3 Zoll SiC Substrat Produktioun Dia76.2mm 4H-N

D'Haaptrei Fonctiounen vun 3 Zoll Silicon Carbide Mosfet wafers sinn wéi follegt;

Silicon Carbide (SiC) ass e breet Bandgap Hallefleitmaterial, charakteriséiert duerch héich thermesch Konduktivitéit, héich Elektronemobilitéit, an eng héich Decompte elektresch Feldstäerkt. Dës Eegeschafte maachen SiC Waferen aussergewéinlech an Héichkraaft, Héichfrequenz an Héichtemperatur Uwendungen. Besonnesch am 4H-SiC Polytyp bitt seng Kristallstruktur exzellent elektronesch Leeschtung, sou datt et d'Material vun der Wiel fir Kraaftelektronesch Geräter mécht.

Den 3-Zoll Silicon Carbide 4H-N Wafer ass e Stickstoff-dotéierte Wafer mat N-Typ Konduktivitéit. Dës Dopingmethod gëtt dem Wafer eng méi héich Elektronenkonzentratioun, an doduerch d'Leedungsleistung vum Apparat verbessert. D'Gréisst vum Wafer, bei 3 Zoll (Duerchmiesser vu 76,2 mm), ass eng allgemeng benotzt Dimensioun an der Hallefleitindustrie, gëeegent fir verschidde Fabrikatiounsprozesser.

Den 3-Zoll Silicon Carbide 4H-N Wafer gëtt mat der Physical Vapor Transport (PVT) Method produzéiert. Dëse Prozess beinhalt d'Transformatioun vu SiC-Pulver an eenzel Kristalle bei héijen Temperaturen, fir d'Kristallqualitéit an d'Uniformitéit vum Wafer ze garantéieren. Zousätzlech ass d'Dicke vun der Wafer typesch ongeféier 0,35 mm, a seng Uewerfläch gëtt duebelsäiteg poléieren fir en extrem héije Niveau vu Flaachheet a Glatheet z'erreechen, wat entscheedend ass fir spéider Hallefleitfabrikatiounsprozesser.

D'Applikatiounspalette vun der 3-Zoll Silicon Carbide 4H-N Wafer ass extensiv, dorënner High-Power elektronesch Geräter, Héichtemperatursensoren, RF-Geräter, an optoelektronesch Geräter. Seng exzellent Leeschtung an Zouverlässegkeet erméiglechen dës Geräter stabil ënner extremen Konditiounen ze bedreiwen, an d'Nofro fir High-Performance Hallefleitmaterialien an der moderner Elektronikindustrie entspriechen.

Mir kënnen 4H-N 3inch SiC Substrat ubidden, verschidde Graden vu Substratlagerwaferen. Mir kënnen och Personnalisatioun no Äre Besoinen arrangéieren. Wëllkomm Ufro!