2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll InP epitaxial Wafer Substrat APD Liichtdetektor fir Glasfaser Kommunikatioun oder LiDAR

Kuerz Beschreiwung:

InP epitaxial Substrat ass d'Basismaterial fir d'Produktioun vun APD, normalerweis e Hallefleitmaterial dat op de Substrat deposéiert gëtt duerch epitaxial Wuesstumstechnologie. Allgemeng benotzt Materialien enthalen Silizium (Si), Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN), etc., Mat exzellente fotoelektreschen Eegeschaften. Den APD Photodetektor ass eng speziell Aart vu Fotodetektor, deen den Lawine-fotoelektresche Effekt benotzt fir d'Detektiounssignal ze verbesseren. Wann Photonen op APD optrieden, ginn Elektronen-Lach-Paren generéiert. D'Beschleunegung vun dësen Träger ënner der Handlung vun engem elektresche Feld kann zu der Bildung vu méi Träger féieren, e "Avalanche-Effekt", deen den Ausgangsstroum wesentlech verstäerkt.
Epitaxial Wafere vu MOCvD ugebaut sinn de Fokus vun Lawine Photodetection Diode Uwendungen. D'Absorptiounsschicht gouf vun U-InGaAs Material mat Hannergrond Doping <5E14 virbereet. Déi funktionell Layer kann InP oder InAlAslayer benotzen. InP epitaxial Substrat ass d'Basismaterial fir APD Fabrikatioun, wat d'Performance vum opteschen Detektor bestëmmt. APD Photodetektor ass eng Aart Héichempfindlechkeet Photodetektor, dee wäit a Kommunikatiouns-, Sensing- an Imaging Felder benotzt gëtt.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Schlëssel Fonctiounen vun der InP Laser epitaxial Blat ëmfaasst

1. Band Spalt Charakteristiken: InP huet eng schmuel Band Spalt, déi fir laang-Wellen Infraroutstrahlung Liichtjoer Detektioun gëeegent ass, virun allem am Wellelängt Gamme vun 1.3μm bis 1.5μm.
2. Optesch Leeschtung: InP epitaxial Film huet gutt optesch Leeschtung, wéi Liichtkraaft an extern Quanteneffizienz bei verschiddene Wellelängten. Zum Beispill, bei 480 nm sinn d'Liichtkraaft an extern Quanteeffizienz 11,2% respektiv 98,8%.
3. Carrier Dynamik: InP Nanopartikelen (NPs) weisen en duebelt exponentiellt Zerfallverhalen während epitaxialem Wuesstum. Déi séier Zerfallzäit gëtt u Carrier Injektioun an d'InGaAs Schicht zougeschriwwen, während déi lues Zerfallzäit mat Carrier Rekombinatioun an InP NPs verbonnen ass.
4. Héichtemperatureigenschaften: AlGaInAs / InP Quantewellmaterial huet eng exzellent Leeschtung bei héijer Temperatur, déi effektiv Stroumleckage verhënneren an d'Héichtemperatureigenschaften vum Laser verbesseren.
5. Fabrikatiounsprozess: InP Epitaxialplacke ginn normalerweis op de Substrat duerch molekulare Strahlepitaxie (MBE) oder Metall-organesch chemesch Vapor Deposition (MOCVD) Technologie ugebaut fir héichqualitativ Filmer z'erreechen.
Dës Charakteristike maachen InP Laser epitaxial Wafere wichteg Uwendungen an der optescher Faserkommunikatioun, Quanteschlësselverdeelung a Fernoptesch Detektioun.

D'Haaptapplikatioune vun InP Laser epitaxial Pëllen enthalen

1. Photonik: InP Laser an Detektore gi wäit an opteschen Kommunikatiounen, Datenzenteren, Infrarout Imaging, Biometrie, 3D Sensing a LiDAR benotzt.

2. Telekommunikatioun: InP Materialien hunn wichteg Uwendungen an der grousser Integratioun vu Silizium-baséiert laangwellelängt Laser, besonnesch an opteschen Glasfaser Kommunikatiounen.

3. Infrarout Laser: Uwendungen vun InP-baséiert Quantephysik Well Laser an der Mëtt-Infrarout Band (wéi 4-38 Mikron), dorënner Gas Sensing, explosive Detektioun an Infraroutstrahlung Imaging.

4. Silicon Photonik: Duerch heterogen Integratiounstechnologie gëtt den InP Laser op e Silizium-baséiert Substrat transferéiert fir eng multifunktionell Silizium optoelektronesch Integratiounsplattform ze bilden.

5.High Performance Laser: InP Materialien gi benotzt fir High-Performance Laser ze fabrizéieren, wéi InGaAsP-InP Transistor Laser mat enger Wellelängt vun 1,5 Mikron.

XKH bitt personaliséiert InP epitaxial Wafere mat verschiddene Strukturen an Dicken, déi eng Vielfalt vun Uwendungen iwwerdecken wéi optesch Kommunikatioun, Sensoren, 4G / 5G Basisstatiounen, asw. Wat d'Logistik ugeet, huet XKH eng breet Palette vun internationalen Quellkanälen, kann flexibel d'Zuel vun den Bestellungen handhaben, a bitt Valeur-added Servicer wéi Ausdünnung, Segmentéierung, asw. Qualitéit an Liwwerzäiten. No der Arrivée kënnen d'Clienten eng ëmfaassend technesch Ënnerstëtzung an After-Sales-Service kréien fir sécherzestellen datt de Produkt glat a benotzt gëtt.