4 Zoll SiC Epi Wafer fir MOS oder SBD

4inch SiC Epi wafer fir MOS oder SBD Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

SiCC huet eng komplett SiC (Silicon Carbide) Wafer Substrat Produktiounslinn, integréiert Kristallwachstum, Wafer Veraarbechtung, Wafer Fabrikatioun, Polieren, Botzen an Testen. Am Moment kënne mir axial oder off-achs semi-isoléierend a semi-leitend 4H a 6H SiC Wafere mat Gréissten vun 5x5mm2, 10x10mm2, 2", 3", 4" a 6" ubidden, duerch Defekt Ënnerdréckung, Kristallsaatprozess briechen a séier Wuesstem an aner Et huet duerch d'Schlëssel Technologien wéi Defekt Ënnerdréckung gebrach, Kristallsëtz Som Veraarbechtung a séier Wuesstem, a gefördert der Basis Fuerschung an Entwécklung vun Silicon Carbide epitaxy, Apparater an aner Zesummenhang Basis Fuerschung.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Epitaxie bezitt sech op de Wuesstum vun enger Schicht vu méi héije Qualitéits Eenkristallmaterial op der Uewerfläch vun engem Siliziumkarbidsubstrat. Ënnert hinne gëtt de Wuesstum vun der Epitaxialschicht vun der Galliumnitrid op engem semi-isoléierende Siliziumkarbid-Substrat heterogen Epitaxie genannt; de Wuesstum vun enger Siliziumkarbid-Epitaxialschicht op der Uewerfläch vun engem konduktiven Siliziumkarbid-Substrat gëtt homogen Epitaxie genannt.

Epitaxial ass am Aklang mat den Apparat Design Ufuerderunge vum Wuesstem vun der Haaptrei funktionell Layer, haaptsächlech bestëmmt d'Leeschtung vun der Chip an Apparat, d'Käschte vun 23%. D'Haaptmethoden vun der SiC Dënnfilmepitaxie op dëser Etapp enthalen: chemesch Dampdepositioun (CVD), Molekulare Strahlepitaxie (MBE), Flëssegphase Epitaxie (LPE), a pulséiert Laser Oflagerung a Sublimatioun (PLD).

Epitaxy ass e ganz kritesche Link an der ganzer Industrie. Andeems GaN epitaxial Schichten op semi-isoléierend Silicium Carbide Substrate wuessen, ginn GaN epitaxial Wafere baséiert op Siliziumcarbid produzéiert, déi weider a GaN RF-Geräter wéi High-Elektron Mobility Transistoren (HEMTs) gemaach kënne ginn;

Duerch wuessen Silicon Carbide epitaxial Layer op konduktiv Substrat Silicon Carbide epitaxial wafer ze kréien, an der epitaxial Layer op der Fabrikatioun vun Schottky diodes, Gold-Sauerstoff Halleffeld Effekt Transistoren, isoléiert Gate bipolare Transistoren an aner Muecht Apparater, sou d'Qualitéit vun d'Epitaxial op d'Leeschtung vum Apparat ass ganz groussen Impakt op d'Entwécklung vun der Industrie spillt och eng ganz kritesch Roll.