6 Zoll SiC Epitaxie Wafer N/P Typ akzeptéiert personaliséiert

De Virbereedungsprozess vun epitaktischen Siliziumkarbidwafer ass eng Method déi d'Technologie vun der chemescher Vapor Deposition (CVD) benotzt. Folgend sinn déi relevant technesch Prinzipien a Schrëtt am Virbereedungsprozess:

Technesche Prinzip:

Chemesch Dampfoflagerung: Mat Hëllef vum Rohmaterialgas an der Gasphas gëtt et ënner spezifesche Reaktiounsbedéngungen ofgebaut an um Substrat ofgesat, fir de gewënschten dënnen Film ze bilden.

Gasphasereaktioun: Duerch Pyrolyse oder Rëssreaktioun ginn verschidde Rohstoffgaser an der Gasphas an der Reaktiounskammer chemesch verännert.

Schrëtt fir d'Virbereedung vum Prozess:

Substratbehandlung: De Substrat gëtt enger Uewerflächenreinigung a Virbehandlung ënnerworf, fir d'Qualitéit an d'Kristallinitéit vum epitaktischen Wafer ze garantéieren.

Debugging vun der Reaktiounskammer: Ajustéiert d'Temperatur, den Drock an d'Duerchflussquote vun der Reaktiounskammer an aner Parameteren, fir d'Stabilitéit an d'Kontroll vun de Reaktiounsbedingungen ze garantéieren.

Rohmaterialversuergung: Déi néideg Gasrohmaterialien an d'Reaktiounskammer liwweren, d'Duerchflussquote no Bedarf vermëschen a kontrolléieren.

Reaktiounsprozess: Duerch d'Erhëtzen vun der Reaktiounskammer gëtt dat gasfërmegt Ausgangsmaterial enger chemescher Reaktioun an der Kammer ënnerworf, fir déi gewënscht Oflagerung, also e Siliziumcarbidfilm, ze produzéieren.

Ofkillen an Entlueden: Um Enn vun der Reaktioun gëtt d'Temperatur graduell erofgesat, fir d'Oflagerungen an der Reaktiounskammer ofzekillen an ze verfestigen.

Epitaktesch Waferglühung a Noveraarbechtung: de ofgesate epitaktische Wafer gëtt geglüht a noveraarbecht fir seng elektresch an optesch Eegeschaften ze verbesseren.

Déi spezifesch Schrëtt a Konditioune vum Virbereedungsprozess fir epitaktesch Wafer aus Siliziumcarbid kënne jee no der spezifescher Ausrüstung an den Ufuerderungen variéieren. Dat Uewendriwwer ass nëmmen e generelle Prozessoflaf a Prinzip, déi spezifesch Operatioun muss ugepasst an optimiséiert ginn no der tatsächlecher Situatioun.