3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi SiC Substrat Wafer Silicon Carbide Semi-insultant SiC Wafers

3inch 76.2mm 4H-Semi SiC Substrat wafer Silicon Carbide Semi-insultant SiC wafers Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Héich Qualitéit Single Crystal SiC Wafer (Silicon Carbide) fir elektronesch an optoelektronesch Industrie. 3 Zoll SiC Wafer ass eng nächst Generatioun Semiconductor Material, semi-isoléierend Siliziumcarbid Wafere vun 3 Zoll Duerchmiesser. D'Wafere si geduecht fir d'Fabrikatioun vu Kraaft, RF an Optoelektronik Geräter.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Produit Spezifizéierung

3-Zoll 4H semi-isoléiert SiC (Silicon Carbide) Substrat wafers sinn eng allgemeng benotzt Hallefleitmaterial. 4H weist eng tetrahexahedral Kristallstruktur un. Semi-Isolatioun heescht, datt de Substrat héich Resistenz Charakteristiken huet a kann e bëssen aus aktuell Flux isoléiert ginn.

Esou Substrat wafers hunn déi folgend Charakteristiken: héich thermesch Konduktivitéit, niddereg Leitung Verloscht, excellent héich Temperatur Resistenz, an excellent mechanesch a chemesch Stabilitéit. Well Siliziumkarbid e breet Energiespalt huet a kann héich Temperaturen an héich elektresch Feldbedéngungen widderstoen, 4H-SiC semi-isoléiert Wafere gi wäit a Kraaftelektronik a Radiofrequenz (RF) Geräter benotzt.

D'Haaptapplikatioune vu 4H-SiC semi-isoléierte Wafere enthalen:

1--Kraaftelektronik: 4H-SiC Wafere kënne benotzt ginn fir Stroumschaltgeräter wéi MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBTs (Isolated Gate Bipolar Transistors) a Schottky Dioden ze fabrizéieren. Dës Geräter hunn méi niddereg Leitungs- a Schaltverloschter an Héichspannungs- an Héichtemperaturëmfeld a bidden méi héich Effizienz an Zouverlässegkeet.

2--Radio Frequenz (RF) Geräter: 4H-SiC semi-isoléiert Wafere kënne benotzt ginn fir héich Kraaft, Héichfrequenz RF Kraaftverstärker, Chipwiderstanden, Filteren an aner Geräter ze fabrizéieren. Siliziumkarbid huet besser Héichfrequenzleistung an thermesch Stabilitéit wéinst senger méi grousser Elektronen Sättigungsdriftrate a méi héijer thermescher Konduktivitéit.

3--Optoelektronesch Geräter: 4H-SiC semi-isoléiert Wafere kënne benotzt ginn fir High-Power Laserdioden, UV-Liichtdetektoren an optoelektronesch integréiert Kreesleef ze fabrizéieren.

Wat d'Maartrichtung ugeet, ass d'Nofro fir 4H-SiC semi-isoléiert Wafere eropgaang mat de wuessende Felder vun der Kraaftelektronik, RF an Optoelektronik. Dëst ass wéinst der Tatsaach datt Siliziumkarbid eng breet Palette vun Uwendungen huet, dorënner Energieeffizienz, elektresch Gefierer, erneierbar Energie a Kommunikatioun. An Zukunft bleift de Maart fir 4H-SiC semi-isoléiert Wafere ganz villverspriechend a gëtt erwaart datt se konventionell Siliziummaterialien a verschiddenen Uwendungen ersetzen.