2 Zoll Silicon Carbide Wafer 6H-N Type Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330μm 430μm Thickness

2inch Silicon Carbide Wafer 6H-N Type Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330μm 430μm Thickness Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Et gi vill verschidde Polymorphe vu Siliziumcarbid a 6H Siliziumcarbid ass ee vun bal 200 Polymorphen. 6H Siliziumkarbid ass bei wäitem déi meescht üblech Modifikatioune vu Silikonkarbiden fir kommerziell Interessen. 6H Siliciumcarbid Wafere si vu grousser Wichtegkeet. Si kënnen als Halbleiter benotzt ginn. Et gëtt wäit an Schleif- a Schneidinstrumenter wéi Schneidscheiwen benotzt wéinst senger Haltbarkeet an niddrege Materialkäschte. Et gëtt a modernen Composite Kierperpanzer a Bulletproof Weste benotzt. Et gëtt och an der Autosindustrie benotzt, wou et benotzt gëtt fir Bremsscheiwen ze fabrizéieren. A grousse Schmelzapplikatiounen gëtt et benotzt fir Schmelzmetaller an Krümelen ze halen. Seng Notzung an elektreschen an elektroneschen Uwendungen ass sou gutt bekannt datt et keng Debatt erfuerdert. Ausserdeem gëtt et a Kraaftelektronesch Geräter, LEDs, Astronomie, dënn Filamentpyrometrie, Bijouen, Graphen a Stolproduktioun benotzt, an als Katalysator. Mir bidden 6H Siliciumcarbid Wafere mat ënnerschiddlecher Qualitéit an iwwerraschend 99,99%.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Déi folgend sinn d'Charakteristike vu Siliziumkarbidwafer:

1.Silicon Carbide (SiC) wafer huet grouss elektresch Eegeschaften an excellent thermesch Eegeschaften. Silicon Carbide (SiC) wafer huet niddereg thermesch Expansioun.

2.Silicon Carbide (SiC) wafer huet super hardness Eegeschaften. Silicon Carbide (SiC) wafer funktionéiert gutt bei héijen Temperaturen.

3.Silicon Carbide (SiC) Wafer huet héich Resistenz géint Korrosioun, Erosioun an Oxidatioun. Zousätzlech ass Siliziumkarbid (SiC) Wafer och méi glänzend wéi entweder Diamanten oder Kubikzirkonia.

4.Besser Stralungsbeständegkeet: SIC Wafere hu méi staark Strahlungsresistenz, sou datt se gëeegent sinn fir an Stralungsëmfeld ze benotzen. Beispiller enthalen Raumschëffer an nuklear Ariichtungen.
5.Higher Hardness: SIC Wafere si méi haart wéi Silizium, wat d'Haltbarkeet vun de Wafer während der Veraarbechtung verbessert.

6.Lower dielectric konstant: D'dielectric konstante vun SIC wafers ass manner wéi déi vun Silicon, déi hëlleft parasitesch Kapazitéit am Apparat reduzéieren an héich-Frequenz Leeschtung verbesseren.

Silicon Carbide Wafer huet verschidde Uwendungen

SiC gëtt fir d'Fabrikatioun vu ganz héijer Spannungs- a High-Power-Geräter wéi Dioden, Kraafttransistoren a High-Power Mikrowellengeräter benotzt. Am Verglach mat konventionelle Si-Geräter hunn SiC-baséiert Kraaftapparater méi séier Schaltgeschwindegkeet méi Spannungen, manner parasitär Resistenz, méi kleng Gréisst, manner Ofkillung erfuerderlech wéinst héijer Temperaturfäegkeet.
Wärend Siliziumkarbid (SiC-6H) - 6H Wafer super elektronesch Eegeschaften huet, Siliziumkarbid (SiC-6H) - 6H Wafer ass am einfachsten virbereet a am beschten studéiert.
1.Power Electronics: Silicon Carbide Wafers ginn an der Produktioun vu Power Electronics benotzt, déi an enger breeder Palette vun Uwendungen benotzt ginn, dorënner elektresch Gefierer, erneierbar Energiesystemer an industriell Ausrüstung. Déi héich thermesch Konduktivitéit a geréng Kraaftverloscht vu Silicon Carbide maachen et en idealt Material fir dës Uwendungen.
2.LED Beliichtung: Silicon Carbide Wafers ginn an der Produktioun vun LED Beliichtung benotzt. Déi héich Kraaft vu Silicon Carbide mécht et méiglech LEDs ze produzéieren déi méi haltbar a laang dauerhaft sinn wéi traditionell Beliichtungsquellen.
3.Semiconductor Devices: Silicon Carbide Wafers ginn an der Produktioun vun Semiconductor Devices benotzt, déi an enger breeder Palette vun Uwendungen benotzt ginn, dorënner Telekommunikatioun, Informatik a Konsumentelektronik. Déi héich thermesch Konduktivitéit a geréng Kraaftverloscht vu Silicon Carbide maachen et en idealt Material fir dës Uwendungen.
4.Solar Zellen: Silicon Carbide Wafers ginn an der Produktioun vu Solarzellen benotzt. Déi héich Stäerkt vu Silicon Carbide mécht et méiglech Solarzellen ze produzéieren déi méi haltbar a laang dauerhaft sinn wéi traditionell Solarzellen.
Am Allgemengen ass den ZMSH Silicon Carbide Wafer e versatile a qualitativ héichwäertegt Produkt dat an enger breeder Palette vun Uwendungen benotzt ka ginn. Seng héich thermesch Konduktivitéit, geréng Kraaftverloscht, an héich Kraaft maachen et en idealt Material fir elektronesch Geräter mat héijer Temperatur an héich Kraaft. Mat engem Bow / Warp vun ≤50um, Surface Rauhness vun ≤1.2nm, a Resistivitéit vun High / Low Resistivity, ass de Silicon Carbide Wafer eng zouverléisseg an effizient Wiel fir all Applikatioun déi eng flaach a glat Uewerfläch erfuerdert.
Eise SiC Substrat Produkt kënnt mat ëmfaassender technescher Ënnerstëtzung a Servicer fir eng optimal Leeschtung a Client Zefriddenheet ze garantéieren.
Eist Team vun Experten ass verfügbar fir mat Produktauswiel, Installatioun an Troubleshooting ze hëllefen.
Mir bidden Training an Ausbildung iwwer d'Benotzung an Ënnerhalt vun eise Produkter fir eise Clienten ze hëllefen hir Investitioun ze maximéieren.
Zousätzlech bidde mir lafend Produktupdates a Verbesserunge fir datt eise Clienten ëmmer Zougang zu der leschter Technologie hunn.