4 Zoll SiC Wafers 6H Semi-isoléierend SiC Substrate Prime, Fuerschung, an Dummy Grad

4 Zoll SiC Wafers 6H Semi-isoléierend SiC Substraten Prime, Fuerschung, an Dummy Grad Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Semi-isoléiert Siliziumkarbidsubstrat gëtt geformt duerch Ausschneiden, Schleifen, Polieren, Botzen an aner Veraarbechtungstechnologie nom Wuesstum vum semi-isoléierte Siliziumkarbidkristall. Eng Schicht oder Multilayer Kristallschicht gëtt um Substrat ugebaut, deen d'Qualitéitsufuerderunge als Epitaxie entsprécht, an dann gëtt de Mikrowelle RF-Apparat gemaach andeems de Circuit Design a Verpakung kombinéiert gëtt. Verfügbar als 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Industrie-, Fuerschungs- an Testgrad semi-isoléiert Siliziumkarbid Eenkristallsubstrater.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Produit Spezifizéierung

Grad			Zero MPD Produktiounsgrad (Z Grad)			Standard Produktiounsgrad (P Grad)		Dummy Grad (D Grad)
Duerchmiesser			99,5 mm ~ 100,0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Wafer Orientatioun			Off Achs: 4.0° Richtung < 1120 > ± 0.5° fir 4H-N, Op Achs: <0001> ± 0.5° fir 4H-SI
	4H-SI		≤1 cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Primär flaach Orientéierung		{10-10} ± 5,0°
Primär flaach Längt		32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundär flaach Längt		18,0 mm ± 2,0 mm
Secondary Flat Orientation		Silicon Gesiicht erop: 90 ° CW. aus Prime flaach ± 5,0°
Rand Ausgrenzung		3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauhegkeet			C Gesiicht				Polnesch		Ra≤1 nm
			Si Gesiicht	CMP	Ra ≤ 0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Edge Cracks Vun High Intensity Light		Keen						Kumulativ Längt ≤ 10 mm, eenzel Längt ≤2 mm
Hex Placke Vun High Intensity Light		Kumulativ Fläch ≤0,05%						Kumulativ Fläch ≤0,1%
Polytype Beräicher Vun High Intensitéit Light		Keen						Kumulative Beräich ≤3%
Visual Carbon Inklusiounen		Kumulativ Fläch ≤0,05%						Kumulativ Beräich ≤3%
Silicon Surface Scratches Duerch High Intensity Light		Keen						Kumulativ Längt≤1＊ wafer Duerchmiesser
Edge Chips High By Intensity Light		Keen erlaabt ≥0,2 mm Breet an Déift						5 erlaabt, ≤1 mm all
Silicon Surface Kontaminatioun Duerch Héich Intensitéit		Keen
Verpakung		Multi-wafer Kassett Oder Single Wafer Container