3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi SiC Substratwafer Siliziumkarbid Semi-insuléierend SiC Waferen

Kuerz Beschreiwung:

Héichqualitativ Eenkristall-SiC-Wafer (Siliziumkarbid) fir d'Elektronik- an d'Optoelektronikindustrie. 3-Zoll-SiC-Wafer sinn en Hallefleitermaterial vun der nächster Generatioun, hallefisoléierend Siliziumkarbid-Wafer mat engem Duerchmiesser vun 3 Zoll. D'Wafer si fir d'Fabrikatioun vun Energieversuergungs-, HF- an Optoelektronik-Komponenten geduecht.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Beschreiwung

3-Zoll 4H halbisoléiert SiC (Siliziumkarbid)-Substratwafer sinn e wäit verbreeten Hallefleitmaterial. 4H weist eng tetrahexaedresch Kristallstruktur un. Hallefisolatioun bedeit, datt de Substrat héich Widderstandseigenschaften huet a bis zu engem gewësse Grad vum Stroum isoléiert ka ginn.

Sou Substratwafer hunn déi folgend Charakteristiken: héich Wärmeleitfäegkeet, niddrege Leetverloscht, exzellent Héichtemperaturbeständegkeet an exzellent mechanesch a chemesch Stabilitéit. Well Siliziumcarbid eng grouss Energielück huet a kann héijen Temperaturen an héijen elektresche Feldbedingungen aushalen, gi 4H-SiC hallefisoléiert Wafer wäit verbreet an der Leeschtungselektronik a Radiofrequenz (RF) Geräter benotzt.

Déi wichtegst Uwendungen vun 4H-SiC halbisoléierte Wafere sinn:

1--Leeschtungselektronik: 4H-SiC-Wafere kënne benotzt ginn fir d'Produktioun vu Stroumschaltgeräter wéi MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistoren), IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistoren) a Schottky-Dioden. Dës Apparater hunn méi niddreg Leetungs- a Schaltverloschter an Héichspannungs- an Héichtemperaturëmfeld a bidden eng méi héich Effizienz a Zouverlässegkeet.

2--Radiofrequenz (RF)-Geräter: 4H-SiC halbisoléiert Wafer kënne benotzt ginn fir Héichleistung-, Héichfrequenz-RF-Leeschtungsverstärker, Chipwidderstänn, Filteren an aner Geräter ze fabrizéieren. Siliziumkarbid huet eng besser Héichfrequenzleistung a thermesch Stabilitéit wéinst senger méi grousser Elektronensättigungsdriftquote a méi héijer thermescher Konduktivitéit.

3--Optoelektronesch Komponenten: 4H-SiC halbisoléiert Wafere kënne benotzt gi fir héichleistungs Laserdioden, UV-Liichtdetektoren an optoelektronesch integréiert Schaltungen ze produzéieren.

Wat d'Maartrichtung ugeet, klëmmt d'Nofro fir 4H-SiC halbisoléiert Waferen mat de wuessende Beräicher vun der Leeschtungselektronik, HF an Optoelektronik. Dëst ass doduerch bedingt, datt Siliziumkarbid eng breet Palette vun Uwendungen huet, dorënner Energieeffizienz, Elektroautoen, erneierbar Energien a Kommunikatioun. An der Zukunft bleift de Maart fir 4H-SiC halbisoléiert Waferen ganz villverspriechend an et gëtt erwaart, datt en konventionell Siliziummaterialien a verschiddenen Uwendungen ersetzt.