3 Zoll High Purity Semi-Isolating (HPSI) SiC Wafer 350um Dummy Grad Prime Grade

3 Zoll Héich Puritéit Semi-Isoléierend (HPSI) SiC Wafer 350um Dummy Grad Prime Grad Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Den HPSI (High-Purity Silicon Carbide) SiC Wafer, mat engem 3-Zoll Duerchmiesser an enger Dicke vun 350 µm ± 25 µm, ass konstruéiert fir opzedeelen Kraaftelektronik Uwendungen. SiC Wafere si bekannt fir hir aussergewéinlech Materialeigenschaften, sou wéi héich thermesch Konduktivitéit, Héichspannungsresistenz, a minimalen Energieverloscht, wat se zu enger bevorzugter Wiel fir Kraaft Hallefleitgeräter maachen. Dës Wafere sinn entwéckelt fir extrem Konditiounen ze handhaben, déi verbessert Leeschtung an Héichfrequenz-, Héichspannungs- an Héichtemperaturëmfeld ubidden, all wärend méi Energieeffizienz an Haltbarkeet garantéiert.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Applikatioun

HPSI SiC Wafere si pivotal fir d'nächst Generatioun Kraaftgeräter z'erméiglechen, déi a verschiddene High-Performance Uwendungen benotzt ginn:
Power Conversion Systems: SiC Wafers déngen als Kärmaterial fir Kraaftapparater wéi Power MOSFETs, Dioden, an IGBTs, déi entscheedend sinn fir effizient Kraaftkonversioun an elektresche Circuiten. Dës Komponente sinn an héich-Effizienz Energieversuergung fonnt, Motor fiert, an industriell inverters.

Elektresch Gefierer (EVs):Déi wuessend Nofro fir elektresch Gefierer erfuerdert d'Benotzung vu méi effizienter Kraaftelektronik, a SiC Wafere sinn un der Spëtzt vun dëser Transformatioun. An EV Powertrains bidden dës Wafere héich Effizienz a séier Schaltfäegkeeten, déi zu méi séier Opluedzäiten, méi laang Streck a verstäerkte Gefierleistung bäidroen.

Erneierbar Energie:An erneierbaren Energiesystemer wéi Solar- a Wandkraaft, SiC Wafere ginn an Inverter a Konverter benotzt, déi méi effizient Energiefang a Verdeelung erméiglechen. Déi héich thermesch Konduktivitéit an déi héich Decomptespannung vu SiC garantéieren datt dës Systemer zouverlässeg funktionnéieren, och ënner extremen Ëmweltbedéngungen.

Industriell Automatioun a Robotik:High-Performance Kraaftelektronik an industriellen Automatisatiounssystemer a Robotik erfuerderen Apparater déi fäeg sinn séier ze wiesselen, grouss Kraaftbelaaschtungen ze handhaben an ënner héije Stress ze bedreiwen. SiC-baséiert Hallefleit entspriechen dës Ufuerderungen andeems se méi héich Effizienz a Robustheet ubidden, och an haart Betribsëmfeld.

Telekommunikatiounssystemer:An der Telekommunikatiounsinfrastruktur, wou héich Zouverlässegkeet an effizient Energiekonversioun kritesch sinn, ginn SiC Wafere a Stroumversuergung an DC-DC Konverter benotzt. SiC Apparater hëllefen den Energieverbrauch ze reduzéieren an d'Systemleistung an Datenzenteren a Kommunikatiounsnetzwierker ze verbesseren.

Andeems Dir e robuste Fundament fir High-Power Uwendungen ubitt, erméiglecht den HPSI SiC Wafer d'Entwécklung vun energieeffizienten Geräter, fir d'Industrien ze hëllefen op méi gréng, méi nohalteg Léisungen ëmzegoen.

Eegeschaften

operty	Produktioun Grad	Fuerschung Grad	Dummy Grad
Duerchmiesser	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm
Dicke	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm
Wafer Orientatioun	Op der Achs: <0001> ± 0,5°	Op der Achs: <0001> ± 2,0°	Op der Achs: <0001> ± 2,0°
Mikropipe Dicht fir 95% Wafers (MPD)	≤ 1 cm⁻²	≤ 5 cm⁻²	≤ 15 cm⁻²
Elektresch Resistivitéit	≥ 1E7 Ω·cm	≥ 1E6 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Dopant	Ongedopt	Ongedopt	Ongedopt
Primär flaach Orientéierung	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°
Primär flaach Längt	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm
Sekundär flaach Längt	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm
Secondary Flat Orientation	Si Gesiicht erop: 90 ° CW aus Primärfläch ± 5,0 °	Si Gesiicht erop: 90 ° CW aus Primärfläch ± 5,0 °	Si Gesiicht erop: 90 ° CW aus Primärfläch ± 5,0 °
Rand Ausgrenzung	3 mm	3 mm	3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm
Uewerfläch Roughness	C-Gesiicht: poléiert, Si-Gesiicht: CMP	C-Gesiicht: poléiert, Si-Gesiicht: CMP	C-Gesiicht: poléiert, Si-Gesiicht: CMP
Rëss (iwwerpréift duerch héich Intensitéit Liicht)	Keen	Keen	Keen
Hex Placke (iwwerpréift duerch héich Intensitéit Liicht)	Keen	Keen	Kumulativ Fläch 10%
Polytype Beräicher (iwwerpréift duerch héich Intensitéit Liicht)	Kumulativ Fläch 5%	Kumulativ Fläch 5%	Kumulativ Fläch 10%
Kratzer (iwwerpréift duerch héich Intensitéit Liicht)	≤ 5 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 150 mm	≤ 10 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 200 mm	≤ 10 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 200 mm
Rand Chipping	Keen erlaabt ≥ 0,5 mm Breet an Déift	2 erlaabt, ≤ 1 mm Breet an Déift	5 erlaabt, ≤ 5 mm Breet an Déift
Surface Kontaminatioun (iwwerpréift duerch héich Intensitéit Liicht)	Keen	Keen	Keen

Schlëssel Virdeeler

Superior Thermal Performance: Déi héich thermesch Konduktivitéit vum SiC suergt fir effizient Wärmevergëftung a Kraaftapparaten, wat et hinnen erlaabt op méi héije Kraaftniveauen a Frequenzen ze bedreiwen ouni Iwwerhëtzung. Dëst iwwersetzt zu méi kleng, méi effizient Systemer a méi laang operationell Liewensdauer.

Héich Decompte Spannung: Mat engem méi breede Bandgap am Verglach zum Silizium, ënnerstëtzen SiC Waferen Héichspannungsapplikatiounen, sou datt se ideal sinn fir elektresch Kraaftkomponenten déi héich Decomptespannunge widderstoen, sou wéi an elektresche Gefierer, Netzkraaftsystemer, an erneierbar Energiesystemer.

Reduzéiert Kraaftverloscht: Déi geréng On-Resistenz a séier Schaltgeschwindegkeet vu SiC-Geräter resultéieren zu engem reduzéierten Energieverloscht wärend der Operatioun. Dëst verbessert net nëmmen d'Effizienz, awer verbessert och d'Gesamtenergiespuerunge vu Systemer an deenen se agesat ginn.
Erweidert Zouverlässegkeet an härten Ëmfeld: SiC's robust Materialeigenschaften erlaben et an extremen Konditiounen, wéi héich Temperaturen (bis zu 600 ° C), Héichspannungen an héich Frequenzen. Dëst mécht SiC Wafere gëeegent fir exigent Industrie-, Autos- an Energieapplikatiounen.

Energieeffizienz: SiC Geräter bidden eng méi héich Kraaftdicht wéi traditionell Silizium-baséiert Geräter, reduzéieren d'Gréisst an d'Gewiicht vun de Kraaftelektronesche Systemer wärend hir Gesamteffizienz verbessert. Dëst féiert zu Käschtespueren an e méi klengen Ëmweltofdrock an Uwendungen wéi erneierbar Energien an elektresch Gefierer.

Skalierbarkeet: Den 3-Zoll Duerchmiesser a präzis Fabrikatiounstoleranzen vum HPSI SiC Wafer suergen datt et skalierbar ass fir Masseproduktioun, entsprécht souwuel Fuerschungs- a kommerziell Fabrikatiounsufuerderungen.

Conclusioun

Den HPSI SiC Wafer, mat sengem 3-Zoll Duerchmiesser an 350 µm ± 25 µm Dicke, ass dat optimalt Material fir déi nächst Generatioun vu High-Performance Power elektronesch Geräter. Seng eenzegaarteg Kombinatioun vun thermescher Konduktivitéit, héich Decompte Spannung, nidderegen Energieverloscht, an Zouverlässegkeet ënner extremen Konditiounen mécht et e wesentleche Bestanddeel fir verschidden Uwendungen an der Kraaftkonversioun, erneierbar Energie, elektresch Gefierer, Industriesystemer, an Telekommunikatioun.

Dëse SiC Wafer ass besonnesch gëeegent fir Industrien déi méi Effizienz, méi Energiespueren a verbessert System Zouverlässegkeet sichen. Wéi d'Kraaftelektronik Technologie weider evoluéiert, stellt den HPSI SiC Wafer d'Fundament fir d'Entwécklung vun der nächster Generatioun, energieeffizient Léisungen, fir den Iwwergank zu enger méi nohalteger, Kuelestoff-Zukunft ze féieren.