200mm SiC Substrat Dummy Grad 4H-N 8 Zoll SiC Wafer

Zu den technesche Schwieregkeete vun der Produktioun vun 8-Zoll SiC-Substrater gehéieren:

1. Kristallwuesstum: E qualitativ héichwäertegt Eenkristallwuesstum vu Siliziumcarbid a groussen Duerchmiesser z'erreechen kann eng Erausfuerderung sinn wéinst der Kontroll vu Mängel an Ongereinheeten.

2. Waferveraarbechtung: Déi méi grouss Gréisst vun 8-Zoll-Waferen stellt Erausfuerderungen a punkto Uniformitéit a Feelerkontroll während der Waferveraarbechtung duer, wéi z. B. Polieren, Ätzen an Dotéieren.

3. Materialhomogenitéit: D'Sécherung vun konsequente Materialeegeschaften an Homogenitéit iwwer dat gesamtt 8-Zoll SiC-Substrat ass technesch usprochsvoll a erfuerdert eng präzis Kontroll während dem Produktiounsprozess.

4. Käschten: D'Skaléierung vu SiC-Substrater bis zu 8-Zoll, während eng héich Materialqualitéit an -ausgabe behalen ginn, kann wirtschaftlech eng Erausfuerderung sinn, well d'Produktiounsprozesser komplex an usprochsvoll sinn.

5. D'Adresséiere vun dësen technesche Schwieregkeeten ass entscheedend fir déi verbreet Adoptioun vun 8-Zoll SiC-Substrater an Héichleistungs-Energie- an optoelektroneschen Apparater.

Mir liwweren Saphir-Substrater vu China senge féierende SiC-Exportfabriken, dorënner Tankeblue. Méi wéi 10 Joer Agentur huet et eis erméiglecht, eng enk Relatioun mat der Fabréck ze pflegen. Mir kënnen Iech déi 6 Zoll an 8 Zoll SiC-Substrater ubidden, déi Dir fir eng laangfristeg a stabil Liwwerung braucht, wärend mir de beschte Präis a Präis ubidden.

Tankeblue ass en High-Tech-Entreprise, deen sech op d'Entwécklung, d'Produktioun an de Verkaf vun Halbleiter-Siliciumkarbid (SiC)-Chips vun der drëtter Generatioun spezialiséiert huet. D'Firma ass ee vun de weltwäit féierende Produzente vu SiC-Waferen.