2 Zoll 50,8 mm Siliziumkarbid SiC-Waffen dotiert Si N-Typ Produktiounsfuerschung an Dummy-Qualitéit

Substratmaterial: 4H Siliziumkarbid (4H-SiC)

Kristallstruktur: tetrahexaedresch (4H)

Dotierung: Ondotiert (4H-N)

Gréisst: 2 Zoll

Konduktivitéitstyp: N-Typ (n-dotiert)

Konduktivitéit: Hallefleiter

Maartausbléck: 4H-N net-dotiert SiC-Waferen hunn vill Virdeeler, wéi héich Wärmeleitfäegkeet, niddrege Leetverloscht, exzellent Héichtemperaturbeständegkeet an héich mechanesch Stabilitéit, an dofir eng breet Maartausbléck an der Leeschtungselektronik an HF-Applikatiounen. Mat der Entwécklung vun erneierbaren Energien, Elektroautoen a Kommunikatioun gëtt et eng wuessend Nofro fir Apparater mat héijer Effizienz, Héichtemperaturbetrieb an héijer Leeschtungstoleranz, wat eng méi breet Maartméiglechkeet fir 4H-N net-dotiert SiC-Waferen bitt.

Uwendungen: 2-Zoll 4H-N net-dotiert SiC-Wafere kënne benotzt ginn fir eng Vielfalt vun Elektronik an HF-Geräter ze fabrizéieren, dorënner awer net limitéiert op:

1--4H-SiC MOSFETs: Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren fir Uwendungen mat héijer Leeschtung/héichen Temperaturen. Dës Komponenten hunn niddreg Leetungs- a Schaltverloschter fir eng méi héich Effizienz a Zouverlässegkeet ze bidden.

2--4H-SiC JFETs: Junction FETs fir RF-Leeschtungsverstärker an Schaltapplikatiounen. Dës Apparater bidden héichfrequent Leeschtung an héich thermesch Stabilitéit.

3--4H-SiC Schottky-Dioden: Dioden fir Uwendungen mat héijer Leeschtung, héijen Temperaturen an héijer Frequenz. Dës Apparater bidden eng héich Effizienz mat niddrege Leetungs- a Schaltverloschter.

4--4H-SiC Optoelektronesch Komponenten: Komponenten, déi a Beräicher wéi Laserdioden mat héijer Leeschtung, UV-Detektoren an optoelektronesch integréiert Schaltungen agesat ginn. Dës Komponenten hunn héich Leeschtungs- a Frequenzcharakteristiken.

Zesummegefaasst hunn 2-Zoll 4H-N net-dotiert SiC-Waferen de Potenzial fir eng breet Palette vun Uwendungen, besonnesch an der Leeschtungselektronik an HF. Hir iwwerleeën Leeschtung a Stabilitéit bei héijen Temperaturen maachen se zu engem staarke Kandidat fir traditionell Siliziummaterialien fir Héichleistungs-, Héichtemperatur- an Héichleistungsapplikatiounen z'ersetzen.