6 Zoll 4H SEMI Typ SiC Kompositsubstrat Déckt 500μm TTV≤5μm MOS Qualitéit

Kuerz Beschreiwung:

Mat dem schnelle Fortschrëtt vun der 5G-Kommunikatiouns- a Radartechnologie ass dat 6-Zoll-Hallefisoléierend SiC-Kompositsubstrat zu engem Kärmaterial fir d'Fabrikatioun vun Héichfrequenz-Geräter ginn. Am Verglach mat traditionelle GaAs-Substrater behält dëst Substrat en héije Widderstand (>10⁸ Ω·cm), während et d'Wärmeleitfäegkeet ëm méi wéi dat 5-facht verbessert, wat effektiv d'Erausfuerderunge vun der Wärmeofleedung a Millimeterwellen-Geräter adresséiert. D'Leeschtungsverstäerker an alldeeglechen Apparater wéi 5G-Smartphones an Satellittekommunikatiounsterminaler sinn wahrscheinlech op dësem Substrat gebaut. Mat eiser proprietärer "Buffer Layer Doping Compensation"-Technologie hu mir d'Mikroleitungsdicht op ënner 0,5/cm² reduzéiert an e ganz niddrege Mikrowellenverloscht vun 0,05 dB/mm erreecht.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Technesch Parameteren

Artikelen	Spezifikatioun	Artikelen	Spezifikatioun
Duerchmiesser	150±0,2 mm	Frontrauheet (Si-Fläch)	Ra≤0,2 nm (5μm × 5μm)
Polytyp	4H	Kantenabschlag, Kratzer, Rëss (visuell Inspektioun)	Keen
Widderstandsfäegkeet	≥1E8 Ω·cm	TTV	≤5 μm
Déckt vun der Transferschicht	≥0,4 μm	Ketten	≤35 μm
Void (2mm>D>0.5mm)	≤5 Stéck/Wafel	Déckt	500±25 μm

Schlësselmerkmale

1. Aussergewéinlech Héichfrequenzleistung
Dat 6-Zoll hallefisoléierend SiC-Komposit-Substrat benotzt en graduéierten dielektresche Schichtdesign, wat eng Variatioun vun der dielektrescher Konstant vu <2% am Ka-Band (26,5-40 GHz) garantéiert an d'Phasenkonsistenz ëm 40% verbessert. Eng Erhéijung vun der Effizienz ëm 15% an en 20% méi niddrege Stroumverbrauch an T/R-Moduler, déi dëst Substrat benotzen.

2. Duerchbroch am Thermomanagement
Eng eenzegaarteg "Wärmebréck"-Kompositstruktur erméiglecht eng lateral Wärmeleitfäegkeet vu 400 W/m·K. A 28 GHz 5G-Basisstatiouns-PA-Moduler klëmmt d'Kräizungstemperatur no 24 Stonne kontinuéierleche Betrib nëmmen ëm 28°C – 50°C méi niddreg wéi bei konventionelle Léisungen.

3. Iwwerleeën Waferqualitéit
Duerch eng optiméiert Physikalesch Dampftransportmethod (PVT) erreechen mir eng Dislokatiounsdicht vu <500/cm² an eng total Dickevariatioun (TTV) vu <3 μm.
4. Produktiounsfrëndlech Veraarbechtung
Eise Laserglühprozess, deen speziell fir dat 6-Zoll halbisoléierend SiC-Kompositsubstrat entwéckelt gouf, reduzéiert d'Uewerflächendicht ëm zwou Gréisstenuerdnungen virun der Epitaxi.

Haaptapplikatiounen

1. Kärkomponenten vun der 5G Basisstatioun
A massive MIMO-Antennenarrays erreechen GaN HEMT-Geräter op 6-Zoll halbisoléierenden SiC-Kompositsubstrater eng Ausgangsleistung vun 200 W an eng Effizienz vu méi wéi 65 %. Feldtester bei 3,5 GHz hunn eng Erhéijung vum Ofdeckungsradius vun 30 % gewisen.

2. Satellittekommunikatiounssystemer
Satellitten-Transceiver an der niddreger Äerdëmlafbunn (LEO), déi dëst Substrat benotzen, weisen en 8 dB méi héijen EIRP am Q-Band (40 GHz) a reduzéieren dobäi d'Gewiicht ëm 40%. D'Starlink-Terminale vu SpaceX hunn et fir d'Masseproduktioun adoptéiert.

3. Militäresch Radarsystemer
Phased-Array Radar T/R Moduler op dësem Substrat erreechen eng Bandbreet vu 6-18 GHz an eng Rauschzuel vun nëmmen 1,2 dB, wouduerch d'Detektiounsreechwäit a Frühwarnradarsystemer ëm 50 km erweidert gëtt.

4. Millimeterwellenradar fir Autoen
79 GHz Autosradarchips, déi dëst Substrat benotzen, verbesseren d'Wénkelausléisung op 0,5° a erfëllen domat d'Ufuerderunge fir autonomt Fuerwierk am L4-Stil.

Mir bidden eng ëmfaassend personaliséiert Serviceléisung fir 6-Zoll halbisoléierend SiC-Kompositsubstrater. Wat d'Personaliséierung vu Materialparameter ugeet, ënnerstëtze mir eng präzis Reguléierung vum Widderstand am Beräich vun 10⁶-10¹⁰ Ω·cm. Besonnesch fir militäresch Uwendungen kënne mir eng Optioun mat engem ultrahéijen Widderstand vun >10⁹ Ω·cm ubidden. Et bitt dräi Décktspezifikatioune gläichzäiteg vun 200μm, 350μm a 500μm, mat enger strikt kontrolléierter Toleranz bannent ±10μm, fir verschidden Ufuerderungen ze erfëllen, vun Héichfrequenzapparater bis zu Héichleistungsapplikatiounen.

Wat d'Uewerflächenbehandlungsprozesser ugeet, bidden mir zwou professionell Léisungen: Chemesch-mechanesch Polieren (CMP) kann eng Uewerflächenflaachheet op atomarer Ebene mat Ra<0,15nm erreechen, wat déi usprochsvollst Ufuerderunge fir epitaktesch Wuesstem erfëllt; Déi epitaktesch-bereet Uewerflächenbehandlungstechnologie fir séier Produktiounsufuerderunge kann ultraglat Uewerflächen mat Sq<0,3nm an enger Reschtoxiddicke vun <1nm liwweren, wat de Virbehandlungsprozess um Enn vum Client däitlech vereinfacht.

XKH bitt ëmfaassend personaliséiert Léisunge fir 6-Zoll halbisoléierend SiC-Kompositsubstrater

1. Personaliséierung vun de Materialparameteren
Mir bidden präzis Widderstandsofstëmmung am Beräich vun 10⁶-10¹⁰ Ω·cm, mat spezialiséierten Optiounen fir ultra-héije Widderstandsfäegkeet >10⁹ Ω·cm fir militäresch/Loftfaart-Uwendungen.

2. Spezifikatioune vun der Déckt
Dräi standardiséiert Décktoptiounen:

· 200μm (optimiséiert fir Héichfrequenzgeräter)

· 350μm (Standardspezifikatioun)

· 500μm (fir Uwendungen mat héijer Leeschtung entwéckelt)
· All Varianten halen eng Décktetoleranz vun ±10μm un.

3. Technologien fir d'Uewerflächenbehandlung

Chemesch-mechanesch Poléieren (CMP): Erreecht Uewerflächenflaachheet op atomarer Ebene mat Ra < 0,15 nm, wat déi streng Ufuerderunge fir epitaktesch Wuesstem fir HF- an Energieversuergungsapparater erfëllt.

4. Epi-Ready Uewerflächenveraarbechtung

· Liwwert ultra-glat Uewerflächen mat enger Rauheet vun Sq<0.3nm

· Kontrolléiert d'natierlech Oxiddicke op <1nm

· Eliminéiert bis zu 3 Virveraarbechtungsschrëtt an de Clientsanlagen