6 Zoll GaN-On-Sapphire

Kuerz Beschreiwung:

150 mm 6 Zoll GaN op Silicon / Saphir / SiC Epi-Layer wafer Gallium Nitride epitaxial wafer

De 6-Zoll Saphir Substrat Wafer ass e qualitativ héichwäertegt Hallefleitmaterial besteet aus Schichten vu Galliumnitrid (GaN) op engem Saphir Substrat ugebaut. D'Material huet exzellent elektronesch Transporteigenschaften an ass ideal fir High-Power- an High-Frequenz Halbleitergeräter ze fabrizéieren.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

150 mm 6 Zoll GaN op Silicon / Saphir / SiC Epi-Layer wafer Gallium Nitride epitaxial wafer

Fabrikatiounsmethod: De Fabrikatiounsprozess beinhalt d'Erhéijung vun GaN Schichten op engem Saphir Substrat mat fortgeschratt Techniken wéi Metall-organesch chemesch Dampdepositioun (MOCVD) oder Molekulare Strahlepitaxie (MBE). Den Oflagerungsprozess gëtt ënner kontrolléierte Bedéngungen duerchgefouert fir eng héich Kristallqualitéit an eenheetleche Film ze garantéieren.

6 Zoll GaN-On-Sapphire Uwendungen: 6 Zoll Saphir Substrat Chips gi wäit an der Mikrowellekommunikatioun, Radarsystemer, Wireless Technologie an Optoelektronik benotzt.

E puer gemeinsam Uwendungen enthalen

1. Rf Muecht amplifier

2. LED Beliichtung Industrie

3. Wireless Reseau Kommunikatioun Equipement

4. Elektronesch Apparater an héich Temperatur Ëmwelt

5. Optoelektronesch Apparater

Produit Spezifikatioune

- Gréisst: De Substrat Duerchmiesser ass 6 Zoll (ongeféier 150 mm).

- Surface Qualitéit: D'Uewerfläch gouf fein poléiert fir eng exzellent Spigelqualitéit ze bidden.

- Dicke: D'Dicke vun der GaN Schicht kann no spezifesche Ufuerderunge personaliséiert ginn.

- Verpackung: De Substrat ass suergfälteg mat antistatesche Materialien verpackt fir Schued beim Transport ze vermeiden.

- Positionéierungskanten: De Substrat huet spezifesch Positionéierungskanten, déi d'Ausrichtung an d'Operatioun während der Gerätpreparatioun erliichteren.

- Aner Parameteren: Spezifesch Parameteren wéi dënn, Resistivitéit an Doping Konzentratioun kann no Client Ufuerderunge ugepasst ginn.

Mat hiren superieure Materialeigenschaften a verschiddenen Uwendungen, 6-Zoll Saphir Substratwafers sinn eng zouverlässeg Wiel fir d'Entwécklung vun High-Performance Hallefleitgeräter a verschiddenen Industrien.

Substrat	6" 1mm <111> p-Typ Si	6" 1mm <111> p-Typ Si
Epi Déck Avg	~5 um	~7 um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Boun	+/- 45 um	+/- 45 um
Knacken	<5 mm	<5 mm
Vertikal BV	>1000V	>1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30 nm	20-30 nm
Insitu SiN Cap	5-60 nm	5-60 nm
2DEG konc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobilitéit	~2000 cm²/Vs (<2%)	~2000 cm²/Vs (<2%)
Rsch	<330 ohm/sq (<2%)	<330 ohm/sq (<2%)