50,8 mm 2 Zoll GaN op Saphir Epi-Layer Wafer

Kuerz Beschreiwung:

Als Hallefleedermaterial vun der drëtter Generatioun huet Galliumnitrid d'Virdeeler vun héijer Temperaturbeständegkeet, héijer Kompatibilitéit, héijer Wärmeleitfäegkeet a breeder Bandlück. Jee no de verschiddene Substratmaterialien kënnen Epitaxialplacke vu Galliumnitrid a véier Kategorien agedeelt ginn: Galliumnitrid op Basis vu Galliumnitrid, Galliumnitrid op Basis vu Siliziumcarbid, Galliumnitrid op Basis vu Saphir a Galliumnitrid op Basis vu Silizium. Epitaxialplacke vu Galliumnitrid op Siliziumbasis sinn dat am meeschte verbreet Produkt mat niddrege Produktiounskäschten an enger reifer Produktiounstechnologie.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Uwendung vun Galliumnitrid GaN epitaxialer Plack

Baséierend op der Leeschtung vu Galliumnitrid sinn Epitaxialchips aus Galliumnitrid haaptsächlech fir Uwendungen mat héijer Leeschtung, héijer Frequenz an Nidderspannung gëeegent.

Et spigelt sech an:

1) Héich Bandlück: Déi héich Bandlück verbessert den Spannungsniveau vu Galliumnitrid-Apparater a kann eng méi héich Leeschtung ausginn wéi Galliumarsenid-Apparater, wat besonnesch fir 5G-Kommunikatiounsbasisstatiounen, Militärradar an aner Beräicher gëeegent ass;

2) Héich Konversiounseffizienz: den On-Widerstand vun Galliumnitrid-Schaltleistungselektronen ass 3 Gréisstenuerdnungen méi niddreg wéi dee vu Siliziumelektronen, wat de On-Schaltverloscht däitlech reduzéiere kann;

3) Héich thermesch Konduktivitéit: Déi héich thermesch Konduktivitéit vu Galliumnitrid mécht et zu enger exzellenter Wärmeverdeelungsleistung, déi fir d'Produktioun vun Apparater mat héijer Leeschtung, héijer Temperatur an anere Beräicher gëeegent ass;

4) Duerchbrochstäerkt vum elektresche Feld: Och wann d'Duerchbrochstäerkt vum elektresche Feld vu Galliumnitrid no bei där vu Siliziumnitrid läit, ass d'Spannungstoleranz vu Galliumnitrid-Bauelementer wéinst dem Hallefleiterprozess, der Materialgitter-Ofstëmmung an anere Faktoren normalerweis ongeféier 1000 V, an d'Sécherheetsspannung ass normalerweis ënner 650 V.

Artikel	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Dimensiounen	e 50,8 mm ± 0,1 mm
Déckt	4,5±0,5 µm		4,5 ± 0,5 µm
Orientéierung	C-Ebene(0001) ±0,5°
Leitungsart	N-Typ (Ondotiert)	N-Typ (Si-dotiert)	P-Typ (Mg-dotiert)
Widderstand (3O0K)	< 0,5 Q・cm	< 0,05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Carrier Konzentratioun	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016 cm^-3
Mobilitéit	~ 300 cm²/Vs	~ 200 cm²/Vs	~ 10 cm²/Vs
Verrécklungsdicht	Manner wéi 5x10⁸cm^-2(berechent duerch FWHMs vun XRD)
Substratstruktur	GaN op Sapphire (Standard: SSP Optioun: DSP)
Benotzbar Uewerfläch	> 90%
Pak	Verpackt an enger Klass 100 Propperraumumgebung, a Kassetten vun 25 Stéck oder eenzel Waferbehälter, ënner enger Stéckstoffatmosphär.