12 Zoll sic soborde Silicon Carbide Prime Grad Damame Tweamer grouss Gréisst 4h-n gëeegent fir héich Kraaft
Produkt Charakteristiken
1. Héich thermesch Verwëllungsräich: déi thermesch Verwëllegenheet vu Silikon Kuerf ass méi wéi 3 Mol déi vu Silikon, dat gëeegent fir héich Kraaftapparat
2. Héich Trueddownfeld Stäerkt: D'Decomptiounsbestäerksstäerkt ass 10 Mol déi vu Silikon, gëeegent fir héich Drock Uwendungen.
3.Wide Bandgap: D'Bandgap ass 3.26EV (4H-Sic), gëeegent fir Héich Temperatur an héich Frequenz Uwendungen.
4. Héich Hardness: Mohs Hardness ass 9.2, zweete just fir Diamante, exzellent Weeschterheet a mechanesch Stäerkt.
5 mareschen Aarmspikalitéit: Maträchte Controrosion Resistenzantanz-st Leeschtung zu Héich Temperatur an Hurhlesche Ëmwelt.
6. Grouss Gréisst: 12 Zoll (300mm) Substrat, verbessert d'Produktiounseffizienz, reduzéiert Eenheetskäschte.
7.Low Mälfekt Dicht: Héichqualitéit Single Crystal Wuesstdrock fir niddreg Dicht Densitéit an héich Konsistenz ze garantéieren.
Produkt Haaptworf Richtung
1. Power Elektronik:
Mosfets: Gebrauchte mat elektresche Gefierer, industriellmotesch Morriusen a Kraaftvertrauen.
Diögen: sou wéi Pappkyen (SBD), benotzt fir effizient Rection a Wiessel Muecht Muechtmaterial.
2. RF Geräter:
RF Power Amplifier: Benotzt an 5G Kommunikatiounsbasis a Satellite Kommunikatioun.
Mikrowell Geräter: passend fir Radar an Wireless Kommunikatiounsystemer.
3. Neit Energie Gefierer:
Elektresch Drive Systemer: Motorkontroller an Inverteuren fir elektresch Gefierer.
Opluede Pile: Power Modul fir Fast Casice Ausrüstung.
4. Industriell Uwendungen:
Héich Votot Inverter: Fir industrie Motoraktiounen an Energiegestioun.
Smart Grid: fir HVDC Iwwerdroung a Kraaft Elektronik Transformers.
5. Aerospace:
Héich Temperatur Electronics: Gëeegent fir héich Temperatur Ëmfeld vun Aerospace Ausrüstung.
6. Fuerschung Feld:
Breet Bandgap Semikonductorstarten: Fir d'Entwécklung vun neie Semikonductorder Mëssbrauch an Apparater.
Den 12 Zoll Silicon Carbide Substrat ass eng Aart vun enger héijer Performance Semikander Material mat exzellente Propriéitéite wéi héich trimmesch Klimawandelung a breede Bandkraaft Et ass ongeféier effizient a Kraaft ze gebrauchte, an en raffentvollstänneg Apparater.
Och iwwer Silize Carbegor Fëschebartiz bauen am Moment bitt zu Konsumenten, déi dem Courrêt kritt, en méi schlecht Formagen ënnerstëtzen. Zu Lëtzebuerg, d'Haaptunterwécklungskonzept vum Silizon Karbide Fësch ass an industrizend Flakelen konzentréiert wéi nei ausserhalb Gefierer, Kommunikatioun a industriminatiounen an assemblängerer an e méi effizient
Xkh ass engagéiert fir héich Qualitéit 12 "Sic Scores mat externer Technesch Support a Servicer ze liwweren, inklusiv:
1. Personnaliséiert Produktioun: Geméiss Cliente mussen verschidden Resistenz, kristal Orientéierung a Flarbehandlungsbuedem ubidden.
2 Matt Optisatioun: gitt Clienten mat techneschen Ënnerstëtzung vu sspriechbaren Wuesstum, Gascafehengel an aner Prozeesser fir Produktioun ze verbesseren.
3. Testen an Zertifizéierung: Gitt Strikt Detektioun a Qualitéit Zertifizéierung fir sécherzestellen datt de Substrat an d'Substrat an d'Substratsnormen entsprécht.
4R & D Kooperatioun: gemeinsam entwéckelt nei Silicon Carbide Geräter mat Clienten fir technesch Innovatioun ze promoten.
DATA Chart
| 1 2 Zoll Silicon Carbide (SIC) Substrat Spezifikatioun | |||||
| 40 Milliounen | Nullminproduktioun Grad (Z Grad) | Normaltung Grad (P Grad) | Dummy Grad (D Grad) | ||
| Entersheemer | 3 0 0 mm ~ 1305mm | ||||
| Décker | 4h-n | 750m ± 15 μm | 750m ± 25 μm | ||
| 4h-si | 750m ± 15 μm | 750m ± 25 μm | |||
| Widder Orientéierung | Off Achs: 4.0 ° op <1120> ± 0,5 ° fir 4h-n, op Axis: <0001> ± 0H-Si | ||||
| Mikropipe Dicht | 4h-n | ≤0.4cm-2 | ≤4cm-2 | ≤25cm-2 | |
| 4h-si | ≤5cm-2 | ≤10cm-2 | ≤25cm-2 | ||
| Resistivivitéit | 4h-n | 0,015 ~ 0,024 ω · cm | 0,015 ~ 0,028 ω · cm | ||
| 4h-si | ≥1E10 ω · cm | ≥1E5 ω · cm | |||
| Primär flaach Orientéierung | {10-10} ± 5.0 ° | ||||
| Primär flaach Längt | 4h-n | N / a | |||
| 4h-si | Nett | ||||
| Rand Ausgrenzung | 3. MM | ||||
| LTV / TTV / Bogen / Warp | ≤5μm / ≤15μm / ≤35 um / ≤55 μm | ≤5μm / ≤15μm / ≤35 □ μM / μ55 □ μM | |||
| Rauhness | Polnesch ragu1 nm | ||||
| CMP rawwo.2.. NM | Raww.5 nm | ||||
| Randkrunnen duerch héich Intensitéit Liicht Hex Platen duerch héich Intensitéit Liicht Polyype Beräicher duerch héich Intensitéit Liicht Visuell Kuelestoff Inklusiounen Silicon Uewerfläch Kratzer duerch héich Intensitéit Liicht | Keen Cumulativ Regioun ≤005% Keen Cumulativ Regioun ≤005% Keen | Cumulativer Längt ≤ 20 mm, eenzel Längt duerno duerno duerno Cumulativ Regioun ≤0,1% Kumulativen Beräich duerno duerno Kumulativ Gebitt ≤3% Kumulativen Längt duerno duerno Wadferniveau | |||
| Rand Chips duerch héich Intensitéit Liicht | Keng erlaabt ≥0.2mm Breet an Déift | 7 erlaabt, ≤1 mm all | |||
| (Tsd) threading Schrack Dislokatioun | ≤500 cm-2 | N / a | |||
| (BPD) Base Fliger Dislokatioun | ≤1000 cm-2 | N / a | |||
| Silicon Uewerfläch Kontaminatioun duerch héich Intensitéit Liicht | Keen | ||||
| Verpackungen | Multi-Waker Kassett oder eenzeg WAFFE Container | ||||
| Notizen: | |||||
| 1 Mängel Limiten gëllen op ganz Widderfläch ausser fir de Rand Ausgrenzungsberäich. 2 D'Kracker solle just op siface just gepréift ginn. 3 D'Dislokatiounsdaten ass nëmme vu koh etched Wafers. | |||||
XKH wäert weider an d'Entwécklung investéieren fir de Breakshough vun 12-Zoll Silicon Carbid Substrëlacéieren an engem Cutists ze exploréieren, wärend XKRONs wéi XKRONS iwwersiichtlech. Wärend d'Cutverscese wéi d'Cutions iwwersieden Fir Käschten ze reduzéieren an erhéijen, xkh brénge Wuelstand fir d'Hallefinterustrie.
Detailléiert Diagramm
