2 Zoll 6H-N Silicon Carbide Substrat Sic Wafer Double Polished Conductive Prime Grade Mos Grade

Kuerz Beschreiwung:

De 6H n-Typ Silicon Carbide (SiC) Eenkristallen Substrat ass e wesentlecht Halbleitermaterial dat extensiv an Héichkraaft, Héichfrequenz an Héichtemperatur elektronesch Uwendungen benotzt gëtt. Bekannt fir seng sechseckeg Kristallstruktur, 6H-N SiC bitt e breet Bandgap an héich thermesch Konduktivitéit, wat et ideal mécht fir exigent Ëmfeld.
Dëst Material héich Decompte elektrescht Feld an Elektronen Mobilitéit erméiglechen d'Entwécklung vun effiziente Kraaftelektronesch Geräter, wéi MOSFETs an IGBTs, déi bei méi héije Spannungen an Temperaturen funktionéiere kënnen wéi déi aus traditionellem Silizium. Seng exzellent thermesch Konduktivitéit garantéiert effektiv Wärmevergëftung, kritesch fir d'Performance an d'Zouverlässegkeet an High-Power Uwendungen z'erhalen.
A Radiofrequenz (RF) Uwendungen ënnerstëtzen d'Eegeschafte vun 6H-N SiC d'Schafung vun Apparater déi fäeg sinn op méi héije Frequenzen mat verbesserter Effizienz ze bedreiwen. Seng chemesch Stabilitéit a Resistenz géint Stralung maachen et och gëeegent fir an haarden Ëmfeld ze benotzen, dorënner Raumfaart- a Verteidegungssektoren.
Ausserdeem sinn 6H-N SiC Substrate integral zu optoelektroneschen Apparater, sou wéi ultraviolet Photodetektoren, wou hir breet Bandgap eng effizient UV-Liichterkennung erlaabt. D'Kombinatioun vun dësen Eegeschafte mécht 6H n-Typ SiC e versatile an onverzichtbar Material fir modern elektronesch an optoelektronesch Technologien ze förderen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Déi folgend sinn d'Charakteristike vu Siliziumkarbidwafer:

· Produit Numm: SiC Substrat
· Hexagonal Struktur: Eenzegaarteg elektronesch Eegeschaften.
· Héich Elektronen Mobilitéit: ~600 cm²/V·s.
· Chemesch Stabilitéit: Korrosiounsbeständeg.
· Stralungsresistenz: Gëeegent fir haart Ëmfeld.
· Low Intrinsic Carrier Konzentratioun: Effizient bei héijen Temperaturen.
· Haltbarkeet: Staark mechanesch Eegeschaften.
· Optoelektronesch Kapazitéit: Effektiv UV-Liichterkennung.

Silicon Carbide Wafer huet verschidde Uwendungen

SiC Wafer Uwendungen:
SiC (Silicon Carbide) Substrate ginn a verschiddene High-Performance Uwendungen benotzt wéinst hiren eenzegaartegen Eegeschafte wéi héich thermesch Konduktivitéit, héich elektresch Feldstäerkt a breet Bandgap. Hei sinn e puer Uwendungen:

1.Power Electronics:
·Héichspannung MOSFETs
·IGBTs (Isolated Gate Bipolar Transistors)
· Schottky diodes
· Power inverters

2.Héichfrequenz Geräter:
·RF (Radio Frequenz) Verstärker
· Mikrowell Transistoren
· Millimeter-Wellen Apparater

3. Héich Temperatur Elektronik:
·Sensoren a Circuiten fir haart Ëmfeld
· Raumfaartelektronik
· Automobilelektronik (zB Motorsteuerunitéiten)

4. Optoelektronik:
· Ultraviolet (UV) Photodetektoren
· Light-emitting diodes (LEDs)
· Laserdioden

5. Erneierbar Energiesystemer:
· Solar Inverter
· Wandturbine Konverter
· Elektresch Gefierer Powertrains

6. Industrie a Verdeedegung:
· Radar Systemer
· Satellit Kommunikatioun
· Atomreakterinstrumenter

SiC wafer Personnalisatioun

Mir kënnen d'Gréisst vum SiC-Substrat personaliséieren fir Är spezifesch Ufuerderungen z'erreechen. Mir bidden och e 4H-Semi HPSI SiC Wafer mat enger Gréisst vun 10x10mm oder 5x5 mm.
De Präis gëtt vum Fall bestëmmt, an d'Verpakungsdetailer kënnen op Är Preferenz personaliséiert ginn.
D'Liwwerzäit ass bannent 2-4 Wochen. Mir akzeptéieren Bezuelung duerch T / T.
Eis Fabréck huet fortgeschratt Produktiounsausrüstung an technesch Team, déi verschidde Spezifikatioune, Dicken a Forme vu SiC Wafer no Cliente spezifesch Ufuerderunge personaliséiere kënnen.