2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll InP epitaktesch Wafer-Substrat APD Liichtdetektor fir Glasfaserkommunikatioun oder LiDAR

Kuerz Beschreiwung:

Den InP epitaktischen Substrat ass d'Basismaterial fir d'Fabrikatioun vun APD, normalerweis e Hallefleedermaterial, dat duerch epitaktesch Wuesstechnologie op de Substrat ofgesat gëtt. Dacks benotzt Materialien enthalen Silizium (Si), Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN), etc., mat exzellenten photoelektreschen Eegeschaften. Den APD Photodetektor ass eng speziell Zort vu Photodetektor, deen de photoelektreschen Effekt vun der Lawinentechnik benotzt fir den Detektiounssignal ze verbesseren. Wann Photonen op APD afalen, ginn Elektron-Lach-Pairen generéiert. D'Beschleunigung vun dësen Träger ënner der Aktioun vun engem elektresche Feld kann zu der Bildung vu méi Träger féieren, en "Lawineneffekt", deen den Ausgangsstroum däitlech verstäerkt.
Epitaktesch Wafer, déi mat MOCvD gewuess sinn, stinn am Mëttelpunkt vun Uwendungen an der Lawinen-Photodetektiounsdiod. D'Absorptiounsschicht gouf aus U-InGaAs-Material mat enger Hannergronddotierung vu <5E14 virbereet. Déi funktionell Schicht kann InP oder InAlAs-Schicht benotzen. Den epitaktischen InP-Substrat ass dat Basismaterial fir d'Fabrikatioun vun APD, wat d'Leeschtung vum opteschen Detektor bestëmmt. Den APD-Fotodetektor ass eng Aart héichempfindleche Photodetektor, deen a Kommunikatiouns-, Sensor- a Bildgebungsberäicher wäit verbreet ass.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Schlësselmerkmale vun der InP Laser Epitaxialfolie sinn ënner anerem

1. Charakteristike vun der Bandlück: InP huet eng schmuel Bandlück, déi fir d'Detektioun vu laangwellegem Infraroutliicht gëeegent ass, besonnesch am Wellelängteberäich vun 1,3 μm bis 1,5 μm.
2. Optesch Leeschtung: Den InP Epitaksfilm huet eng gutt optesch Leeschtung, wéi zum Beispill d'Liichtkraaft an d'extern Quanteffizienz bei verschiddene Wellelängten. Zum Beispill bei 480 nm sinn d'Liichtkraaft an d'extern Quanteffizienz 11,2% respektiv 98,8%.
3. Carrierdynamik: InP-Nanopartikelen (NPs) weisen en duebelt exponentiellt Zerfallsverhalen während dem epitaktischen Wuesstum op. Déi séier Zerfallszäit gëtt op d'Carrierinjektioun an d'InGaAs-Schicht zréckgefouert, während déi lues Zerfallszäit mat der Carrierrekombinatioun an InP-NPs zesummenhänkt.
4. Héichtemperaturcharakteristiken: AlGaInAs/InP Quantebrunnmaterial huet eng exzellent Leeschtung bei héijen Temperaturen, wat Stroumleckage effektiv verhënnere kann an d'Héichtemperaturcharakteristike vum Laser verbessere kann.
5. Fabrikatiounsprozess: InP-Epitaxialfolien ginn normalerweis op dem Substrat duerch Molekularstraalepitaxie (MBE) oder Metallorganesch-Chemesch-Dampfdepositiounstechnologie (MOCVD) ugebaut, fir héichqualitativ Filmer z'erreechen.
Dës Charakteristike maachen InP-Laser-epitaxialwafere wichteg Uwendungen an der optescher Faserkommunikatioun, der Quanteschlësselverdeelung an der optescher Ferndetektioun.

Déi wichtegst Uwendungen vun InP Laser Epitaxialtabletten enthalen

1. Photonik: InP-Laseren an -Detektere gi wäit verbreet an der optescher Kommunikatioun, Datenzentren, Infraroutbildgebung, Biometrie, 3D-Detektioun a LiDAR agesat.

2. Telekommunikatioun: InP-Materialien hunn wichteg Uwendungen an der grousser Integratioun vu Silizium-baséierte Langwellenlasern, besonnesch an der Glasfaserkommunikatioun.

3. Infraroutlaser: Uwendungen vun InP-baséierte Quantebrunnlaser am mëttleren Infraroutband (wéi 4-38 Mikrometer), dorënner Gasdetektioun, Explosivdetektioun an Infraroutbildgebung.

4. Siliziumphotonik: Duerch heterogen Integratiounstechnologie gëtt den InP-Laser op e Silizium-baséiert Substrat transferéiert, fir eng multifunktionell Silizium-optoelektronesch Integratiounsplattform ze bilden.

5. Héichleistungslaser: InP-Materialien gi benotzt fir Héichleistungslaser ze produzéieren, wéi zum Beispill InGaAsP-InP Transistorlaser mat enger Wellelängt vun 1,5 Mikrometer.

XKH bitt personaliséiert InP epitaxial Waferen mat verschiddene Strukturen an Déckten un, déi eng Villfalt vun Uwendungen ofdecken, wéi optesch Kommunikatioun, Sensoren, 4G/5G Basisstatiounen, etc. D'Produkter vun XKH gi mat fortgeschrattener MOCVD-Ausrüstung hiergestallt, fir eng héich Leeschtung a Zouverlässegkeet ze garantéieren. Wat d'Logistik ugeet, huet XKH eng breet Palette vun internationale Quellkanäl, kann d'Zuel vun de Bestellunge flexibel handhaben a wäertvoll Servicer wéi Verdënnung, Segmentéierung, etc. ubidden. Effizient Liwwerprozesser garantéieren eng pünktlech Liwwerung a erfëllen d'Ufuerderunge vum Client u Qualitéit an Liwwerzäiten. No der Arrivée kënnen d'Clienten ëmfaassend technesch Ënnerstëtzung an en After-Sales-Service kréien, fir sécherzestellen, datt de Produit reibungslos a Betrib geholl gëtt.