6inch SiC Epitaxiy wafer N / P Typ akzeptéieren personaliséiert

6 Zoll SiC Epitaxiy wafer N / P Typ akzeptéiert personaliséiert Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

eng bidden 4, 6, 8 Zoll Silicon Carbide epitaxial wafer an epitaxial Schmelz Servicer, Produktioun (600V ~ 3300V) Muecht Apparater dorënner SBD, JBS, PiN, MOSFET, JFET, BJT, GTO, IGBT etc.

Mir kënnen 4-Zoll a 6-Zoll SiC epitaxial Wafere fir Fabrikatioune vu Kraaftapparater ubidden, dorënner SBD JBS PiN MOSFET JFET BJT GTO & IGBT vu 600V bis 3300V

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

De Virbereedungsprozess vu Siliziumkarbid Epitaxialwafer ass eng Method déi Chemesch Vapor Deposition (CVD) Technologie benotzt.Déi folgend sinn déi relevant technesch Prinzipien an Virbereedungsprozess Schrëtt:

Technesch Prinzip:

Chemesch Dampdepositioun: Mat de Rohmaterialgas an der Gasphase, ënner spezifesche Reaktiounsbedéngungen, gëtt et ofgebaut an op de Substrat deposéiert fir de gewënschten dënnen Film ze bilden.

Gasphase Reaktioun: Duerch Pyrolyse oder Rëssreaktioun gi verschidde Rohmaterialgasen an der Gasphase chemesch an der Reaktiounskammer geännert.

Virbereedungsprozess Schrëtt:

Substratbehandlung: De Substrat gëtt Uewerflächreinigung a Virbehandlung ënnerworf fir d'Qualitéit an d'Kristallinitéit vum epitaxiale Wafer ze garantéieren.

Reaktiounskammer Debugging: Upasst d'Temperatur, Drock a Flowrate vun der Reaktiounskammer an aner Parameteren fir d'Stabilitéit an d'Kontroll vun de Reaktiounsbedéngungen ze garantéieren.

Matière première: liwwert déi erfuerderlech Gas Rohmaterialien an d'Reaktiounskammer, vermëschen a kontrolléiert de Flowrate wéi néideg.

Reaktiounsprozess: Duerch d'Erhëtzung vun der Reaktiounskammer gëtt de gasfërmege Fudderstoff eng chemesch Reaktioun an der Chamber fir de gewënschten Depot ze produzéieren, dh Siliziumkarbidfilm.

Ofkillen an Ausluede: Um Enn vun der Reaktioun gëtt d'Temperatur graduell erofgesat fir d'Oflagerungen an der Reaktiounskammer ze killen an ze festen.

Epitaxial Wafer annealing a Post-Veraarbechtung: Déi deponéiert epitaxial Wafer gëtt annealéiert a post-veraarbecht fir seng elektresch an optesch Eegeschaften ze verbesseren.

Déi spezifesch Schrëtt a Konditioune vum Siliziumkarbid epitaxialen Wafer Virbereedungsprozess kënnen ofhängeg vun der spezifescher Ausrüstung an Ufuerderunge variéieren.Dat hei uewen ass nëmmen en allgemenge Prozessfloss a Prinzip, déi spezifesch Operatioun muss ugepasst an optimiséiert ginn no der aktueller Situatioun.