2 Zoll Siliziumkarbidwafer 6H-N Typ Prime Grade Fuerschungsgrad Dummy Grade 330μm 430μm Déckt

Kuerz Beschreiwung:

Et gëtt vill verschidde Polymorphe vu Siliziumcarbid an 6H Siliziumcarbid ass ee vun bal 200 Polymorphen. 6H Siliziumcarbid ass déi wäit verbreetst Modifikatioun vu Siliziumcarbide fir kommerziell Interessen. 6H Siliziumcarbid-Wafere si vu grousser Bedeitung. Si kënnen als Hallefleeder benotzt ginn. Et gëtt wäit verbreet a Schleif- a Schneidinstrumenter wéi Schneidscheiwen benotzt wéinst senger Haltbarkeet a niddrege Materialkäschten. Et gëtt a modernen Komposit-Kierperschutzwesten a Kugelsécherwesten benotzt. Et gëtt och an der Automobilindustrie benotzt, wou et fir d'Produktioun vu Bremsscheiwen benotzt gëtt. A grousse Gießereienapplikatioune gëtt et benotzt fir geschmollte Metaller a Schmelztichtegelen ze halen. Seng Notzung an elektreschen an elektroneschen Uwendungen ass sou bekannt, datt et keng Debatt brauch. Ausserdeem gëtt et an elektroneschen Apparater mat Energieversuergung, LEDs, Astronomie, Dënnfilamentpyrometrie, Bijouen, Graphen- a Stolproduktioun, an als Katalysator benotzt. Mir bidden 6H Siliziumcarbid-Wafere mat enger eenzegaarteger Qualitéit an iwwerraschende 99,99%.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Folgend sinn d'Charakteristike vun engem Siliziumkarbidwafer:

1. Siliziumkarbid (SiC) Wafer huet exzellent elektresch Eegeschaften an exzellent thermesch Eegeschaften. Siliziumkarbid (SiC) Wafer huet eng niddreg thermesch Expansioun.

2. Siliziumkarbid (SiC)-Wafer huet iwwerleeën Härteigenschaften. Siliziumkarbid (SiC)-Wafer funktionéiert gutt bei héijen Temperaturen.

3. Siliziumkarbid (SiC)-Wafer huet eng héich Widderstandsfäegkeet géint Korrosioun, Erosioun an Oxidatioun. Zousätzlech ass Siliziumkarbid (SiC)-Wafer och méi glänzend wéi Diamanten oder Kubikzirkoniumdioxid.

4. Besser Stralungsbeständegkeet: SIC-Waferen hunn eng méi staark Stralungsbeständegkeet, wat se gëeegent mécht fir a Stralungsëmfeld ze benotzen. Beispiller dofir sinn Raumschëffer an Atomkraaftwierker.
5. Méi héich Häert: SIC-Wafere si méi haart wéi Silizium, wat d'Haltbarkeet vu Waferen während der Veraarbechtung verbessert.

6. Méi niddreg dielektresch Konstant: D'dielektresch Konstant vu SIC-Waferen ass méi niddreg wéi déi vu Silizium, wat hëlleft d'parasitär Kapazitéit am Apparat ze reduzéieren an d'Héichfrequenzleistung ze verbesseren.

Siliziumkarbid-Wafer huet verschidde Uwendungen

SiC gëtt fir d'Fabrikatioun vun Apparater mat ganz héijer Spannung an héijer Leeschtung benotzt, wéi z. B. Dioden, Leeschtungstransistoren an héichleeschtungsfäeg Mikrowellenapparater. Am Verglach mat konventionelle Si-Apparater hunn SiC-baséiert Energieapparater eng méi séier Schaltgeschwindegkeet, méi héich Spannungen, méi niddreg parasitär Widderstänn, eng méi kleng Gréisst a manner Ofkillung wéinst hirer Héichtemperaturfäegkeet.
Wärend de Siliziumkarbid (SiC-6H) - 6H Wafer iwwerleeën elektronesch Eegeschaften huet, ass de Siliziumkarbid (SiC-6H) - 6H Wafer am einfachsten ze preparéieren a beschte fir ze studéieren.
1. Leeschtungselektronik: Siliziumkarbidwafer ginn an der Produktioun vun der Leeschtungselektronik benotzt, déi an enger breeder Palette vun Uwendungen agesat gëtt, dorënner Elektroautoen, erneierbar Energiesystemer an industriell Ausrüstung. Déi héich Wärmeleitfäegkeet an de niddrege Leeschtungsverloscht vu Siliziumkarbid maachen et zu engem ideale Material fir dës Uwendungen.
2. LED-Beliichtung: Siliziumkarbid-Waferen ginn an der Produktioun vun LED-Beliichtung benotzt. Déi héich Stäerkt vu Siliziumkarbid erméiglecht et, LEDs ze produzéieren, déi méi haltbar a méi laang halen wéi traditionell Beliichtungsquellen.
3. Hallefleiterkomponenten: Siliziumcarbidwafere gi bei der Produktioun vun Hallefleiterkomponenten benotzt, déi an enger breeder Palette vun Uwendungen agesat ginn, dorënner Telekommunikatioun, Informatik a Konsumentelektronik. Déi héich Wärmeleitfäegkeet an de niddrege Stroumverloscht vu Siliziumcarbid maachen et zu engem ideale Material fir dës Uwendungen.
4. Solarzellen: Siliziumkarbidwafer gi bei der Produktioun vu Solarzellen benotzt. Déi héich Stäerkt vu Siliziumkarbid erméiglecht et, Solarzellen ze produzéieren, déi méi haltbar a méi laang halen wéi traditionell Solarzellen.
Insgesamt ass den ZMSH Siliziumkarbidwafer e villfältegt an héichwäertegt Produkt, dat a ville Beräicher vun Uwendungen agesat ka ginn. Seng héich Wärmeleitfäegkeet, säi niddrege Stroumverloscht a seng héich Stäerkt maachen et zu engem ideale Material fir héichtemperatur- an héichleeschtungsfäeg elektronesch Apparater. Mat engem Béi/Verzerrung vun ≤50µm, enger Uewerflächenrauheet vun ≤1,2nm an engem Widderstand vun héijem/niddregem Widderstand ass de Siliziumkarbidwafer eng zouverlässeg an effizient Wiel fir all Uwendung, déi eng flaach a glat Uewerfläch erfuerdert.
Eist SiC-Substratprodukt kënnt mat ëmfangräichem techneschen Support a Servicer fir optimal Leeschtung a Clientzefriddenheet ze garantéieren.
Eis Expertenéquipe steet Iech zur Verfügung fir bei der Produktauswiel, der Installatioun an der Fehlerbehebung ze hëllefen.
Mir bidden Trainingen an Ausbildungen iwwer d'Benotzung an d'Ënnerhalt vun eise Produkter un, fir eise Clienten ze hëllefen, hir Investitioun ze maximéieren.
Zousätzlech bidden mir lafend Produktupdates an Verbesserungen un, fir sécherzestellen, datt eis Clienten ëmmer Zougang zu der neister Technologie hunn.

Detailéiert Diagramm

Virdrun: 2 Zoll Siliziumkarbidsubstrat 6H-N duebelsäiteg poléiert Duerchmiesser 50,8 mm Produktiounsqualitéit Fuerschungsqualitéit

Weider: 2 Zoll 6H-N Siliziumcarbid-Substrat Sic Wafer Duebelpoléiert Leetfäeg Prime Grad Mos Grad