2 Zoll 6H-N Siliziumcarbid-Substrat Sic Wafer Duebelpoléiert Leetfäeg Prime Grad Mos Grad

Kuerz Beschreiwung:

Den 6H n-Typ Siliziumkarbid (SiC) Eenkristallsubstrat ass e wesentlecht Hallefleitmaterial, dat extensiv an elektroneschen Uwendungen mat héijer Leeschtung, Héichfrequenz an Héichtemperatur benotzt gëtt. Bekannt fir seng hexagonal Kristallstruktur, bitt 6H-N SiC eng grouss Bandlück an eng héich Wärmeleitfäegkeet, wat en ideal fir usprochsvoll Ëmfeld mécht.
Dëst Material säin héijen Duerchbrochselektrescht Feld an seng Elektronemobilitéit erméiglechen d'Entwécklung vun effizienten elektroneschen Apparater, wéi MOSFETs an IGBTs, déi bei méi héije Spannungen an Temperaturen funktionéiere kënnen ewéi déi aus traditionellem Silizium. Seng exzellent Wärmeleitfäegkeet garantéiert eng effektiv Wärmeofleedung, wat entscheedend ass fir d'Leeschtung an d'Zouverlässegkeet an Uwendungen mat héijer Leeschtung ze erhalen.
A Radiofrequenzapplikatiounen (RF) ënnerstëtzen d'Eegeschafte vum 6H-N SiC d'Schafung vun Apparater, déi fäeg sinn, bei méi héije Frequenzen mat verbesserter Effizienz ze funktionéieren. Seng chemesch Stabilitéit a Stralungsbeständegkeet maachen et och gëeegent fir den Asaz an haarden Ëmfeld, dorënner an der Loftfaart- a Verteidegungssecteur.
Ausserdeem sinn 6H-N SiC-Substrater integral fir optoelektronesch Apparater, wéi zum Beispill ultraviolett Photodetekteren, wou hir grouss Bandlück eng effizient UV-Liichtdetektioun erméiglecht. D'Kombinatioun vun dësen Eegeschafte mécht 6H n-Typ SiC zu engem villseitegen an onverzichtbare Material fir d'Entwécklung vun modernen elektroneschen an optoelektroneschen Technologien.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Folgend sinn d'Charakteristike vun engem Siliziumkarbidwafer:

· Produktnumm: SiC-Substrat
· Hexagonal Struktur: Eenzegaarteg elektronesch Eegeschaften.
· Héich Elektronemobilitéit: ~600 cm²/V·s.
· Chemesch Stabilitéit: Korrosiounsbeständeg.
· Stralungsbeständegkeet: Gëeegent fir haart Ëmfeld.
· Niddreg intrinsesch Carrierkonzentratioun: Effizient bei héijen Temperaturen.
· Haltbarkeet: Staark mechanesch Eegeschaften.
· Optoelektronesch Fäegkeet: Effektiv UV-Liichtdetektioun.

Siliziumkarbid-Wafer huet verschidde Uwendungen

SiC-Wafer-Applikatiounen:
SiC (Siliziumkarbid)-Substrater ginn a verschiddenen Héichleistungsapplikatioune benotzt wéinst hiren eenzegaartegen Eegeschafte wéi héijer Wärmeleitfäegkeet, héijer elektrescher Feldstäerkt a breeder Bandlück. Hei sinn e puer Uwendungen:

1. Leeschtungselektronik:
·Héichspannungs-MOSFETs
·IGBTs (Isoléiert Gate Bipolar Transistoren)
· Schottky-Dioden
·Stroumwechselrichter

2. Héichfrequenzgeräter:
·RF (Radiofrequenz) Verstärker
·Mikrowellentransistoren
·Millimeterwellengeräter

3. Héichtemperaturelektronik:
· Sensoren a Schaltunge fir haart Ëmfeld
· Elektronik am Raumfaartberäich
· Automobilelektronik (z.B. Motorsteierungseenheeten)

4. Optoelektronik:
·Ultraviolett (UV) Photodetektoren
· Liichtemittéierend Dioden (LEDs)
·Laserdioden

5. Erneierbar Energiesystemer:
·Solarinverter
·Wandturbinnenkonverteren
· Undriff vun Elektroautoen

6. Industrie a Verteidegung:
·Radarsystemer
· Satellittekommunikatioun
· Instrumenter fir Nuklearreaktoren

SiC-Wafer-Personaliséierung

Mir kënnen d'Gréisst vum SiC-Substrat un Är spezifesch Ufuerderungen upassen. Mir bidden och e 4H-Semi HPSI SiC-Wafer mat enger Gréisst vun 10x10mm oder 5x5mm un.
De Präis gëtt vum Fall bestëmmt, an d'Verpakungsdetailer kënnen no Äre Virléiften ugepasst ginn.
D'Liwwerzäit ass bannent 2-4 Wochen. Mir akzeptéieren Bezuelung iwwer T/T.
Eis Fabréck huet fortgeschratt Produktiounsausrüstung an en technescht Team, déi verschidde Spezifikatiounen, Dicken a Forme vu SiC-Wafer no de spezifesche Bedierfnesser vun de Clienten upassen kënnen.