2 Zoll Sic Siliziumcarbid-Substrat 6H-N Typ 0,33 mm 0,43 mm duebelsäiteg Polieren Héich Wärmeleitfäegkeet Niddrege Stroumverbrauch

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC) ass e Hallefleedermaterial mat enger breeder Bandlück mat exzellenter Wärmeleitfäegkeet a chemescher Stabilitéit.6H-Nweist un, datt seng Kristallstruktur hexagonal (6H) ass, an "N" weist un, datt et sech ëm en N-Typ Hallefleedermaterial handelt, wat normalerweis duerch Dotierung vu Stickstoff erreecht gëtt.
De Siliziumcarbid-Substrat huet exzellent Charakteristike wéi Héichdrockbeständegkeet, Héichtemperaturbeständegkeet, Héichfrequenzleistung, etc. Am Verglach mat Siliziumprodukter kann den Apparat, deen aus dem Siliziumsubstrat virbereet gëtt, de Verloscht ëm 80% reduzéieren an d'Gréisst vum Apparat ëm 90%. Wat nei Energiefahrzeugen ugeet, kann Siliziumcarbid nei Energiefahrzeugen hëllefen, Gewiicht ze verléieren, Verloschter ze reduzéieren an d'Reechwäit ze erhéijen; Am Beräich vun der 5G-Kommunikatioun kann et fir d'Produktioun vu verwandter Ausrüstung benotzt ginn; an der photovoltaescher Energieerzeugung kann et d'Konversiounseffizienz verbesseren; am Beräich vum Eisebunnsverkéier kann et seng Héichtemperatur- an Héichdrockbeständegkeetscharakteristike benotzen.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Folgend sinn d'Charakteristike vun engem 2-Zoll-Siliziumkarbidwafer

1. Häert: D'Mohs-Häert ass ongeféier 9,2.
2. Kristallstruktur: hexagonal Gitterstruktur.
3. Héich thermesch Konduktivitéit: D'thermesch Konduktivitéit vu SiC ass vill méi héich wéi déi vu Silizium, wat zu enger effektiver Wärmeverdeelung bäidréit.
4. Breet Bandlück: D'Bandlück vu SiC ass ongeféier 3,3 eV, gëeegent fir Uwendungen mat héijen Temperaturen, héijer Frequenz an héijer Leeschtung.
5. Duerchbrochselektrescht Feld a Mobilitéit vun den Elektronen: Héich Duerchbrochselektrescht Feld a Mobilitéit vun den Elektronen, gëeegent fir effizient elektronesch Leeschtungskomponenten wéi MOSFETs an IGBTs.
6. Chemesch Stabilitéit a Stralungsbeständegkeet: gëeegent fir haart Ëmfeld wéi Loftfaart a Verteidegung. Excellent chemesch Resistenz, Säure-, Alkali- an aner chemesch Léisungsmëttel.
7. Héich mechanesch Stäerkt: Excellent mechanesch Stäerkt ënner héijer Temperatur an héijem Drock.
Et kann wäit verbreet an elektroneschen Ausrüstung mat héijer Leeschtung, Héichfrequenz an Héichtemperatur agesat ginn, wéi z. B. UV-Photodetekteren, Photovoltaik-Inverter, PCUs fir Elektroautoen, etc.

2 Zoll Siliziumkarbidwafer huet verschidden Uwendungen.

1. Elektronesch Geräter fir Leeschtung: gi benotzt fir héicheffizient MOSFETs, IGBTs an aner Geräter ze produzéieren, déi wäit verbreet an der Energiekonversioun an an Elektroautoen benotzt ginn.

2. RF-Geräter: A Kommunikatiounsausrüstung kann SiC an Héichfrequenzverstärker an RF-Leeschtungsverstärker benotzt ginn.

3. Photoelektresch Apparater: wéi z. B. SIC-baséiert LEDs, besonnesch a bloen an ultraviolett Uwendungen.

4. Sensoren: Wéinst senger héijer Temperatur- a chemescher Resistenz kënne SiC-Substrater benotzt ginn fir Héichtemperatursensoren an aner Sensorapplikatiounen ze produzéieren.

5. Militär a Loftfaart: wéinst senger héijer Temperaturbeständegkeet an héijer Festigkeitseigenschaften, gëeegent fir den Asaz an extremen Ëmfeld.

Déi wichtegst Uwendungsberäicher vum 6H-N Typ 2 "SIC-Substrat sinn ënner anerem nei Energiefahrzeugen, Héichspannungs-Iwwerdroungs- an Transformatiounsstatiounen, Wäissgidder, Héichvitesszich, Motoren, Photovoltaik-Inverter, Pulsstroumversuergung a sou weider.

XKH kann mat verschiddenen Déckten no de Bedierfnesser vum Client personaliséiert ginn. Verschidde Uewerflächenrauheeten a Polierbehandlungen sinn verfügbar. Verschidden Aarte vun Dotierung (wéi z.B. Stickstoffdotierung) ginn ënnerstëtzt. Déi Standardliwwerzäit ass 2-4 Wochen, ofhängeg vun der Personaliséierung. Benotzt antistatesch Verpackungsmaterialien an anti-seismesche Schaum fir d'Sécherheet vum Substrat ze garantéieren. Verschidde Versandoptioune sinn verfügbar, an d'Clienten kënnen de Status vun der Logistik a Echtzäit iwwer déi uginn Trackingnummer kontrolléieren. Bitt techneschen Support a Berodungsdéngschter fir sécherzestellen, datt d'Clienten Problemer am Gebrauch léise kënnen.