2 Zoll Sic Silicon Carbide Substrat 6H-N Typ 0.33mm 0.43mm Duebelsäiteg poléieren Héich Wärmekonduktivitéit niddereg Stroumverbrauch

2 Zoll Sic Silicon Carbide Substrat 6H-N Typ 0.33mm 0.43mm Duebelsäiteg poléieren Héich thermesch Konduktivitéit niddereg Stroumverbrauch Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Silicon Carbide (SiC) ass e breet Band Spalt Halbleitermaterial mat exzellenter thermescher Konduktivitéit a chemescher Stabilitéit. Typ 6H-N weist datt seng Kristallstruktur sechseckeg ass (6H), an "N" weist datt et en N-Typ Hallefleitmaterial ass, wat normalerweis duerch Doping Stickstoff erreecht gëtt.
De Siliciumcarbid-Substrat huet exzellente Charakteristiken vun der héijer Drockbeständegkeet, der Héichtemperaturbeständegkeet, der Héichfrequenzleistung, etc.. Am Verglach mat Siliziumprodukter kann den Apparat, deen vum Siliziumsubstrat virbereet gëtt, de Verloscht ëm 80% reduzéieren an d'Apparatgréisst ëm 90% reduzéieren. Am Sënn vun neien Energie Gefierer, Silicon Carbide kann hëllefen nei Energie Gefierer erreechen Liichtjoer a Verloschter reduzéieren, an Erhéijung dreiwend Beräich; Am Beräich vun 5G Kommunikatioun, kann et fir d'Fabrikatioun vun Zesummenhang Ausrüstung benotzt ginn; An photovoltaic Muecht Generatioun kann d'Konversioun Effizienz verbesseren; D'Feld vum Eisebunnstransit kann seng Héichtemperatur- an Héichdrockresistenzeigenschaften benotzen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Déi folgend sinn d'Charakteristiken vun 2inch Silicon Carbide wafer

1. Hardness: Mohs Hardness ass ongeféier 9,2.
2. Kristallstruktur: sechseckegen Gitterstruktur.
3. Héich thermesch Konduktivitéit: d'Wärmekonduktivitéit vu SiC ass vill méi héich wéi dee vum Silizium, wat fir effektiv Wärmevergëftung fördert.
4. Breet Band Spalt: D'Band Spalt vun SiC ass ongeféier 3.3eV, gëeegent fir héich Temperatur, héich Frequenz an héich Muecht Uwendungen.
5. Decompte elektresch Feld an Elektronen Mobilitéit: Héich Decompte elektresch Feld an Elektronen Mobilitéit, gëeegent fir effizient Muecht elektronesch Apparater wéi MOSFETs an IGBTs.
6. Chemesch Stabilitéit a Stralungsbeständegkeet: gëeegent fir haart Ëmfeld wéi Raumfaart an national Verteidegung. Exzellent chemesch Resistenz, Säure, Alkali an aner chemesch Léisungsmëttel.
7. Héich mechanesch Kraaft: Excellent mechanesch Kraaft ënner héich Temperatur an héich Drock Ëmfeld.
Et kann wäit an héich Muecht, héich Frequenz an héich Temperatur elektronesch Equipement benotzt ginn, wéi ultraviolet photodetectors, photovoltaic inverters, elektresch Gefier PCUs, etc.

2 Zoll Silicon Carbide Wafer huet verschidde Uwendungen.

1.Power elektronesch Geräter: benotzt fir High-Effizienz Power MOSFET, IGBT an aner Geräter ze fabrizéieren, wäit an der Muechtkonversioun an elektresche Gefierer benotzt.

2.Rf Geräter: An Kommunikatiounsausrüstung kann SiC an Héichfrequenzverstärker a RF Kraaftverstärker benotzt ginn.

3.Photoelektresch Geräter: wéi SIC-baséiert Leds, besonnesch a blo an ultraviolet Applikatiounen.

4.Sensoren: Duerch seng héich Temperatur a chemesch Resistenz kënnen SiC Substrate benotzt ginn fir Héichtemperatursensoren an aner Sensorapplikatiounen ze fabrizéieren.

5.Militär a Raumfaart: duerch seng héich Temperaturbeständegkeet an héich Kraaft Charakteristiken, gëeegent fir an extremen Ëmfeld ze benotzen.

D'Haaptapplikatiounsfelder vum 6H-N Typ 2 "SIC Substrat enthalen nei Energieautoen, Héichspannungstransmissions- an Transformatiounsstatiounen, Wäisswueren, High-Speed-Zich, Motoren, Photovoltaik-Inverter, Pulsenergieversuergung a sou weider.

XKH kann mat verschiddenen Dicken no Client Ufuerderunge personaliséiert ginn. Verschidde Uewerflächrauheet a Polierbehandlunge si verfügbar. Verschidde Aarte vun Doping (wéi Stickstoffdoping) ginn ënnerstëtzt. D'Standard Liwwerzäit ass 2-4 Wochen, ofhängeg vun der Personnalisatioun. Benotzt antistatesch Verpackungsmaterialien an anti-seismesch Schaum fir d'Sécherheet vum Substrat ze garantéieren. Verschidde Versandoptioune sinn verfügbar, a Cliente kënnen de Status vun der Logistik an Echtzäit iwwer d'Verfollegungsnummer iwwerpréiwen. Bitt technesch Ënnerstëtzung a Berodungsservicer fir sécherzestellen datt d'Cliente Problemer am Gebrauch kënne léisen.