4H-N Dia205mm SiC Som aus China P an D Qualitéit Monokristallin

D'PVT-Method (Physical Vapor Transport) ass eng üblech Method fir Siliziumcarbid-Eenkristaller ze wuessen. Am PVT-Wuesstumsprozess gëtt Siliziumcarbid-Eenkristallmaterial duerch physikalesch Verdampfung an Transport ofgesat, deen op Siliziumcarbid-Somkristaller zentréiert ass, sou datt nei Siliziumcarbid-Eenkristaller laanscht d'Struktur vun de Somkristaller wuessen.

An der PVT-Method spillt de Siliziumcarbid-Somkristall eng Schlësselroll als Ausgangspunkt a Schabloun fir d'Wuesstum, andeems en d'Qualitéit an d'Struktur vum fäerdege Eenzelkristall beaflosst. Wärend dem PVT-Wuesstumsprozess kann d'Wuesstum vu Siliziumcarbid-Eenzelkristaller duerch d'Kontroll vu Parameteren wéi Temperatur, Drock a Gasphas-Zesummesetzung realiséiert ginn, fir grouss, héichwäerteg Eenzelkristallmaterialien ze bilden.

De Wuessprozess, deen op Siliziumcarbid-Keimkristaller mat der PVT-Method konzentréiert ass, ass vu grousser Bedeitung bei der Produktioun vu Siliziumcarbid-Eenkristaller a spillt eng Schlësselroll fir d'Erhale vu qualitativ héichwäertegen, grousse Siliziumcarbid-Eenkristallmaterialien.

Den 8-Zoll SiC-Somkristall, deen mir ubidden, ass de Moment ganz rar um Maart. Wéinst der relativ héijer technescher Schwieregkeet kënnen déi grouss Majoritéit vun de Fabriken keng grouss Somkristaller liwweren. Wéinst eiser laangjäreger an enker Bezéiung mat der chinesescher Siliziumcarbidfabréck kënne mir eise Clienten awer dësen 8-Zoll Siliziumcarbid-Somwafer ubidden. Wann Dir Bedierfnesser hutt, zéckt net, eis ze kontaktéieren. Mir kënnen Iech d'Spezifikatioune fir d'éischt matdeelen.