2 Zoll SiC-Barren Duerchmiesser 50,8 mm x 10 mm 4H-N Monokristall

2 Zoll SiC-Barren Dia50,8 mm x 10 mm 4H-N Monokristall Ausgewielt Bild

Kuerz Beschreiwung:

E 2-Zoll SiC (Siliziumkarbid)-Barre bezitt sech op e zylindreschen oder blockfërmegen Eenzelkristall aus Siliziumkarbid mat engem Duerchmiesser oder enger Kantlängt vun 2 Zoll. Siliziumkarbid-Barre ginn als Ausgangsmaterial fir d'Produktioun vu verschiddenen Hallefleederkomponenten, wéi z. B. Leeschtungselektroniken an optoelektroneschen Komponenten, benotzt.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

SiC Kristallwuesstemstechnologie

D'Charakteristike vu SiC maachen et schwéier, Eenzelkristaller ze wuessen. Dëst ass haaptsächlech doduerch bedingt, datt et keng flësseg Phas mat engem stöchiometresche Verhältnis vu Si:C = 1:1 bei Atmosphärendrock gëtt, an et ass net méiglech, SiC mat de méi ausgereiften Wuessmethoden, wéi der direkter Zéimethod an der Falltischmethod, ze wuessen, déi d'Haaptpiliere vun der Hallefleederindustrie sinn. Theoretesch kann eng Léisung mat engem stöchiometresche Verhältnis vu Si:C = 1:1 nëmme kritt ginn, wann den Drock méi grouss wéi 10E5atm an d'Temperatur méi héich wéi 3200℃ ass. Aktuell sinn déi allgemeng Methoden d'PVT-Method, d'Flëssegphasmethod an d'Héichtemperatur-Dampphas-chemesch Oflagerungsmethod.

Déi SiC-Waferen a Kristaller, déi mir ubidden, gi virun allem duerch physesch Dampftransport (PVT) ugebaut, an hei ass eng kuerz Aféierung an PVT:

D'Method vum physikalesche Gastransport (PVT) staamt vun der Gasphas-Sublimatiounstechnik, déi vum Lely am Joer 1955 erfonnt gouf, bei där SiC-Pulver an e Graphitröhrchen placéiert an op eng héich Temperatur erhëtzt gëtt, fir datt de SiC-Pulver sech zersetzt a subliméiert. Duerno gëtt d'Graphitröhrchen ofgekillt an déi zersetzt Gasphas-Komponente vum SiC-Pulver ginn als SiC-Kristaller an der Ëmgéigend vum Graphitröhrchen ofgesat a kristalliséiert. Och wann dës Method schwéier ass, grouss SiC-Eenzelkristaller ze kréien, an de Prozess vun der Oflagerung am Graphitröhrchen schwéier ze kontrolléieren ass, bitt se Iddien fir spéider Fuerscher.

Den YM Tairov et al. a Russland hunn op dëser Basis de Konzept vum Somkristall agefouert, deen d'Problem vun der onkontrolléierbarer Kristallform a Keimbildungspositioun vu SiC-Kristaller geléist huet. Duerno hunn d'Fuerscher weider verbessert an hunn schlussendlech d'Method vun der physescher Dampftransfermethod (PVT) entwéckelt, déi haut industriell benotzt gëtt.

Als déi fréist SiC-Kristallwachstumsmethod ass PVT de Moment déi meescht verbreet Wuesstumsmethod fir SiC-Kristaller. Am Verglach mat anere Methoden huet dës Method niddreg Ufuerderungen un Wuessausrüstung, e einfache Wuesstumsprozess, eng staark Kontrolléierbarkeet, eng grëndlech Entwécklung a Fuerschung, an ass scho industrialiséiert ginn.