2 Zoll SiC Ingot Dia50.8mmx10mmt 4H-N Monokristall

SiC Crystal Wuesstem Technologie

D'Charakteristike vu SiC maachen et schwéier fir eenzel Kristalle ze wuessen.Dëst ass haaptsächlech wéinst der Tatsaach, datt et keng flësseg Phase mat stoichiometresche Verhältnis vu Si : C = 1: 1 bei Atmosphärendrock gëtt, an et ass net méiglech SiC mat de méi reife Wuesstumsmethoden ze wuessen, sou wéi d'direkt Zeechnungsmethod an d'Fall Crucible Method, déi d'Haaptpilier vun der Hallefleitindustrie sinn.Theoretesch kann eng Léisung mat engem stoichiometresche Verhältnis vu Si : C = 1 : 1 nëmme kritt ginn wann den Drock méi wéi 10E5atm ass an d'Temperatur méi héich wéi 3200 ℃ ass.De Moment enthalen d'Mainstream Methoden d'PVT Method, d'Flëssegphase Method, an d'Héichtemperatur Dampphase chemesch Oflagerungsmethod.

D'SiC Waferen a Kristalle, déi mir ubidden, ginn haaptsächlech duerch kierperlechen Damptransport (PVT) ugebaut, an déi folgend ass eng kuerz Aféierung zu PVT:

Physical Vapor Transport (PVT) Method staamt aus der Gasphase Sublimatiounstechnik erfonnt vu Lely am Joer 1955, an där SiC-Pulver an engem Grafit-Röhre plazéiert gëtt an op eng héich Temperatur erhëtzt gëtt fir de SiC-Pulver ze zersetzen an ze subliméieren, an dann de Grafit. D'Tube gëtt ofgekillt, an déi ofgebaute Gasphasekomponente vum SiC-Pulver ginn als SiC-Kristalle an der Ëmgéigend vum Grafitröhr deposéiert a kristalliséiert.Och wann dës Method schwéier ass fir grouss SiC Eenkristallen ze kréien an den Oflagerungsprozess am Grafitröhre schwéier ze kontrolléieren ass, bitt et Iddie fir spéider Fuerscher.

YM Tairov et al.a Russland agefouert d'Konzept vun Som Kristall op dëser Basis, déi de Problem vun onkontrollabel Kristallsglas produzéiert Form an nucleation Positioun vun SiC Kristaller geléist.Spéider Fuerscher hunn weider verbessert a schliisslech entwéckelt d'Physical Vapor Transfer (PVT) Method déi haut industriell benotzt gëtt.

Als déi fréist SiC Kristallwuesstemmethod ass PVT de Moment déi meescht Mainstream Wuesstumsmethod fir SiC Kristalle.Am Verglach mat anere Methoden huet dës Method niddereg Ufuerderunge fir Wuesstemausrüstung, einfache Wuesstumsprozess, staark Kontrollbarkeet, grëndlech Entwécklung a Fuerschung, a gouf scho industrialiséiert.