2 Zoll Siliziumkarbidsubstrat 6H-N duebelsäiteg poléiert Duerchmiesser 50,8 mm Produktiounsqualitéit Fuerschungsqualitéit

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC), och bekannt als Carborundum, ass en Hallefleeder, deen Silizium a Kuelestoff enthält, mat der chemescher Formel SiC. SiC gëtt an elektronesche Hallefleederapparater benotzt, déi bei héijen Temperaturen oder héije Spannungen, oder béides, funktionéieren. SiC ass och eng vun de wichtegen LED-Komponenten, et ass e populärt Substrat fir GaN-Apparater ze wuessen, an et déngt och als Hëtzeverdeeler an Héichleistungs-LEDs.
Siliziumkarbid-Wafers sinn en héichperformant Material, dat bei der Produktioun vun elektroneschen Apparater benotzt gëtt. Si gi vun enger Siliziumkarbidschicht an enger Siliziumkristallkuppel hiergestallt a si sinn a verschiddene Qualitéiten, Typen an Uewerflächenofschlëss verfügbar. Wafer hunn eng Flaachheet vu Lambda/10, wat déi héchst Qualitéit a Leeschtung fir elektronesch Apparater aus Wafer garantéiert. Siliziumkarbid-Wafers si ideal fir den Asaz an der Leeschtungselektronik, LED-Technologie a fortgeschrattene Sensoren. Mir liwweren héichqualitativ Siliziumkarbid-Wafers (sic) fir d'Elektronik- a Photonikindustrie.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Déi folgend sinn d'Charakteristike vun engem 2 Zoll Siliziumkarbidwafer:

1. Besser Stralungsbeständegkeet: SIC-Waferen hunn eng méi staark Stralungsbeständegkeet, wat se fir d'Benotzung a Stralungsëmfeld gëeegent mécht. Beispiller dofir sinn Raumschëffer an Atomkraaftwierker.

2. Méi héich Häert: SIC-Wafere si méi haart wéi Silizium, wat d'Haltbarkeet vu Waferen während der Veraarbechtung verbessert.

3. Méi niddreg dielektresch Konstant: D'dielektresch Konstant vu SIC-Waferen ass méi niddreg wéi déi vu Silizium, wat hëlleft d'parasitär Kapazitéit am Apparat ze reduzéieren an d'Héichfrequenzleistung ze verbesseren.

4. Méi héich Driftgeschwindegkeet vun de gesättigte Elektronen: SIC-Wafere hunn eng méi héich Driftgeschwindegkeet vun de gesättigte Elektronen ewéi Silizium, wat SIC-Apparater e Virdeel an Héichfrequenzapplikatioune gëtt.

5. Méi héich Leeschtungsdicht: Mat den uewe genannten Charakteristiken kënnen SIC-Wafer-Geräter eng méi héich Leeschtung an enger méi klenger Gréisst erreechen.

2 Zoll Siliziumkarbidwafer huet verschidden Uwendungen.
1. Leeschtungselektronik: SiC-Wafere gi wäit verbreet a Leeschtungselektroneschen Ausrüstung wéi Stroumwandler, Inverter an Héichspannungsschalter benotzt wéinst hirer héijer Duerchbrochspannung an hirem niddrege Stroumverloscht.

2. Elektroautoen: Siliziumkarbid-Wafere ginn an der Elektroelektronik vun Elektroautoen agesat, fir d'Effizienz ze verbesseren an d'Gewiicht ze reduzéieren, wat zu engem méi schnelle Laden an enger méi laanger Reechwäit féiert.

3. Erneierbar Energie: Siliziumkarbidwafere spille eng wichteg Roll an erneierbaren Energieapplikatiounen, wéi Solarinverter a Wandenergieanlagen, andeems se d'Energiekonversiounseffizienz an d'Zouverlässegkeet verbesseren.

4. Loftfaart a Verdeedegung: SiC-Wafere si wesentlech an der Loftfaart- a Verdeedegungsindustrie fir Uwendungen mat héijen Temperaturen, héijer Leeschtung a Stralungsbeständegkeet, dorënner Fliger-Energiesystemer a Radarsystemer.

ZMSH bitt Produktpersonaliséierungsservicer fir eis Siliziumkarbidwaferen. Eis Wafere gi aus héichwäertege Siliziumkarbidschichten aus China hiergestallt, fir Haltbarkeet a Zouverlässegkeet ze garantéieren. D'Clienten kënnen aus eiser Auswiel u Wafergréissten a Spezifikatioune wielen, fir hir spezifesch Bedierfnesser gerecht ze ginn.

Eis Siliziumcarbid-Wafers ginn et a verschiddene Modeller a Gréissten, de Modell ass Siliziumcarbid.

Mir bidden eng Rei vun Uewerflächenbehandlungen, dorënner einfach-/zweesäiteg Polieren mat enger Uewerflächenrauheet ≤1,2 nm a Flaachheet Lambda/10. Mir bidden och Optiounen fir héich/niddreg Widderstand, déi op Är Ufuerderungen ugepasst kënne ginn. Eis EPD vun ≤1E10/cm2 garantéiert, datt eis Waferen den héchsten Industriestandarden entspriechen.

Mir betruechten all Detail vun der Verpackung, d'Botzen, d'Antistatik an d'Schockbehandlung. Jee no Quantitéit a Form vum Produkt gi verschidde Verpackungsprozesser ugebueden! Bal mat eenzele Waferkassetten oder mat 25 Kassetten an engem Botzraum vun 100 Grad.