6 Zoll leetfäeg Eenkristall-SiC op polykristallinem SiC-Kompositsubstrat Duerchmiesser 150 mm P-Typ N-Typ

6 Zoll Leitfäeg Eenkristall-SiC op polykristallinem SiC-Kompositsubstrat Duerchmiesser 150 mm P-Typ N-Typ Ausgewielt Bild

Kuerz Beschreiwung:

Dat 6-Zoll leetfäeg monokristallint SiC op polykristallint SiC-Kompositsubstrat stellt eng innovativ Siliziumcarbid (SiC)-Materialléisung duer, déi fir elektronesch Apparater mat héijer Leeschtung, héijer Temperatur an héijer Frequenz entwéckelt gouf. Dëst Substrat huet eng aktiv Eenkristall-SiC-Schicht, déi duerch spezialiséiert Prozesser mat enger polykristalliner SiC-Basis gebonnen ass, andeems déi iwwerleeën elektresch Eegeschafte vum monokristalline SiC mat de Käschtevirdeeler vum polykristalline SiC kombinéiert ginn.
Am Verglach mat konventionelle voll monokristalline SiC-Substrater behält dat 6-Zoll leetfäeg monokristallint SiC op polykristallinem SiC-Kompositsubstrat eng héich Elektronemobilitéit an Héichspannungswiderstand, während et d'Produktiounskäschte däitlech reduzéiert. Seng 6-Zoll (150 mm) Wafergréisst garantéiert Kompatibilitéit mat existente Hallefleederproduktiounslinnen, wat eng skalierbar Produktioun erméiglecht. Zousätzlech erlaabt den leetfäegen Design eng direkt Notzung an der Fabrikatioun vun Energieversuergungsapparater (z. B. MOSFETs, Dioden), wouduerch de Besoin fir zousätzlech Dotierungsprozesser eliminéiert gëtt an d'Produktiounsworkflows vereinfacht ginn.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Technesch Parameteren

Gréisst:	6 Zoll
Duerchmiesser:	150 mm
Déckt:	400-500 μm
Parameter vum monokristalline SiC-Film
Polytyp:	4H-SiC oder 6H-SiC
Dopingkonzentratioun:	1×10¹⁴ - 1×10¹⁸ cm⁻³
Déckt:	5-20 μm
Blechwiderstand:	10-1000 Ω/Quadratmeter
Elektronemobilitéit:	800-1200 cm²/Vs
Lachmobilitéit:	100-300 cm²/Vs
Parameter vun der polykristalliner SiC-Pufferschicht
Déckt:	50-300 μm
Wärmeleitfäegkeet:	150-300 W/m·K
Parameter vum monokristalline SiC-Substrat
Polytyp:	4H-SiC oder 6H-SiC
Dopingkonzentratioun:	1×10¹⁴ - 1×10¹⁸ cm⁻³
Déckt:	300-500 μm
Kärengréisst:	> 1 mm
Uewerflächenrauheet:	< 0,3 mm RMS
Mechanesch & elektresch Eegeschaften
Härkeet:	9-10 Méint
Kompressiounsstäerkt:	3-4 GPa
Zugfestigkeit:	0,3-0,5 GPa
Stäerkt vum Duerchbrochfeld:	> 2 MV/cm
Total Dosis Toleranz:	> 10 Mrad
Resistenz géint eenzelt Evenement-Effekt:	> 100 MeV·cm²/mg
Wärmeleitfäegkeet:	150-380 W/m·K
Betribstemperaturberäich:	-55 bis 600°C

Schlësselcharakteristiken

De 6-Zoll-leitfäege monokristalline SiC op polykristallinem SiC-Kompositsubstrat bitt eng eenzegaarteg Balance tëscht Materialstruktur a Leeschtung, wat en dofir gëeegent mécht fir usprochsvoll industriell Ëmfeld:

1. Käschteeffizienz: Déi polykristallin SiC-Basis reduzéiert d'Käschten am Verglach mat vollstännegem monokristallinem SiC wesentlech, während déi monokristallin SiC-Aktivschicht eng Leeschtung a Gerätequalitéit garantéiert, ideal fir käschtesensitiv Uwendungen.

2. Aussergewéinlech elektresch Eegeschaften: Déi monokristallin SiC-Schicht weist eng héich Trägermobilitéit (>500 cm²/V·s) an eng niddreg Defektdicht op, wat den Operatioun vun Apparater mat héijer Frequenz an héijer Leeschtung ënnerstëtzt.

3. Héichtemperaturstabilitéit: Déi inherent Héichtemperaturbeständegkeet (>600°C) vu SiC garantéiert, datt de Kompositsubstrat ënner extremen Bedingungen stabil bleift, wouduerch en fir Elektroautoen an industriell Motorapplikatioune gëeegent ass.

4,6-Zoll standardiséiert Wafergréisst: Am Verglach mat traditionelle 4-Zoll SiC-Substrater erhéicht de 6-Zoll-Format d'Chipausgabe ëm iwwer 30%, wouduerch d'Käschte pro Eenheet vum Apparat reduzéiert ginn.

5. Konduktivt Design: Virdotiert N-Typ oder P-Typ Schichten miniméieren d'Ionenimplantatiounsschritte bei der Fabrikatioun vun Apparater, wat d'Produktiounseffizienz an den Ausbezuelung verbessert.

6. Iwwerleeën Wärmemanagement: D'Wärmeleitfäegkeet vun der polykristalliner SiC-Basis (~120 W/m·K) ass ähnlech wéi déi vu monokristallinem SiC, wat effektiv d'Erausfuerderunge vun der Wärmeofleedung an Héichleistungsgeräter adresséiert.

Dës Charakteristike positionéieren dat 6-Zoll-leitend monokristallint SiC op polykristallinesem SiC-Kompositsubstrat als kompetitiv Léisung fir Industrien wéi erneierbar Energien, Schinnetransport an Loftfaart.

Primär Uwendungen

De 6-Zoll-leitfäege monokristalline SiC op polykristallinem SiC-Kompositsubstrat gouf erfollegräich a verschiddene Beräicher mat héijer Nofro agesat:
1. Undriffssystemer fir Elektroautoen: Benotzt a SiC-MOSFETs an Dioden mat Héichspannung, fir d'Effizienz vum Inverter ze verbesseren an d'Reechwäit vun der Batterie ze verlängeren (z.B. Tesla, BYD Modeller).

2. Industriell Motorundriff: Erméiglecht héichtemperaturéiert, héichschaltfrequenz-Energiemoduler, wat den Energieverbrauch a schwéiere Maschinnen a Wandturbinnen reduzéiert.

3. Photovoltaesch Inverteren: SiC-Apparater verbesseren d'Effizienz vun der Solarkonversioun (>99%), während de Kompositsubstrat d'Systemkäschte weider reduzéiert.

4. Schinnetransport: Gëtt an Traktiounswandler fir Héichgeschwindegkeetsschinne- a Metrosystemer ugewannt, a bitt en Héichspannungswiderstand (>1700V) a kompakt Formfaktoren.

5. Loftfaart: Ideal fir Satellitten-Energiesystemer a Kontrollkreesser fir Fligermotoren, fäeg extremen Temperaturen a Stralung standzehalen.

An der praktescher Fabrikatioun ass de 6-Zoll leetfäege monokristalline SiC op polykristallinem SiC-Kompositsubstrat voll kompatibel mat Standard-SiC-Apparatprozesser (z.B. Lithographie, Ätzen) a brauch keng zousätzlech Kapitalinvestitioun.

XKH Servicer

XKH bitt ëmfaassend Ënnerstëtzung fir de 6-Zoll-leitenden monokristalline SiC op polykristallinem SiC-Kompositsubstrat, vun der Fuerschung an Entwécklung bis zur Masseproduktioun:

1. Personnalisatioun: Justierbar monokristallin Schichtdicke (5–100 μm), Dotierungskonzentratioun (1e15–1e19 cm⁻³) an Kristallorientéierung (4H/6H-SiC) fir verschidden Ufuerderunge vun den Apparater gerecht ze ginn.

2. Waferveraarbechtung: Grousshandelsliwwerung vu 6-Zoll-Substrater mat Verdënnung vun der Récksäit a Metalliséierungsservicer fir Plug-and-Play-Integratioun.

3. Technesch Validatioun: Ëmfaasst XRD-Kristallinitéitsanalyse, Hall-Effekt-Tester a Miessung vum thermesche Widderstand fir d'Materialqualifikatioun ze beschleunegen.

4. Schnell Prototyping: 2- bis 4-Zoll Proben (de selwechte Prozess) fir Fuerschungsinstituter fir d'Entwécklungszyklen ze beschleunegen.

5. Feeleranalyse & Optimiséierung: Léisunge fir Veraarbechtungsproblemer op Materialniveau (z.B. Defekter an der epitaktischer Schicht).

Eis Missioun ass et, de 6-Zoll-leitende monokristalline SiC op polykristallinem SiC-Kompositsubstrat als déi bevorzugt Käschte-Leeschtungs-Léisung fir SiC-Leeschtungselektronik ze etabléieren, andeems mir eng komplett Ënnerstëtzung vum Prototyping bis zur Masseproduktioun ubidden.

Conclusioun

Dat 6-Zoll-leitfäeg monokristallint SiC op polykristallinesem SiC-Kompositsubstrat erreecht eng duerchbrochend Gläichgewiicht tëscht Leeschtung a Käschten duerch seng innovativ mono/polykristallin Hybridstruktur. Mat der Verbreedung vun Elektroautoen an dem Fortschrëtt vun der Industrie 4.0 bitt dëst Substrat eng zouverlässeg Materialbasis fir d'Leeschtungselektronik vun der nächster Generatioun. XKH begréisst Zesummenaarbechten, fir de Potenzial vun der SiC-Technologie weider z'erfuerschen.