200mm SiC Substrat Dummy Grad 4H-N 8inch SiC wafer

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbidsubstrat mat engem Duerchmiesser vun 8 Zoll (ongeféier 200 mm). Silicon Carbide (SiC) Substrat ass e wichtegt Material fir d'Fabrikatioun vun Kraaftapparater an optoelektronesch Geräter. 8-Zoll SiC-Substrate ginn allgemeng benotzt fir High-Performance-elektronesch Geräter wéi Power MOSFETs, Power-Dioden an aner High-Performance Power-Geräter ze fabrizéieren. Dëse grousse Substrat kann d'Produktiounseffizienz verbesseren, d'Fabrikatiounskäschte reduzéieren an hëllefen d'Fabrikatioun vu méi staarken Apparater z'erméiglechen. Siliziumkarbidmaterial huet exzellent thermesch Konduktivitéit, héich Temperaturbeständegkeet a Stralungsbeständegkeet, wat et eng ideal Wiel mécht fir High-Performance-Kraaftapparater ze fabrizéieren.


Produit Detailer

Produit Tags

Déi technesch Schwieregkeete vun der 8-Zoll SiC Substratproduktioun enthalen:

1.Crystal Growth: Erreechen qualitativ héichwäerteg Eenkristallwachstum vu Siliziumkarbid a groussen Duerchmiesser kann Erausfuerderung sinn wéinst der Kontroll vu Mängel a Gëftstoffer.

2.Wafer Processing: Déi méi grouss Gréisst vun 8-Zoll Wafer stellt Erausfuerderunge wat d'Uniformitéit an d'Defektkontrolle bei der Waferveraarbechtung ugeet, wéi zB Polieren, Ätzen an Doping.

3.Material Homogenitéit: Konsequent Materialeigenschaften an Homogenitéit iwwer de ganzen 8-Zoll SiC-Substrat assuréieren ass technesch erfuerderlech a erfuerdert präzis Kontroll während dem Fabrikatiounsprozess.

4.Cost: Skaléieren bis zu 8-Zoll SiC-Substrate beim Erhalen vun héijer Materialqualitéit a Rendement kann wirtschaftlech Erausfuerderung sinn duerch d'Komplexitéit an d'Käschte vun de Produktiounsprozesser.

5.Adresséiert dës technesch Schwieregkeeten ass entscheedend fir déi verbreet Adoptioun vun 8-Zoll SiC-Substrate an High-Performance-Muecht an optoelektroneschen Apparater.

Mir liwweren Saphir Substrater aus China d'Nummer eent Export SiC Fabriken dorënner Tankeblue. Méi wéi 10 Joer Agence huet eis erlaabt eng enk Relatioun mat der Fabréck ze erhalen. Mir kënnen Iech mat den 6inch an 8inchSiC Substrate ubidden, déi Dir braucht fir eng laangfristeg a stabil Versuergung wärend Dir de beschte Präis a Präis ubitt.

Tankeblue ass eng High-Tech Entreprise spezialiséiert an der Entwécklung, Produktioun a Verkaf vun Drëtt-Generatioun Halbleiter Siliciumcarbid (SiC) Chips. D'Firma ass ee vun de weltgréisste Produzente vu SiC Wafers.

Detailléiert Diagramm

asw (1)
asw (2)

  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis