach zum 6-Zoll-Substrat reduzéiere kann. Zousätzlech hëlleft d'erhéicht Dicke vum 8-Zoll-Substrat geometresch Ofwäichungen a Kanteverwierrung während der Maschinn ze reduzéieren, an doduerch d'Ausbezuelung ze verbesseren.