156mm 159mm 6 Zoll Saphir Wafer fir CarrierC-Plane DSP TTV
Spezifizéierung
Artikel | 6-Zoll C-Plane (0001) Saphir Wafers | |
Kristallmaterialien | 99.999%, Héich Puritéit, Monokristallin Al2O3 | |
Grad | Premier, Epi-Ready | |
Uewerfläch Orientatioun | C-Plane (0001) | |
C-Plan Off-Wénkel Richtung M-Achs 0,2 +/- 0,1 ° | ||
Duerchmiesser | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
Dicke | 650 μm +/- 25 μm | |
Primär flaach Orientéierung | C-plane(00-01) +/- 0,2° | |
Single Side poléiert | Front Uewerfläch | Epi-poléiert, Ra < 0,2 nm (vun AFM) |
(SSP) | Réck Uewerfläch | Fein Buedem, Ra = 0,8 μm bis 1,2 μm |
Duebel Säit poléiert | Front Uewerfläch | Epi-poléiert, Ra < 0,2 nm (vun AFM) |
(DSP) | Réck Uewerfläch | Epi-poléiert, Ra < 0,2 nm (vun AFM) |
TTV | < 20 μm | |
BOU | < 20 μm | |
WARP | < 20 μm | |
Botzen / Verpakung | Class 100 Cleanroom Botzen a Vakuum Verpakung, | |
25 Stécker an enger Kassettverpackung oder Eenzelverpackung. |
D'Kylopoulos-Methode (KY-Methode) gëtt de Moment vu ville Firmen a China benotzt fir Saphirkristalle ze produzéieren fir an der Elektronik- an Optikindustrie ze benotzen.
An dësem Prozess gëtt héich Puritéit Aluminiumoxid an enger Krees geschmolt bei Temperaturen iwwer 2100 Grad Celsius. Normalerweis ass d'Kraaft aus Wolfram oder Molybdän gemaach. E präzis orientéierte Keimkristall gëtt am geschmollte Aluminiumoxid ënnerdaucht. De Somkristall gëtt lues no uewen gezunn a ka gläichzäiteg rotéiert ginn. Duerch präzis Kontroll vum Temperaturgradient, dem Zuchquote an der Ofkillungsquote kann e grousst Eenkristall, bal zylindresch Ingot aus der Schmelz produzéiert ginn.
Nodeems déi eenzeg Kristall Saphir Ingots gewuess sinn, gi se an zylindresch Stäben gebohrt, déi dann op déi gewënscht Fënsterdicke geschnidden a schliisslech op déi gewënscht Uewerfläch poléiert ginn.