8 Zoll SiC Siliziumkarbidwafer 4H-N Typ 0,5 mm Produktiounsqualitéit Fuerschungsqualitéit personaliséiert poléiert Substrat

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC), och bekannt als Siliziumkarbid, ass en Hallefleeder, deen Silizium a Kuelestoff enthält, mat der chemescher Formel SiC. SiC gëtt an elektroneschen Hallefleederkomponenten benotzt, déi bei héijen Temperaturen oder héijem Drock, oder béides, funktionéieren. SiC ass och eng vun de wichtegen LED-Komponenten, et ass e gemeinsamt Substrat fir GaN-Komponenten ze wuessen, an et kann och als Hëtzekipper fir héichleistungs LEDs benotzt ginn.
En 8-Zoll Siliziumkarbid-Substrat ass en wichtegen Deel vun der drëtter Generatioun vu Hallefleedermaterialien, déi d'Charakteristike vun héijer Duerchbrochfeldstäerkt, héijer Wärmeleitfäegkeet, héijer Elektronensättigungsdriftquote usw. hunn, an ass gëeegent fir d'Produktioun vun Héichtemperatur-, Héichspannungs- an Héichleistungselektronengeräter. Seng Haaptapplikatiounsberäicher sinn Elektroautoen, Schinneverkéier, Héichspannungs-Energieiwwerdroung an -transformatioun, Photovoltaik, 5G-Kommunikatioun, Energiespeicher, Loft- a Raumfaart an KI-Kär-Rechenkraaftdatenzentren.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Déi wichtegst Eegeschafte vum 8-Zoll Siliziumcarbid-Substrat vum Typ 4H-N sinn:

1. Mikrotubuli-Dicht: ≤ 0,1/cm² oder manner, sou wéi d'Mikrotubuli-Dicht a verschiddene Produkter däitlech op manner wéi 0,05/cm² reduzéiert gëtt.
2. Kristallformverhältnis: D'Kristallformverhältnis vun 4H-SiC erreecht 100%.
3. Widderstand: 0,014~0,028 Ω·cm, oder méi stabil tëscht 0,015-0,025 Ω·cm.
4. Uewerflächenrauheet: CMP Si Face Ra≤0,12nm.
5. Déckt: Normalerweis 500,0 ± 25 μm oder 350,0 ± 25 μm.
6. Ofschrägungswénkel: 25±5° oder 30±5° fir A1/A2 jee no Déckt.
7. Gesamt Dislokatiounsdicht: ≤3000/cm².
8. Uewerflächenmetallkontaminatioun: ≤1E+11 Atomer/cm².
9. Biegen a Verformung: ≤ 20μm respektiv ≤2μm.
Dës Charakteristike maachen 8-Zoll Siliziumcarbid-Substrater zu engem wichtegen Uwendungswäert bei der Fabrikatioun vun Héichtemperatur-, Héichfrequenz- an Héichleistungselektroneschen Apparater.

8 Zoll Siliziumkarbidwafer huet verschidden Uwendungen.

1. Leeschtungskomponenten: SiC-Wafere gi wäit verbreet bei der Fabrikatioun vun elektronesche Leeschtungskomponenten, wéi z. B. Leeschtungs-MOSFETs (Metalloxid-Hallefleiter-Feldeffekttransistoren), Schottky-Dioden a Leeschtungsintegratiounsmoduler, benotzt. Wéinst der héijer Wärmeleitfäegkeet, der héijer Duerchbrochspannung an der héijer Elektronemobilitéit vum SiC kënnen dës Komponenten eng effizient, héich performant Leeschtungskonversioun an Ëmfeld mat héijen Temperaturen, Héichspannungen an Héichfrequenz erreechen.

2. Optoelektronesch Komponenten: SiC-Wafere spille eng wichteg Roll an optoelektroneschen Komponenten, déi fir d'Produktioun vu Photodetekteren, Laserdioden, Ultraviolettquellen, etc. benotzt ginn. Déi iwwerleeën optesch an elektronesch Eegeschafte vu Siliziumkarbid maachen et zum Material vun der Wiel, besonnesch an Uwendungen, déi héich Temperaturen, héich Frequenzen an héich Leeschtungsniveauen erfuerderen.

3. Radiofrequenz- (RF)-Geräter: SiC-Chips ginn och benotzt fir RF-Geräter wéi RF-Leeschtungsverstärker, Héichfrequenzschalter, RF-Sensoren a méi ze produzéieren. Déi héich thermesch Stabilitéit, Héichfrequenzcharakteristiken a niddreg Verloschter vu SiC maachen et ideal fir RF-Applikatiounen wéi drahtlos Kommunikatioun a Radarsystemer.

4. Héichtemperaturelektronik: Wéinst hirer héijer thermescher Stabilitéit an Temperaturelastizitéit gi SiC-Wafere benotzt fir elektronesch Produkter ze produzéieren, déi fir d'Betrib an Héichtemperaturëmfeld entwéckelt sinn, dorënner Héichtemperatur-Leeschtungselektronik, Sensoren a Controller.

Déi wichtegst Uwendungsweeër vum 8-Zoll-Siliziumcarbid-Substrat vum Typ 4H-N sinn d'Produktioun vun elektroneschen Apparater fir Héichtemperatur, Héichfrequenz an Héichleistung, besonnesch an de Beräicher Automobilelektronik, Solarenergie, Wandenergieproduktioun, Elektrolokomotiven, Serveren, Haushaltsapparater an Elektroautoen. Zousätzlech hunn Apparater wéi SiC-MOSFETs a Schottky-Dioden exzellent Leeschtung a Schaltfrequenzen, Kuerzschlussexperimenter an Inverter-Uwendungen gewisen, wat hiren Asaz an der Leeschtungselektronik ugedriwwen huet.

Den XKH kann no de Bedierfnesser vum Client mat verschiddenen Déckten personaliséiert ginn. Verschidde Uewerflächenrauheeten a Polierbehandlunge si verfügbar. Verschidden Aarte vun Dotierung (wéi z. B. Stickstoffdotierung) ginn ënnerstëtzt. XKH kann techneschen Support a Berodungsdéngschter ubidden, fir sécherzestellen, datt d'Clienten Problemer am Gebrauch léise kënnen. Den 8-Zoll Siliziumcarbid-Substrat huet bedeitend Virdeeler a punkto Käschtereduktioun a méi grousser Kapazitéit, wat d'Käschte pro Eenheetschip ëm ongeféier 50% am Verglach zum 6-Zoll-Substrat reduzéiere kann. Zousätzlech hëlleft déi erhéicht Déckt vum 8-Zoll-Substrat geometresch Ofwäichungen a Kantenverzerrungen während der Bearbechtung ze reduzéieren, wouduerch d'Ausbezuelung verbessert gëtt.