6 Zoll leetfäeg SiC Kompositsubstrat 4H Duerchmiesser 150mm Ra≤0.2nm Warp≤35μm

Kuerz Beschreiwung:

Ugedriwwe vun der Striewe vun der Hallefleederindustrie no méi héijer Leeschtung a méi niddrege Käschten, ass dat 6-Zoll-leitend SiC-Komposit-Substrat entstanen. Duerch innovativ Materialkomposittechnologie erreecht dëse 6-Zoll-Wafer 85% vun der Leeschtung vun traditionelle 8-Zoll-Waferen, während e just 60% sou deier ass. D'Stroumversuergungsgeräter an alldeeglechen Uwendungen wéi nei Energieauto-Opluedstatiounen, 5G-Basisstatiouns-Stroummoduler a souguer variabelfrequenzantriebs a Premium-Haushaltsapparater benotze vläicht scho Substrater vun dësem Typ. Eis patentéiert Multilayer-Epitaxialwachstumstechnologie erméiglecht flaach Komposit-Grenzflächen op atomarem Niveau op SiC-Basen, mat enger Schnëttstellzoustandsdicht ënner 1×10¹¹/cm²·eV - eng Spezifikatioun, déi international féierend Niveauen erreecht huet.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Technesch Parameteren

Artikelen	ProduktiounGrad	DummyGrad
Duerchmiesser	6-8 Zoll	6-8 Zoll
Déckt	350/500±25,0 μm	350/500±25,0 μm
Polytyp	4H	4H
Widderstandsfäegkeet	0,015-0,025 Ohm·cm	0,015-0,025 Ohm·cm
TTV	≤5 μm	≤20 μm
Ketten	≤35 μm	≤55 μm
Frontrauheet (Si-Fläch)	Ra≤0,2 nm (5μm × 5μm)	Ra≤0,2 nm (5μm × 5μm)

Schlësselmerkmale

1. Käschtevirdeel: Eist 6-Zoll leetfäegt SiC-Kompositsubstrat benotzt eng proprietär "graded buffer layer"-Technologie, déi d'Materialzesummesetzung optimiséiert fir d'Rohmaterialkäschten ëm 38% ze reduzéieren an dobäi eng exzellent elektresch Leeschtung ze garantéieren. Tatsächlech Miessunge weisen, datt 650V MOSFET-Geräter, déi dëst Substrat benotzen, eng Reduktioun vun 42% vun de Käschte pro Flächeneenheet am Verglach mat konventionelle Léisunge erreechen, wat bedeitend ass fir d'Adoptioun vu SiC-Geräter an der Konsumentelektronik ze fërderen.
2. Excellent leetend Eegeschaften: Duerch präzis Stickstoffdotierungskontrollprozesser erreecht eist 6-Zoll leetend SiC-Kompositsubstrat e ganz niddrege Widderstand vun 0,012-0,022Ω·cm, mat enger kontrolléierter Variatioun bannent ±5%. Bemierkenswäert ass, datt mir d'Uniformitéit vum Widderstand och am 5mm Randberäich vum Wafer behalen, wat e laangjäregt Randeffektproblem an der Industrie léist.
3. Thermesch Leeschtung: E Modul vun 1200V/50A, deen mat eisem Substrat entwéckelt gouf, weist nëmmen eng Temperaturerhéijung vun 45℃ iwwer der Ëmgéigungstemperatur bei voller Belaaschtung - 65℃ manner wéi vergläichbar Siliziumbaséiert Geräter. Dëst gëtt duerch eis "3D Thermal Channel" Kompositstruktur erméiglecht, déi d'lateral Wärmeleitfäegkeet op 380W/m·K an d'vertikal Wärmeleitfäegkeet op 290W/m·K verbessert.
4. Prozesskompatibilitéit: Fir déi eenzegaarteg Struktur vu 6-Zoll-leitenden SiC-Komposit-Substrater hu mir e passenden Stealth-Laser-Dicing-Prozess entwéckelt, deen eng Schnëttgeschwindegkeet vun 200 mm/s erreecht, während d'Kantenabsplittung ënner 0,3 μm kontrolléiert gëtt. Zousätzlech bidden mir virvernickelt Substratoptiounen un, déi eng direkt Matrizeverbindung erméiglechen, wouduerch de Clienten zwee Prozessschrëtt spueren.

Haaptapplikatiounen

Kritesch Smart Grid Ausrüstung:

An Ultrahéichspannungs-Gläichstroum-Iwwerdroungssystemer (UHVDC), déi mat ±800 kV funktionéieren, weisen IGCT-Bauelementer, déi eis 6-Zoll-leitfäeg SiC-Komposit-Substrater benotzen, bemierkenswäert Leeschtungsverbesserungen. Dës Bauelementer erreechen eng Reduktioun vun 55% vun de Schaltverloschter während Kommutatiounsprozesser, während se d'Gesamteffizienz vum System op iwwer 99,2% erhéijen. Déi iwwerleeën Wärmeleitfäegkeet vun de Substrater (380 W/m·K) erméiglecht kompakt Konverterdesignen, déi de Foussofdrock vun der Ënnerstatioun ëm 25% am Verglach mat konventionelle Siliziumbaséierte Léisunge reduzéieren.

Nei Energiefahrzeugundriff:

Den Undriffssystem, deen eis 6-Zoll-leitend SiC-Komposit-Substrater enthält, erreecht eng ongehéiert Leeschtungsdicht vum Inverter vu 45 kW/L - eng Verbesserung vu 60% géintiwwer hirem fréiere 400V Silizium-baséierten Design. Am beandrockendsten ass, datt de System eng Effizienz vun 98% iwwer de gesamte Betribstemperaturberäich vun -40℃ bis +175℃ behält, wat d'Erausfuerderunge bei kale Wieder léist, déi d'Adoptioun vun Elektroautoen an nërdleche Klimazonen geplot hunn. Tester an der Praxis weisen eng Erhéijung vun der Wanterreechwäit ëm 7,5% fir Gefierer, déi mat dëser Technologie ausgestatt sinn.

Industriell Variabelfrequenzundriff:

D'Adoptioun vun eise Substrater an intelligenten Energiemoduler (IPMs) fir industriell Servosystemer transforméiert d'Automatiséierung vun der Produktioun. An CNC-Bearbeitungszentren liwweren dës Moduler eng 40% méi séier Motorreaktioun (Reduktioun vun der Beschleunigungszäit vu 50ms op 30ms) wärend se gläichzäiteg den elektromagnetesche Geräisch ëm 15dB op 65dB(A) reduzéieren.

Konsumentelektronik:

D'Revolutioun an der Konsumentelektronik geet weider mat eise Substrater, déi déi nächst Generatioun vu 65W GaN-Schnellladegeräter erméiglechen. Dës kompakt Stroumadapter erreechen eng Volumenreduktioun vun 30% (bis op 45cm³) wärend se déi voll Leeschtung behalen, dank den iwwerleeënen Schaltcharakteristike vun SiC-baséierten Designen. D'Wärmebildgebung weist maximal Gehäusetemperature vu just 68°C beim kontinuéierleche Betrib - 22°C méi kill wéi bei konventionellen Designen - wat d'Liewensdauer an d'Sécherheet vum Produkt däitlech verbessert.

XKH Personnalisatiounsservicer

XKH bitt ëmfaassend Personaliséierungsënnerstëtzung fir 6-Zoll-leitend SiC-Kompositsubstrater:

Décktpersonaliséierung: Optiounen, dorënner Spezifikatioune vun 200μm, 300μm an 350μm
2. Widderstandskontroll: Justierbar n-Typ Dotierkonzentratioun vun 1×10¹⁸ bis 5×10¹⁸ cm⁻³

3. Kristallorientéierung: Ënnerstëtzung fir verschidde Orientéierungen, dorënner (0001) ausserhalb vun der Achs 4° oder 8°

4. Testservicer: Komplett Parametertestberichter op Waferniveau

Eis aktuell Liwwerzäit vum Prototyping bis zur Masseproduktioun kann esou kuerz wéi 8 Wochen sinn. Fir strategesch Clienten bidden mir speziell Prozessentwécklungsservicer un, fir eng perfekt Iwwereneestëmmung mat den Ufuerderunge vun den Apparater ze garantéieren.