2 Zoll Silicium Carbide Substrat 6H-N duebelsäiteg poléiert Duerchmiesser 50.8mm Produktiounsgrad Fuerschungsgrad

2 Zoll Siliziumkarbidsubstrat 6H-N duebelsäiteg poléiert Duerchmiesser 50.8mm Produktiounsgrad Fuerschungsgrad Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC), och bekannt als Carborundum, ass e Hallefleit deen Silizium a Kuelestoff mat der chemescher Formel SiC enthält. SiC gëtt an Hallefleitelektronik Geräter benotzt, déi bei héijen Temperaturen oder héije Spannungen operéieren, oder béid. Muecht LEDs.
Siliciumcarbid Wafers sinn e High-Performance Material dat an der Produktioun vun elektroneschen Apparater benotzt gëtt. Et ass aus enger Siliziumkarbidschicht an enger Siliziumkristallkuppel gemaach an ass a verschiddene Graden, Typen a Surface Finishen verfügbar. Wafers hunn eng Flaachheet vu Lambda / 10, wat déi héchst Qualitéit a Leeschtung fir elektronesch Geräter aus Wafer garantéiert. Silicon Carbide Wafers sinn ideal fir d'Benotzung an Kraaftelektronik, LED Technologie a fortgeschratt Sensoren. Mir liwweren qualitativ héichwäerteg Siliziumkarbidwafers (sic) fir d'Elektronik- a Photonikindustrie.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Déi folgend sinn d'Charakteristiken vun 2inch Silicon Carbide wafer:

1. Besser Stralung Resistenz: SIC wafers hu méi staark Stralung Resistenz, mécht se gëeegent fir benotzen an Stralung Ëmfeld. Beispiller enthalen Raumschëffer an nuklear Ariichtungen.

2. Méi héijer Hardness: SIC Wafere si méi haart wéi Silizium, wat d'Haltbarkeet vu Wafere während der Veraarbechtung verbessert.

3. Méi niddereg dielektresch Konstant: D'Dielektresch Konstant vu SIC Wafere ass méi niddereg wéi dee vum Silizium, wat hëlleft fir parasitär Kapazitéit am Apparat ze reduzéieren an d'Héichfrequenzleistung ze verbesseren.

4. Méi héich gesättegt Elektronendriftgeschwindegkeet: SIC Wafere hunn eng méi héich gesättegt Elektronendriftgeschwindegkeet wéi Silizium, wat SIC-Geräter e Virdeel an Héichfrequenzapplikatiounen gëtt.

5. Méi héich Kraaftdicht: Mat den uewe genannten Charakteristiken kënnen SIC Wafer-Geräter méi héich Kraaftoutput an enger méi klenger Gréisst erreechen.

2 Zoll Silicon Carbide Wafer huet verschidde Uwendungen.
1. Kraaftelektronik: SiC Wafere gi wäit an der Kraaft elektronesch Ausrüstung wéi Stroumkonverter, Inverter, an Héichspannungsschalter benotzt wéinst hirer héijer Decomptespannung a gerénger Kraaftverloscht Charakteristiken.

2. Elektresch Gefierer: Silicon Carbide Wafers ginn an elektresche Gefierer Kraaftelektronik benotzt fir d'Effizienz ze verbesseren an d'Gewiicht ze reduzéieren, wat zu méi séier Opluedstatioun a méi laang Fahrbereich resultéiert.

3. Erneierbar Energie: Silicon Carbide Wafers spillen eng vital Roll bei erneierbaren Energieapplikatiounen wéi Solarinverter a Wandkraaftsystemer, d'Energiekonversiounseffizienz an Zouverlässegkeet verbesseren.

4.Aerospace a Verdeedegung: SiC Wafers sinn essentiell an der Raumfaart- a Verteidegungsindustrie fir héich Temperatur, héich Kraaft a Stralungsbeständeg Uwendungen, dorënner Fligerkraaftsystemer a Radarsystemer.

ZMSH bitt Produktpersonaliséierungsservicer fir eis Siliziumkarbidwafers. Eis Wafere ginn aus héichqualitativen Siliciumcarbidschichten aus China gemaach fir Haltbarkeet an Zouverlässegkeet ze garantéieren. D'Clientë kënnen aus eiser Auswiel u Wafergréissten a Spezifikatioune wielen fir hir spezifesch Bedierfnesser ze treffen.

Eis Silicon Carbide Wafere kommen a verschiddene Modeller a Gréissten, de Modell ass Silicon Carbide.

Mir bidden eng Rei vun Uewerfläch Behandlungen dorënner Single / duebel Säit poléieren mat Uewerfläch roughness ≤1.2nm a flaach Lambda / 10. Mir bidden och héich / niddereg resistivity Optiounen datt op Är Ufuerderunge personaliséiert ginn. Eis EPD vun ≤1E10/cm2 garantéiert datt eis Waferen den héchste Industrienormen entspriechen.

Mir betrëfft all Detailer vum Package , Botzen, Antistatesch , Schockbehandlung .No der Quantitéit an der Form vum Produkt wäerte mir en anere Verpackungsprozess huelen! Bal vun eenzelne wafer Kassetten oder 25pcs Kassett an 100 Schouljoer Botzen Sall.