3 Zoll SiC-Substrat Produktiounsdiameter 76,2 mm 4H-N

Déi wichtegst Eegeschafte vun 3 Zoll Siliziumcarbid-Mosfet-Waferen sinn wéi follegt;

Siliziumkarbid (SiC) ass e Hallefleitermaterial mat enger breeder Bandlück, dat sech duerch eng héich thermesch Konduktivitéit, eng héich Elektronemobilitéit an eng héich Duerchbrochstäerkt vum elektresche Feld charakteriséiert. Dës Eegeschafte maachen SiC-Waferen aussergewéinlech an Uwendungen mat héijer Leeschtung, Héichfrequenz an Héichtemperaturen. Besonnesch am 4H-SiC Polytyp bitt seng Kristallstruktur eng exzellent elektronesch Leeschtung, wat et zum Material vun der Wiel fir elektronesch Leeschtungsapparater mécht.

Den 3-Zoll Siliziumkarbid 4H-N Wafer ass e mat Stéckstoff dotierte Wafer mat N-Typ Konduktivitéit. Dës Dotiermethod gëtt dem Wafer eng méi héich Elektronekonzentratioun, wouduerch d'konduktiv Leeschtung vum Apparat verbessert gëtt. D'Gréisst vum Wafer, mat 3 Zoll (Duerchmiesser vu 76,2 mm), ass eng allgemeng benotzt Dimensioun an der Hallefleederindustrie, déi fir verschidde Produktiounsprozesser gëeegent ass.

De 3-Zoll Siliziumkarbid 4H-N Wafer gëtt mat der Physical Vapor Transport (PVT) Method produzéiert. Dëse Prozess besteet doran, datt SiC-Pulver bei héijen Temperaturen an Eenzelkristaller ëmgewandelt gëtt, wat d'Kristallqualitéit an d'Uniformitéit vum Wafer garantéiert. Zousätzlech ass d'Déckt vum Wafer typescherweis ongeféier 0,35 mm, an seng Uewerfläch gëtt duebelsäiteg poléiert, fir eng extrem héich Flaachheet an Gläichheet z'erreechen, wat fir déi spéider Hallefleederherstellungsprozesser entscheedend ass.

Den Uwendungsberäich vum 3-Zoll Siliziumkarbid 4H-N Wafer ass extensiv, dorënner héichleistungselektronesch Geräter, Héichtemperatursensoren, HF-Geräter an optoelektronesch Geräter. Seng exzellent Leeschtung a Zouverlässegkeet erméiglechen et dësen Apparater, ënner extremen Bedéngungen stabil ze funktionéieren an doduerch d'Nofro no héichleistungsvollen Hallefleitermaterialien an der moderner Elektronikindustrie ze erfëllen.

Mir kënnen 4H-N 3 Zoll SiC Substrat, verschidde Qualitéite vu Substratwaferen ubidden. Mir kënnen och personaliséiert Material no Äre Besoinen arrangéieren. Wëllkomm op Ufro!