2 Zoll 50,8 mm Silicon Carbide SiC Wafers Dotéiert Si N-Typ Produktiounsfuerschung an Dummy Grad

2 Zoll 50,8 mm Silicon Carbide SiC Wafers Dotéiert Si N-Typ Produktioun Fuerschung an Dummy Grad Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Shanghai Xinkehui Tech. Co., Ltd bitt déi bescht Auswiel a Präisser fir qualitativ héichwäerteg Siliziumkarbidwaferen a Substrate bis zu sechs Zoll Duerchmiesser mat N- a semi-isoléierend Typen. Kleng a grouss Hallefleitgeräterfirmen a Fuerschungslaboratoiren weltwäit benotzen a vertrauen op eis Silikonkarbidwafers.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Parametric Critèrë fir 2-Zoll 4H-N undoped SiC wafers enthalen

Substratmaterial: 4H Siliciumcarbid (4H-SiC)

Kristallstruktur: tetrahexahedral (4H)

Doping: Undoped (4H-N)

Gréisst: 2 Zoll

Konduktivitéitstyp: N-Typ (n-dotéiert)

Konduktivitéit: Semiconductor

Maartausbléck: 4H-N net-dotéiert SiC Wafere hu vill Virdeeler, sou wéi héich thermesch Konduktivitéit, geréng Leitungsverloscht, exzellent Héichtemperaturresistenz, an héich mechanesch Stabilitéit, an hunn domat e breet Maartausbléck a Kraaftelektronik a RF Uwendungen. Mat der Entwécklung vun erneierbaren Energien, elektresche Gefierer a Kommunikatiounen gëtt et eng ëmmer méi Nofro fir Apparater mat héijer Effizienz, héijer Temperaturoperatioun an héijer Kraaft Toleranz, déi eng méi breet Maartméiglechkeet fir 4H-N net-dotéiert SiC Wafere bitt.

Benotzt: 2-Zoll 4H-N net-dotéiert SiC Wafere kënne benotzt ginn fir eng Vielfalt vu Kraaftelektronik a RF-Geräter ze fabrizéieren, inklusiv awer net limitéiert op:

1--4H-SiC MOSFETs: Metalloxid Halbleiter Feldeffekttransistoren fir héich Kraaft / Héichtemperatur Uwendungen. Dës Apparater hunn niddereg Leitung a Schaltverloschter fir méi héich Effizienz an Zouverlässegkeet ze bidden.

2--4H-SiC JFETs: Junction FETs fir RF Kraaftverstärker a Schaltapplikatiounen. Dës Apparater bidden héich Frequenz Leeschtung an héich thermesch Stabilitéit.

3--4H-SiC Schottky Diodes: Dioden fir héich Kraaft, héich Temperatur, Héichfrequenz Uwendungen. Dës Geräter bidden héich Effizienz mat gerénger Leedung a Schaltverloschter.

4--4H-SiC Optoelektronesch Geräter: Apparater benotzt a Beräicher wéi Héichkraaft Laserdioden, UV Detektoren an optoelektronesch integréiert Kreesleef. Dës Apparater hunn héich Muecht a Frequenz Charakteristiken.

Zesummegefaasst, 2-Zoll 4H-N net-dotéiert SiC wafers hunn d'Potenzial fir eng breet Palette vun Uwendungen, virun allem an Muecht Elektronik an RF. Hir super Leeschtung an Héichtemperaturstabilitéit maachen se e staarke Konkurrent fir traditionell Siliziummaterialien fir High-Performance, High-Temperature an High-Power Uwendungen ze ersetzen.