3 Zoll Héichreinheets-Hallefisolatioun (HPSI) SiC-Wafer 350µm Dummy-Grad Prime Grad
Applikatioun
HPSI SiC-Wafere si zentral fir d'Erméiglechkeet vun der nächster Generatioun vun Energieversuergungsgeräter, déi an enger Villfalt vun héichperformanten Uwendungen agesat ginn:
Stroumverdeelungssystemer: SiC-Wafers déngen als Kärmaterial fir Stroumversuergungsapparater wéi Stroum-MOSFETs, Dioden an IGBTs, déi entscheedend fir eng effizient Stroumverdeelung an elektresche Schaltkreesser sinn. Dës Komponenten ginn an héichleistungsfäege Stroumversuergungen, Motorundriff an industriellen Inverter fonnt.
Elektroautoen (EVs):Déi wuessend Nofro fir Elektroautoen noutwendegt d'Benotzung vun effizienter Leeschtungselektronik, an d'SiC-Wafere stinn un der Spëtzt vun dëser Transformatioun. Bei Elektroauto-Undriffssystemer bidden dës Wafer eng héich Effizienz a séier Schaltméiglechkeeten, wat zu méi schnelle Ladezäiten, enger méi grousser Reechwäit an enger verbesserter Gesamtleistung vum Gefier bäidréit.
Erneierbar Energie:An erneierbaren Energiesystemer wéi Solar- a Wandenergie ginn SiC-Waferen an Inverteren a Konverteren agesat, déi eng méi effizient Energieerfassung a -verdeelung erméiglechen. Déi héich thermesch Konduktivitéit an déi iwwerleeën Duerchschlagspannung vum SiC garantéieren, datt dës Systemer och ënner extremen Ëmweltbedingungen zouverlässeg funktionéieren.
Industriell Automatiséierung a Robotik:Héichleistungs-Leeschtungselektronik an industriellen Automatiséierungssystemer a Robotik erfuerdert Apparater, déi séier wiesselen, grouss Leeschtungslaaschte veraarbechte kënnen a ënner héijem Stress funktionéiere kënnen. Halbleiter op SiC-Basis erfëllen dës Ufuerderungen, andeems se eng méi héich Effizienz a Robustheet bidden, och an haarden Ëmfeldbedingungen.
Telekommunikatiounssystemer:An der Telekommunikatiounsinfrastruktur, wou héich Zouverlässegkeet an effizient Energiekonversioun entscheedend sinn, ginn SiC-Waferen a Stroumversuergungen an DC-DC-Konverter benotzt. SiC-Komponenten hëllefen den Energieverbrauch ze reduzéieren an d'Systemleistung an Datenzentren a Kommunikatiounsnetzwierker ze verbesseren.
Indem den HPSI SiC-Wafer eng robust Basis fir Uwendungen mat héijer Leeschtung bitt, erméiglecht en d'Entwécklung vun energieeffizienten Apparater an hëlleft doduerch d'Industrien op méi gréng a méi nohalteg Léisungen ëmzestellen.
Eegeschaften
| Funktioun | Produktiounsgrad | Fuerschungsgrad | Dummy-Klass |
| Duerchmiesser | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm |
| Déckt | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Wafer Orientéierung | Op der Achs: <0001> ± 0,5° | Op der Achs: <0001> ± 2,0° | Op der Achs: <0001> ± 2,0° |
| Mikropäifdicht fir 95% vun de Waferen (MPD) | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Elektresch Widderstand | ≥ 1E7 Ω·cm | ≥ 1E6 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm |
| Dotéierungsmëttel | Ondotéiert | Ondotéiert | Ondotéiert |
| Primär flaach Orientéierung | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° |
| Primär flaach Längt | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Sekundär flaach Längt | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Sekundär flaach Orientéierung | Si-Fläch no uewen: 90° mat der rietser Säit vun der primärer Fläch ± 5,0° | Si-Fläch no uewen: 90° mat der rietser Säit vun der primärer Fläch ± 5,0° | Si-Fläch no uewen: 90° mat der rietser Säit vun der primärer Fläch ± 5,0° |
| Randausgrenzung | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TTV/Béi/Verzerrung | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm |
| Uewerflächenrauheet | C-Fläch: poléiert, Si-Fläch: CMP | C-Fläch: poléiert, Si-Fläch: CMP | C-Fläch: poléiert, Si-Fläch: CMP |
| Rëss (mat héichintensivem Liicht iwwerpréift) | Keen | Keen | Keen |
| Sechseckplacken (duerch héichintensivt Liicht iwwerpréift) | Keen | Keen | Kumulativ Fläch 10% |
| Polytypberäicher (inspektéiert duerch héichintensivt Liicht) | Kumulativ Fläch 5% | Kumulativ Fläch 5% | Kumulativ Fläch 10% |
| Kratzer (mat héichintensivem Liicht iwwerpréift) | ≤ 5 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 150 mm | ≤ 10 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 200 mm | ≤ 10 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 200 mm |
| Kantenabschnitzen | Keen erlaabt ≥ 0,5 mm Breet an Déift | 2 erlaabt, ≤ 1 mm Breet an Déift | 5 erlaabt, ≤ 5 mm Breet an Déift |
| Uewerflächenkontaminatioun (inspektéiert mat héichintensivem Liicht) | Keen | Keen | Keen |
Schlësselvirdeeler
Iwwerleeën thermesch Leeschtung: Déi héich thermesch Leetfäegkeet vu SiC garantéiert eng effizient Wärmeofleedung an Energieversuergungsapparater, sou datt se bei méi héijen Leeschtungsniveauen a Frequenzen ouni Iwwerhëtzung funktionéiere kënnen. Dëst bedeit méi kleng, méi effizient Systemer a méi laang Liewensdauer.
Héich Duerchbrochspannung: Mat enger méi breederer Bandlück am Verglach mat Silizium ënnerstëtzen SiC-Waferen Héichspannungsapplikatiounen, wouduerch se ideal fir elektronesch Komponenten fir Leeschtungselektronik sinn, déi héije Duerchbrochspannungen aushale mussen, wéi z. B. an Elektroautoen, Stroumnetzsystemer an erneierbaren Energiesystemer.
Reduzéierte Stroumverloscht: De niddrege Schaltwiderstand an déi héich Schaltgeschwindegkeete vu SiC-Komponente féieren zu engem reduzéierte Energieverloscht während dem Betrib. Dëst verbessert net nëmmen d'Effizienz, mä och déi allgemeng Energieerspuernisser vun de Systemer, an deenen se agesat ginn.
Verbessert Zouverlässegkeet an haarden Ëmfeld: Déi robust Materialeegeschafte vu SiC erlaben et, och ënner extremen Bedéngungen, wéi héijen Temperaturen (bis zu 600 °C), héije Spannungen an héije Frequenzen, ze funktionéieren. Dëst mécht SiC-Waferen gëeegent fir usprochsvoll industriell, automobil an energierelevant Uwendungen.
Energieeffizienz: SiC-Komponente bidden eng méi héich Leeschtungsdicht wéi traditionell Silizium-baséiert Komponenten, wat d'Gréisst a Gewiicht vun elektronesche Leeschtungssystemer reduzéiert an hir Gesamteffizienz verbessert. Dëst féiert zu Käschtenerspuernisser an engem méi klenge Foussofdrock an Uwendungen wéi erneierbar Energien an Elektroautoen.
Skalierbarkeet: Den Duerchmiesser vun 3 Zoll an déi präzis Fabrikatiounstoleranzen vum HPSI SiC-Wafer garantéieren, datt en skalierbar fir d'Masseproduktioun ass a souwuel d'Fuerschung wéi och d'kommerziell Fabrikatiounsufuerderunge erfëllt.
Conclusioun
Den HPSI SiC-Wafer, mat sengem Duerchmiesser vun 3 Zoll an enger Déckt vun 350 µm ± 25 µm, ass dat optimalt Material fir déi nächst Generatioun vun héichperformante Leeschtungselektroniken. Seng eenzegaarteg Kombinatioun aus Wärmeleitfäegkeet, héijer Duerchbrochspannung, niddregem Energieverloscht a Zouverlässegkeet ënner extremen Bedéngungen mécht en zu engem wesentleche Bestanddeel fir verschidden Uwendungen an der Energiekonversioun, erneierbarer Energie, Elektroautoen, Industriesystemer an Telekommunikatioun.
Dëse SiC-Wafer ass besonnesch gëeegent fir Industrien, déi eng méi héich Effizienz, méi grouss Energiespuerméiglechkeeten a verbessert Systemzouverlässegkeet erreechen wëllen. Well d'Energieelektroniktechnologie sech weiderentwéckelt, bitt den HPSI SiC-Wafer d'Grondlag fir d'Entwécklung vun energieeffiziente Léisunge vun der nächster Generatioun a féiert doduerch den Iwwergank zu enger méi nohalteger a CO2-aarmer Zukunft un.
Detailéiert Diagramm
