4H-N Dia205mm SiC Som aus China P an D Grad Monocrystaline
D'PVT (Physical Vapor Transport) Method ass eng allgemeng Method déi benotzt gëtt fir Siliziumkarbid Eenkristallen ze wuessen. Am PVT Wuesstumsprozess gëtt Siliziumkarbid Eenkristallmaterial duerch kierperlech Verdampfung an Transport zentréiert op Siliziumkarbid Som Kristalle deposéiert, sou datt nei Siliziumkarbid Eenkristallen laanscht d'Struktur vun de Somkristalle wuessen.
An der PVT-Methode spillt de Siliziumkarbid-Saatkristall eng Schlësselroll als Ausgangspunkt a Schabloun fir Wuesstum, beaflosst d'Qualitéit an d'Struktur vum endgültege Eenkristall. Wärend dem PVT Wuesstumsprozess, andeems Parameteren wéi Temperatur, Drock a Gasphase Zesummesetzung kontrolléiert ginn, kann de Wuesstum vu Siliziumkarbid Eenkristallen realiséiert ginn fir grouss Gréisst, héichqualitativ Single-Kristallmaterialien ze bilden.
De Wuesstumsprozess zentréiert op Siliziumkarbid Somkristalle vun der PVT Method ass vu grousser Bedeitung bei der Produktioun vu Siliziumkarbid Eenkristallen, a spillt eng Schlësselroll fir héichqualitativ, grouss Gréisst Siliziumkarbid Eenkristallmaterialien ze kréien.
Den 8 Zoll SiCseed Kristall dee mir ubidden ass am Moment ganz seelen um Maart. Wéinst der relativ héijer technescher Schwieregkeet kann déi grouss Majoritéit vun de Fabriken keng grouss Gréisst Somen Kristalle ubidden. Wéi och ëmmer, dank eiser laanger an enker Bezéiung mat der chinesescher Siliciumcarbidfabréck kënne mir eise Clienten dës 8-Zoll Siliciumcarbid Somwafer ubidden. Wann Dir Bedierfnesser hutt, mellt Iech gratis bei eis ze kontaktéieren. Mir kënnen d'Spezifikatioune mat Iech als éischt deelen.
Detailléiert Diagramm
