4 Zoll Saphir Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Uwendungen
● Wuesstem Substrat fir III-V an II-VI Verbindungen.
● Elektronik an Optoelektronik.
● IR Uwendungen.
● Silicon On Saphir Integréiert Circuit (SOS).
● Radio Frequenz Integréiert Circuit (RFIC).
An der LED Produktioun ginn Saphirwaferen als Substrat fir de Wuesstum vu Galliumnitrid (GaN) Kristalle benotzt, déi Liicht emittéieren wann en elektresche Stroum applizéiert gëtt. Saphir ass en idealt Substratmaterial fir GaN Wuesstum well et eng ähnlech Kristallstruktur an thermesch Expansiounskoeffizient wéi GaN huet, wat Mängel miniméiert an d'Kristallqualitéit verbessert.
An der Optik ginn Saphirwaferen als Fënsteren a Lënsen an Héichdrock- an Héichtemperaturëmfeld benotzt, wéi och an Infraroutbillersystemer, wéinst hirer héijer Transparenz an Härheet.
Spezifizéierung
Artikel | 4 Zoll C-Plane (0001) 650μm Saphir Wafers | |
Kristallmaterialien | 99.999%, Héich Puritéit, Monokristallin Al2O3 | |
Grad | Premier, Epi-Ready | |
Uewerfläch Orientatioun | C-Plane (0001) | |
C-Plan Off-Wénkel Richtung M-Achs 0,2 +/- 0,1 ° | ||
Duerchmiesser | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
Dicke | 650 μm +/- 25 μm | |
Primär flaach Orientéierung | A-Fliger (11-20) +/- 0,2° | |
Primär flaach Längt | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
Single Side poléiert | Front Uewerfläch | Epi-poléiert, Ra < 0,2 nm (vun AFM) |
(SSP) | Réck Uewerfläch | Fein Buedem, Ra = 0,8 μm bis 1,2 μm |
Duebel Säit poléiert | Front Uewerfläch | Epi-poléiert, Ra < 0,2 nm (vun AFM) |
(DSP) | Réck Uewerfläch | Epi-poléiert, Ra < 0,2 nm (vun AFM) |
TTV | < 20 μm | |
BOU | < 20 μm | |
WARP | < 20 μm | |
Botzen / Verpakung | Class 100 Cleanroom Botzen a Vakuum Verpakung, | |
25 Stécker an enger Kassettverpackung oder Eenzelverpackung. |
Verpakung & Versand
Allgemeng schwätze mir de Package duerch 25pcs Kassettkëscht; mir kënnen och duerch eenzel Wafer Container ënner 100 Schouljoer Botzen Sall gepackt no de Client d'Noutwendegkeete.