4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SiC Kristallwuesstumsuewen fir CVD-Prozess

Kuerz Beschreiwung:

Den SiC Kristallwuesstumsuewen CVD Chemesch Dampoflagerungssystem vun XKH benotzt weltwäit féierend chemesch Dampoflagerungstechnologie, speziell fir héichqualitativt SiC-Eenkristallwuesstum entwéckelt. Duerch präzis Kontroll vu Prozessparameteren, dorënner Gasfluss, Temperatur an Drock, erméiglecht et e kontrolléiert SiC-Kristallwuesstum op 4-8 Zoll Substrater. Dëst CVD-System kann verschidden SiC-Kristalltypen produzéieren, dorënner den 4H/6H-N-Typ an den 4H/6H-SEMI-Isolatiounstyp, a bitt komplett Léisunge vun Ausrüstung bis Prozesser. De System ënnerstëtzt d'Wuesstumsufuerderunge fir 2-12 Zoll Waferen, wat en besonnesch gëeegent mécht fir d'Masseproduktioun vu Kraaftelektronik an HF-Geräter.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Aarbechtsprinzip

De Kärprinzip vun eisem CVD-System besteet aus der thermescher Zersetzung vu siliziumhaltege (z.B. SiH4) a kuelestoffhaltege (z.B. C3H8) Virleefergaser bei héijen Temperaturen (typesch 1500-2000°C), andeems SiC-Eenzelkristaller op Substrater duerch chemesch Reaktiounen an der Gasphas ofgesat ginn. Dës Technologie ass besonnesch gëeegent fir d'Produktioun vun héichreine (>99,9995%) 4H/6H-SiC-Eenzelkristaller mat enger gerénger Defektdicht (<1000/cm²), déi déi streng Materialufuerderunge fir Leeschtungselektronik an HF-Geräter erfëllen. Duerch präzis Kontroll vun der Gaszesummesetzung, dem Duerchfluss an dem Temperaturgradient erméiglecht de System eng präzis Reguléierung vum Kristallleitfäegkeetstyp (N/P-Typ) a vum Widderstand.

Systemtypen an technesch Parameteren

Systemtyp	Temperaturberäich	Schlësselmerkmale	Uwendungen
Héichtemperatur-CVD	1500-2300°C	Grafit-Induktiounsheizung, Temperaturuniformitéit vun ±5°C	Grouss SiC Kristallwuesstum
Hot-Filament CVD	800-1400°C	Wolframfilamentheizung, Oflagerungsquote vun 10-50 μm/h	SiC déck Epitaxie
VPE CVD	1200-1800°C	Méizonentemperaturkontroll, >80% Gasauslastung	Masseproduktioun vun Epi-Waferen
PECVD	400-800°C	Plasmaverstäerkt, Oflagerungsquote vun 1-10μm/h	Dënn Schichten vun SiC fir niddreg Temperaturen

Schlëssel technesch Charakteristiken

1. Fortgeschratt Temperaturkontrollsystem
Den Uewen huet e méizonent resistent Heizsystem, dat Temperaturen bis zu 2300°C mat enger Gläichméissegkeet vun ±1°C iwwer déi ganz Wuesskammer erhale kann. Dës präzis thermesch Gestioun gëtt duerch:
12 onofhängeg kontrolléiert Heizzonen.
Redundant Thermoelement-Iwwerwaachung (Typ C W-Re).
Echtzäit-Algorithmen fir d'Upassung vun der thermescher Profil.
Waassergekillte Kammerwänn fir d'Kontroll vun der thermescher Gradient.

2. Gasliwwerungs- a Mëschtechnologie
Eist eegent Gasverdeelungssystem garantéiert eng optimal Mëschung vun de Virleefer an eng gläichméisseg Liwwerung:
Massenflussregler mat enger Genauegkeet vun ±0,05 sccm.
Méipunkt-Gasinjektiounskrümmer.
In-situ Gaszesummesetzungskontrolle (FTIR-Spektroskopie).
Automatesch Flosskompensatioun während Wuesszyklen.

3. Verbesserung vun der Kristallqualitéit
De System enthält verschidde Innovatiounen fir d'Kristallqualitéit ze verbesseren:
Rotéierend Substrathalter (0-100rpm programméierbar).
Fortgeschratt Technologie fir d'Kontroll vun der Grenzschicht.
In-situ Defektiwwerwaachungssystem (UV-Laserstreuung).
Automatesch Stresskompensatioun während dem Wuesstum.

4. Prozessautomatiséierung a Kontroll
Voll automatiséiert Rezeptausféierung.
Echtzäit Wuesstemsparameter Optimiséierung KI.
Ferniwwerwaachung an Diagnostik.
Iwwer 1000 Parameterdatenprotokoller (5 Joer gespäichert).

5. Sécherheets- a Zouverlässegkeetsfeatures
Dräifach redundant Iwwertemperaturschutz.
Automatescht Noutfallspülungssystem.
Seismesch bewäertte Strukturdesign.
98,5% Uptime-Garantie.

6. Skalierbar Architektur
De modulare Design erméiglecht d'Kapazitéitserhéijungen.
Kompatibel mat Wafergréissten vun 100 mm bis 200 mm.
Ënnerstëtzt souwuel vertikal wéi och horizontal Konfiguratiounen.
Schnellwiesselkomponenten fir Ënnerhalt.

7. Energieeffizienz
30% manner Stroumverbrauch wéi vergläichbar Systemer.
D'Wärmerückgewinnungssystem fängt 60% vun der Iwwerhëtzt un.
Optimiséiert Algorithmen fir Gasverbrauch.
LEED-konform Ufuerderunge fir d'Anlag.

8. Materialvielfältegkeet
Wuesse all grouss SiC Polytypen (4H, 6H, 3C).
Ënnerstëtzt souwuel konduktiv wéi och halbisoléierend Varianten.
Kënnt mat verschiddenen Dopingschemaen (N-Typ, P-Typ) iwwereneen.
Kompatibel mat alternativen Virleefer (z.B. TMS, TES).

9. Leeschtung vum Vakuumsystem
Basisdrock: <1×10⁻⁶ Torr
Leckrate: <1×10⁻⁹ Torr·L/sec
Pompelgeschwindegkeet: 5000L/s (fir SiH₄)

Automatesch Drockkontroll während Wuesstumszyklen
Dës ëmfaassend technesch Spezifikatioun weist d'Fäegkeet vun eisem System, SiC-Kristaller a Fuerschungsqualitéit a Produktiounsqualitéit mat féierender Konsistenz a Rendement ze produzéieren. D'Kombinatioun vu Präzisiounskontroll, fortgeschratt Iwwerwaachung a robuster Ingenieurskonstruktioun mécht dëst CVD-System zur optimaler Wiel fir souwuel Fuerschungs- a Entwécklungs- wéi och fir Volumenproduktiounsapplikatiounen an der Leeschtungselektronik, HF-Geräter an aner fortgeschratt Hallefleederapplikatiounen.

Schlësselvirdeeler

1. Héichqualitativt Kristallwuesstum
• Defektdichte sou niddreg wéi <1000/cm² (4H-SiC)
• Dotierungsuniformitéit <5% (6-Zoll-Waferen)
• Kristallreinheet >99,9995%

2. Grouss Produktiounskapazitéit
• Ënnerstëtzt Waferwuesstum bis zu 8 Zoll
• Duerchmiesseruniformitéit >99%
• Décktvariatioun <±2%

3. Präzis Prozesskontroll
• Genauegkeet vun der Temperaturkontroll ±1°C
• Genauegkeet vum Gasflussregelungsprozess ±0,1 sccm
• Drockkontrollgenauegkeet ±0,1 Torr

4. Energieeffizienz
• 30% méi energieeffizient wéi konventionell Methoden
• Wuestumsquote bis zu 50-200μm/h
• Betribszäit vun der Ausrüstung >95%

Schlësselapplikatiounen

1. Elektronesch Apparater fir Kraaft
6-Zoll 4H-SiC-Substrater fir 1200V+ MOSFETs/Dioden, wat d'Schaltverloschter ëm 50% reduzéiert.

2. 5G Kommunikatioun
Hallefisoléierend SiC-Substrater (Widerstand >10⁸Ω·cm) fir Basisstatiouns-PAs, mat engem Insertion Loss <0,3dB bei >10GHz.

3. Nei Energiefahrzeuge
SiC-Energiemoduler fir Automobilfuerer verlängeren d'Reechwäit vun Elektroautoen ëm 5-8% an reduzéieren d'Ladezäit ëm 30%.

4. PV-Inverter
Substrate mat wéineg Defekter erhéijen d'Konversiounseffizienz ëm iwwer 99% a reduzéieren d'Systemgréisst ëm 40%.

D'Servicer vun XKH

1. Personaliséierungsservicer
Moossgeschneidert 4-8 Zoll CVD-Systemer.
Ënnerstëtzt d'Wuesstum vum 4H/6H-N Typ, 4H/6H-SEMI Isolatiounstyp, etc.

2. Techneschen Support
Ëmfangräich Ausbildung iwwer Operatiouns- a Prozessoptimiséierung.
Technesch Äntwert 24/7.

3. Schlësselfäerdeg Léisungen
End-to-End-Servicer vun der Installatioun bis zur Prozessvalidatioun.

4. Materialversuergung
2-12 Zoll SiC-Substrater/Epi-Wafers verfügbar.
Ënnerstëtzt 4H/6H/3C Polytypen.

Schlësselënnerscheeder enthalen:
Kristallwuesstumskapazitéit bis zu 8 Zoll.
20% méi séier Wuestumsquote wéi den Duerchschnëtt an der Branche.
98% Systemzouverlässegkeet.
Komplett intelligent Kontrollsystempaket.