50,8 mm 2 Zoll GaN op Saphir Epi-Layer wafer

Kuerz Beschreiwung:

Als drëtt Generatioun Hallefleitmaterial huet Galliumnitrid d'Virdeeler vun héijer Temperaturbeständegkeet, héich Kompatibilitéit, héich thermesch Konduktivitéit a breet Bandspalt. Laut verschiddene Substratmaterialien kënnen d'Galliumnitrid Epitaxialplacke a véier Kategorien opgedeelt ginn: Galliumnitrid baséiert op Galliumnitrid, Siliziumcarbid baséiert Galliumnitrid, Saphir baséiert Galliumnitrid a Siliziumbaséiert Galliumnitrid. Silicon-baséiert Galliumnitrid Epitaxial Blat ass dat am meeschte verbreet Produkt mat niddrege Produktiounskäschten a reife Produktiounstechnologie.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Uwendung vu Galliumnitrid GaN epitaxial Blat

Baséierend op d'Performance vu Galliumnitrid, Galliumnitrid Epitaxial Chips si haaptsächlech gëeegent fir héich Kraaft, Héichfrequenz, a Low Volt Uwendungen.

Et spigelt sech an:

1) Héich Bandgap: Héich Bandgap verbessert de Spannungsniveau vu Galliumnitrid-Geräter a kann méi héich Kraaft ausginn wéi Galliumarsenid-Geräter, wat besonnesch gëeegent ass fir 5G Kommunikatiounsbasisstatiounen, Militärradar an aner Felder;

2) Héich Konversiounseffizienz: d'On-Resistenz vu Galliumnitrid-Schaltkraaft-elektronesche Geräter ass 3 Uerderen vun der Gréisst manner wéi déi vu Silizium-Geräter, wat den On-Switching-Verloscht wesentlech reduzéieren kann;

3) Héich thermesch Konduktivitéit: déi héich thermesch Konduktivitéit vu Galliumnitrid mécht et exzellent Wärmevergëftungsleistung, gëeegent fir d'Produktioun vu High-Power, High-Temperatur an aner Felder vun Apparater;

4) Decompte elektresch Feldstäerkt: Och wann d'Decompte elektresch Feldstäerkt vu Galliumnitrid no bei där vun Siliziumnitrid ass, wéinst Halbleiterprozess, Materialgitter Mësshandlung an aner Faktoren, ass d'Spannungstoleranz vu Galliumnitrid Geräter normalerweis ongeféier 1000V, an sécher Notzungsspannung ass normalerweis ënner 650V.

Artikel	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Dimensiounen	e 50,8 mm ± 0,1 mm
Dicke	4,5 ± 0,5 um		4,5 ± 0,5 um
Orientéierung	C-Plan (0001) ± 0,5°
Leedung Typ	N-Typ (Ongedopt)	N-Typ (Si-dotéiert)	P-Typ (Mg-dotéiert)
Resistivitéit (3O0K)	< 0,5 Q・cm	< 0,05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Carrier Konzentratioun	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016 cm^-3
Mobilitéit	~300 cm²/Vs	~200 cm²/Vs	~10 cm²/Vs
Dislokatioun Dicht	Manner wéi 5x10⁸cm^-2(berechent duerch FWHMs vun XRD)
Substrat Struktur	GaN op Sapphire (Standard: SSP Optioun: DSP)
Benotzbar Fläch	> 90%
Package	Verpackt an enger Klass 100 propper Raumëmfeld, a Kassetten vun 25pcs oder eenzel Waferbehälter, ënner enger Stickstoffatmosphär.