6 Zoll-8 Zoll LN-op-Si Komposit-Substratdicke 0,3-50 μm Si/SiC/Saphir vu Materialien

Kuerz Beschreiwung:

De 6-Zoll bis 8-Zoll LN-op-Si Kompositsubstrat ass e performant Material, dat Eenkristall-Lithiumniobat (LN) Dënnschichten mat Silizium (Si) Substrater integréiert, mat Dicken tëscht 0,3 μm an 50 μm. Et ass fir d'Fabrikatioun vu fortgeschrattene Hallefleeder- an optoelektroneschen Apparater entwéckelt. Mat Hëllef vu fortgeschrattene Bindungs- oder epitaktischen Wuesstechniken garantéiert dëst Substrat eng héich kristallin Qualitéit vum LN Dënnschicht, während et déi grouss Wafergréisst (6 Zoll bis 8 Zoll) vum Siliziumsubstrat notzt fir d'Produktiounseffizienz an d'Käschteeffizienz ze verbesseren.
Am Verglach mat konventionelle LN-Materialien am Groussen a Ganzen bitt dat 6-Zoll bis 8-Zoll LN-op-Si-Kompositsubstrat eng iwwerleeën thermesch Anpassung a mechanesch Stabilitéit, wat et fir groussflächeg Wafer-Veraarbechtung gëeegent mécht. Zousätzlech kënnen alternativ Basismaterialien wéi SiC oder Saphir ausgewielt ginn, fir spezifesch Uwendungsufuerderungen ze erfëllen, dorënner Héichfrequenz-HF-Geräter, integréiert Photonik a MEMS-Sensoren.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Technesch Parameteren

0,3-50 μm LN/LT op Isolatoren
iewescht Schicht
Duerchmiesser	6-8 Zoll
Orientéierung	X, Z, Y-42 etc.
Materialien	LT, LN
Déckt	0,3-50 μm
Substrat (personaliséiert)
Material	Si, SiC, Saphir, Spinel, Quarz

Schlësselmerkmale

De 6-Zoll bis 8-Zoll LN-op-Si Kompositsubstrat ënnerscheet sech duerch seng eenzegaarteg Materialeegeschaften an ofstëmmend Parameteren, wat eng breet Uwendung an der Hallefleeder- an optoelektronescher Industrie erméiglecht:

1. Kompatibilitéit mat grousse Waferen: Déi grouss Wafergréisst vu 6 Zoll bis 8 Zoll garantéiert eng nahtlos Integratioun mat existente Hallefleederfabrikatiounslinnen (z.B. CMOS-Prozesser), reduzéiert d'Produktiounskäschten an erméiglecht d'Masseproduktioun.

2. Héich kristallin Qualitéit: Optimiséiert epitaktesch oder Bindungstechniken garantéieren eng niddreg Defektdicht am LN-Dënnfilm, wouduerch en ideal fir héichperformant optesch Modulatoren, Uewerflächenakustesch Wellenfilter (SAW) an aner Präzisiounsapparater ass.

3. Verstellbar Déckt (0,3–50 μm): Ultradënn LN-Schichten (<1 μm) si gëeegent fir integréiert photonesch Chips, während méi déck Schichten (10–50 μm) héichleistungs-RF-Geräter oder piezoelektresch Sensoren ënnerstëtzen.

4. Verschidde Substratoptiounen: Zousätzlech zu Si kënnen och SiC (héich thermesch Leetfäegkeet) oder Saphir (héich Isolatioun) als Basismaterialien ausgewielt ginn, fir den Ufuerderunge vun Héichfrequenz-, Héichtemperatur- oder Héichleistungsapplikatiounen gerecht ze ginn.

5. Thermesch a mechanesch Stabilitéit: De Siliziumsubstrat bitt eng robust mechanesch Ënnerstëtzung, miniméiert Verzerrung oder Rëssbildung während der Veraarbechtung an verbessert d'Ausbezuelung vum Apparat.

Dës Attributer positionéieren de 6-Zoll bis 8-Zoll LN-op-Si Kompositsubstrat als e bevorzugt Material fir modern Technologien wéi 5G-Kommunikatioun, LiDAR a Quanteoptik.

Haaptapplikatiounen

De 6-Zoll bis 8-Zoll LN-op-Si Kompositsubstrat gëtt wäit an High-Tech-Industrien adoptéiert wéinst senge aussergewéinleche elektroopteschen, piezoelektreschen an akusteschen Eegeschaften:

1. Optesch Kommunikatioun an integréiert Photonik: Erméiglecht héichgeschwindeg elektrooptesch Modulatoren, Wellenleiter a photonesch integréiert Schaltungen (PICs) a gerecht de Bandbreetbedarf vun Datenzentren a Glasfasernetzwierker.

2,5G/6G HF-Geräter: Den héije piezoelektresche Koeffizient vum LN mécht en ideal fir Uewerflächenakustesch Wellen (SAW) a Masseakustesch Wellen (BAW) Filteren, wat d'Signalveraarbechtung a 5G Basisstatiounen a mobilen Apparater verbessert.

3. MEMS a Sensoren: De piezoelektreschen Effekt vun LN-op-Si erliichtert héichempfindlech Beschleunigungsmesser, Biosensoren an Ultraschallwandler fir medizinesch an industriell Uwendungen.

4. Quantentechnologien: Als netlinear optescht Material ginn LN-Dënnschichten a Quantenliichtquellen (z.B. verschränkte Photonenpaaren) an integréierte Quantenchips benotzt.

5. Laser an netlinear Optik: Ultradënn LN-Schichten erméiglechen effizient Apparater fir d'Generatioun vun der zweeter harmonescher (SHG) an d'parametresch optesch Oszillatioun (OPO) fir Laserveraarbechtung a spektroskopesch Analyse.

Dat standardiséiert 6-Zoll bis 8-Zoll LN-op-Si-Komposit-Substrat erlaabt et, dës Apparater a grousse Waferfabriken hierzestellen, wat d'Produktiounskäschte däitlech reduzéiert.

Personnaliséierung a Servicer

Mir bidden ëmfangräich technesch Ënnerstëtzung a Personaliséierungsservicer fir de 6-Zoll bis 8-Zoll LN-op-Si Kompositsubstrat fir divers Fuerschungs- an Entwécklungs- a Produktiounsbedürfnisser ze erfëllen:

1. Benotzerdefinéiert Fabrikatioun: D'LN-Filmedicke (0,3–50 μm), d'Kristallorientéierung (X-Schnëtt/Y-Schnëtt) an d'Substratmaterial (Si/SiC/Saphir) kënnen ugepasst ginn, fir d'Leeschtung vum Apparat ze optimiséieren.

2. Wafer-Level Veraarbechtung: Grousshandelliwwerung vu 6-Zoll- an 8-Zoll-Waferen, inklusiv Backend-Servicer wéi Wierfelen, Polieren a Beschichtungen, fir sécherzestellen, datt d'Substrater fir d'Integratioun vun den Apparater prett sinn.

3. Technesch Berodung an Tester: Materialcharakteriséierung (z.B. XRD, AFM), elektrooptesch Leeschtungstester an Ënnerstëtzung bei der Simulatioun vun Apparater fir d'Designvalidéierung ze beschleunegen.

Eis Missioun ass et, de 6-Zoll bis 8-Zoll LN-op-Si Kompositsubstrat als Kärmaterialléisung fir optoelektronesch an Hallefleederapplikatiounen ze etabléieren, andeems mir eng komplett Ënnerstëtzung vun der Fuerschung an Entwécklung bis zur Masseproduktioun ubidden.

Conclusioun

De 6-Zoll bis 8-Zoll LN-op-Si Kompositsubstrat, mat senger grousser Wafergréisst, iwwerleeëner Materialqualitéit a Villfältegkeet, dréit zu Fortschrëtter an der optescher Kommunikatioun, 5G RF a Quantetechnologien bäi. Egal ob et ëm grouss Volumenproduktioun oder personaliséiert Léisunge geet, mir liwweren zouverlässeg Substrater a komplementär Servicer fir technologesch Innovatioun ze stäerken.