4 Zoll SiC Epi-Wafer fir MOS oder SBD

Epitaxie bezitt sech op d'Wuesstem vun enger Schicht aus méi héichwäertegem Eenkristallmaterial op der Uewerfläch vun engem Siliziumcarbid-Substrat. Dorënner gëtt d'Wuesstem vun enger Galliumnitrid-Epitaxialschicht op engem halbisoléierende Siliziumcarbid-Substrat heterogen Epitaxie genannt; d'Wuesstem vun enger Siliziumcarbid-Epitaxialschicht op der Uewerfläch vun engem leitfäege Siliziumcarbid-Substrat gëtt homogen Epitaxie genannt.

Epitaktesch ass am Aklang mat den Ufuerderunge vum Apparatdesign vum Wuesstum vun der Haaptfunktionsschicht, wat gréisstendeels d'Leeschtung vum Chip an dem Apparat bestëmmt, d'Käschte sinn 23%. Déi wichtegst Methode vun der SiC-Dënnschichteepitaxie an dëser Phas sinn: chemesch Dampfoflagerung (CVD), molekular Straleepitaxie (MBE), flësseg Phasenepitaxie (LPE) a gepulste Laseroflagerung a Sublimatioun (PLD).

Epitaxie ass e ganz wichtege Link an der ganzer Industrie. Duerch d'Zucht vu GaN-Epitaxialschichten op halbisoléierende Siliziumcarbid-Substrater ginn GaN-Epitaxialwaferen op Basis vu Siliziumcarbid produzéiert, déi weider a GaN-HF-Komponenten, wéi z. B. Transistoren mat héijer Elektronenmobilitéit (HEMTs), ëmgewandelt kënne ginn;

Duerch d'Ubaue vun enger epitaktischer Siliziumcarbid-Schicht op engem leitfäege Substrat fir eng epitaktesch Siliziumcarbid-Wafer ze kréien, an an der epitaktischer Schicht bei der Fabrikatioun vu Schottky-Dioden, Gold-Sauerstoff-Halleffeld-Effekttransistoren, isoléierte Gate-Bipoltransistoren an aner Energieversuergungsgeräter, spillt d'Qualitéit vun der epitaktischer Schicht och eng ganz wichteg Roll bei der Leeschtung vum Apparat.