156mm 159mm 6 Zoll Saphir Wafer fir Carrier C-Plane DSP TTV
Spezifikatioun
Artikel | 6-Zoll C-Plane (0001) Saphirwaferen | |
Kristallmaterialien | 99,999%, héich Rengheet, monokristallin Al2O3 | |
Grad | Prime, Epi-Ready | |
Uewerflächenorientéierung | C-Ebene(0001) | |
C-Fläch Off-Wénkel zur M-Achs 0,2 +/- 0,1° | ||
Duerchmiesser | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
Déckt | 650 μm +/- 25 μm | |
Primär flaach Orientéierung | C-Fläch (00-01) +/- 0,2° | |
Eenzel Säit poléiert | Frontfläch | Epi-poléiert, Ra < 0,2 nm (duerch AFM) |
(SSP) | Réckfläch | Fein gemuel, Ra = 0,8 μm bis 1,2 μm |
Duebel Säit poléiert | Frontfläch | Epi-poléiert, Ra < 0,2 nm (duerch AFM) |
(DSP) | Réckfläch | Epi-poléiert, Ra < 0,2 nm (duerch AFM) |
TTV | < 20 μm | |
BOU | < 20 μm | |
WARP | < 20 μm | |
Botzen / Verpackung | Klass 100 Reinigung a Vakuumverpackung, | |
25 Stéck an enger Kassettenverpackung oder Eenzelstéckverpackung. |
D'Kylopoulos-Method (KY-Method) gëtt de Moment vu ville Firmen a China benotzt fir Saphirkristaller fir den Asaz an der Elektronik- an Optikindustrie ze produzéieren.
An dësem Prozess gëtt héichreinen Aluminiumoxid an engem Tiegel bei Temperaturen iwwer 2100 Grad Celsius geschmolt. Normalerweis ass den Tiegel aus Wolfram oder Molybdän gemaach. E präzis orientéierte Keimkristall gëtt an dat geschmoltent Aluminiumoxid agetaucht. De Keimkristall gëtt lues no uewe gezunn a kann gläichzäiteg gedréit ginn. Duerch d'präzis Kontroll vum Temperaturgradient, der Zéigeschwindegkeet an der Ofkillgeschwindegkeet kann e groussen, eenkristallfërmegen, bal zylindresche Barren aus der Schmelz produzéiert ginn.
Nodeems d'Eenkristall-Saphirbarren gewuess sinn, gi se zu zylindresche Staangen gebuert, déi dann op déi gewënscht Fënsterdicke geschnidden a schliisslech op déi gewënscht Uewerflächenfinish poléiert ginn.
Detailéiert Diagramm


