12 Zoll SIC-Substrat Siliziumkarbid-Prime-Grad Duerchmiesser 300 mm grouss Gréisst 4H-N Gëeegent fir Hëtzofleedung duerch héich Leeschtungsgeräter

12 Zoll SIC-Substrat Siliziumkarbid-Primgrad Duerchmiesser 300 mm grouss Gréisst 4H-N Gëeegent fir Hëtzofleedung mat héijer Leeschtung Ausgewielt Bild

Kuerz Beschreiwung:

En 12-Zoll-Siliziumkarbid-Substrat (SiC-Substrat) ass e grousst, héichperformant Hallefleedermaterialsubstrat, dat aus engem Eenzelkristall vu Siliziumkarbid hiergestallt gëtt. Siliziumkarbid (SiC) ass e groussbandspalt Hallefleedermaterial mat exzellenten elektreschen, thermeschen a mechaneschen Eegeschaften, dat wäit verbreet bei der Fabrikatioun vun elektroneschen Apparater an Ëmfeld mat héijer Leeschtung, héijer Frequenz an héijen Temperaturen agesat gëtt. Den 12-Zoll-Substrat (300 mm) ass déi aktuell fortgeschratt Spezifikatioun vun der Siliziumkarbidtechnologie, déi d'Produktiounseffizienz däitlech verbesseren an d'Käschte reduzéieren kann.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Produktcharakteristiken

1. Héich thermesch Konduktivitéit: D'thermesch Konduktivitéit vu Siliziumcarbid ass méi wéi 3 Mol sou héich wéi déi vu Silizium, wat fir d'Hëtztofleedung vun héichleistungsgeräter gëeegent ass.

2. Héich Duerchbrochfeldstäerkt: D'Duerchbrochfeldstäerkt ass 10 Mol sou grouss wéi déi vu Silizium, gëeegent fir Héichdrockapplikatiounen.

3. Breet Bandlück: D'Bandlück ass 3,26 eV (4H-SiC), gëeegent fir Héichtemperatur- an Héichfrequenzapplikatiounen.

4. Héich Häert: D'Mohs-Häert ass 9,2, zweet no Diamant, exzellent Verschleißbeständegkeet a mechanesch Stäerkt.

5. Chemesch Stabilitéit: staark Korrosiounsbeständegkeet, stabil Leeschtung bei héijen Temperaturen an haarden Ëmfeld.

6. Grouss Gréisst: 12 Zoll (300mm) Substrat, verbessert d'Produktiounseffizienz, reduzéiert d'Eenheetskäschten.

7. Niddreg Defektdicht: héichqualitativ Eenkristallwachstumstechnologie fir eng niddreg Defektdicht an eng héich Konsistenz ze garantéieren.

Haaptapplikatiounsrichtung vum Produkt

1. Leeschtungselektronik:

Mosfets: Gëtt an Elektroautoen, industrielle Motorundriff a Stroumwandler benotzt.

Dioden: wéi z. B. Schottky-Dioden (SBD), déi fir effizient Gläichrichtigung a Schaltstroumversuergung benotzt ginn.

2. RF-Geräter:

RF-Leeschtungsverstärker: gëtt a 5G-Kommunikatiounsbasisstatiounen a Satellittekommunikatioun benotzt.

Mikrowellengeräter: Gëeegent fir Radar a drahtlos Kommunikatiounssystemer.

3. Nei Energieautoen:

Elektresch Undriffssystemer: Motorsteuerungen an Inverter fir Elektroautoen.

Ladestapel: Stroummodul fir Schnellladegeräter.

4. Industriell Uwendungen:

Héichspannungsinverter: fir industriell Motorsteierung an Energiemanagement.

Smart Grid: Fir HVDC-Iwwerdroung an Transformatoren fir Kraaftelektronik.

5. Loft- a Raumfaart:

Héichtemperaturelektronik: gëeegent fir Héichtemperaturëmfeld vun der Loftfaartausrüstung.

6. Fuerschungsberäich:

Fuerschung iwwer Hallefleeder mat breeder Bandlück: fir d'Entwécklung vun neie Hallefleedermaterialien an -komponenten.

Den 12-Zoll Siliziumkarbid-Substrat ass eng Zort héichperformant Hallefleedermaterial-Substrat mat exzellenten Eegeschafte wéi héijer Wärmeleitfäegkeet, héijer Duerchbrochfeldstäerkt a breeder Bandlück. Et gëtt wäit verbreet an der Leeschtungselektronik, Radiofrequenzgeräter, neien Energiefahrzeugen, industrieller Kontroll an der Loftfaart benotzt, an ass e Schlësselmaterial fir d'Entwécklung vun der nächster Generatioun vun effizienten an héichleeschtenden elektroneschen Apparater ze fërderen.

Wärend Siliziumcarbid-Substrater de Moment manner direkt Uwendungen an der Konsumentelektronik wéi AR-Brëller hunn, kéint hiert Potenzial am effiziente Stroumverwaltungsmanagement a miniaturiséierter Elektronik liicht, héich performant Stroumversuergungsléisunge fir zukünfteg AR/VR-Geräter ënnerstëtzen. De Moment konzentréiert sech d'Haaptentwécklung vum Siliziumcarbid-Substrat op industriell Beräicher wéi nei Energiefahrzeuge, Kommunikatiounsinfrastruktur an industriell Automatiséierung, a fërdert d'Halbleiterindustrie zu enger méi effizienter a zouverléisseger Richtung.

XKH engagéiert sech fir héichqualitativ 12" SIC-Substrater mat ëmfangräichem techneschen Support a Servicer ze liwweren, dorënner:

1. Personnaliséiert Produktioun: No de Bedierfnesser vum Client sollen ënnerschiddlech Widderstänn, Kristallorientéierung a Substrat fir d'Uewerflächenbehandlung ugebuede ginn.

2. Prozessoptimiséierung: Clienten technesch Ënnerstëtzung fir epitaktesch Wuesstem, Apparatfabrikatioun an aner Prozesser ubidden, fir d'Produktleistung ze verbesseren.

3. Tester a Zertifizéierung: Streng Defektdetektioun a Qualitéitszertifizéierung ubidden, fir sécherzestellen, datt de Substrat den Industriestandarden entsprécht.

4. Fuerschungs- a Entwécklungszesummenaarbecht: Gemeinsam Entwécklung vun neien Siliziumkarbid-Apparater mat Clienten fir technologesch Innovatioun ze fërderen.

Datendiagramm

Spezifikatioun vum Siliziumkarbid (SiC) Substrat vun 1,5 cm (2 Zoll)
Grad		ZeroMPD Produktioun Grad (Z Grad)	Standardproduktioun Grad (P Grad)		Dummy-Klass (Klass D)
Duerchmiesser		300 mm~305 mm
Déckt	4H-N	750μm ± 15 μm	750μm±25μm
	4H-SI	750μm ± 15 μm	750μm±25μm
Wafer Orientéierung		Off-Achs: 4,0° Richtung <1120 >±0,5° fir 4H-N, Op-Achs: <0001>±0,5° fir 4H-SI
Mikropäifdicht	4H-N	≤0,4 cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Widderstandsfäegkeet	4H-N	0,015~0,024 Ω·cm			0,015~0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Primär flaach Orientéierung		{10-10} ±5,0°
Primär flaach Längt	4H-N	N/A
	4H-SI	Kerb
Randausgrenzung		3 mm
LTV/TTV/Béi/Verzerrung		≤5μm/≤15μm/≤35μm/≤55μm			≤5μm/≤15μm/≤35□ μm/≤55□ μm
Rauheet		Polnesch Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,2 nm			Ra≤0,5 nm
Kantrëss duerch héichintensivt Liicht Sechseckplacken duerch héichintensivt Liicht Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht Visuell Kuelestoffinklusiounen Siliziumoberfläche kraazt duerch héichintensivt Liicht		Keen Kumulativ Fläch ≤0,05% Keen Kumulativ Fläch ≤0,05% Keen			Kumulativ Längt ≤ 20 mm, eenzel Längt ≤2 mm Kumulativ Fläch ≤0,1% Kumulativ Fläch ≤3% Kumulativ Fläch ≤3% Kumulativ Längt ≤1 × Waferduerchmiesser
Kantchips duerch héichintensivt Liicht		Keen erlaabt ≥0,2 mm Breet an Déift			7 erlaabt, ≤1 mm all
(TSD) Verrécklung vun der Gewindeschraube		≤500 cm-2		N/A
(BPD) Basisplanverrécklung		≤1000 cm⁻²		N/A
Kontaminatioun vun der Siliziumoberfläche duerch héichintensivt Liicht		Keen
Verpackung		Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter
Notizen:
1 D'Defektlimitte gëllen fir déi ganz Waferuewerfläch ausser fir de Randausschlussberäich. 2D'Kratzer sollten nëmmen op der Si-Gesiicht iwwerpréift ginn. 3 D'Dislokatiounsdaten stamen nëmme vu KOH-geätzten Waferen.

XKH wäert weiderhin an d'Fuerschung an d'Entwécklung investéieren, fir den Duerchbroch vun 12-Zoll-Siliciumcarbid-Substrater a grousser Gréisst, mat wéineg Defekter an héijer Konsistenz ze fërderen, während XKH seng Uwendungen an nei opkomende Beräicher wéi Konsumentelektronik (wéi z. B. Energiemoduler fir AR/VR-Geräter) a Quantecomputer exploréiert. Duerch d'Reduktioun vun de Käschten an d'Erhéijung vun der Kapazitéit wäert XKH der Hallefleederindustrie Wuelstand bréngen.