12 Zoll SiC-Substrat N-Typ Grouss Gréisst Héichleistungs-RF-Applikatiounen

Kuerz Beschreiwung:

Den 12-Zoll SiC-Substrat stellt eng bahnbrechend Entwécklung an der Hallefleitmaterialtechnologie duer a bitt transformativ Virdeeler fir Leeschtungselektronik an Héichfrequenzapplikatiounen. Als dat gréisst kommerziell verfügbart Siliziumkarbid-Waferformat an der Industrie erméiglecht den 12-Zoll SiC-Substrat ongehéiert Skalenvirdeeler, während d'inherent Virdeeler vum Material vu breede Bandlückecharakteristiken an aussergewéinleche thermesche Eegeschafte behalen ginn. Am Verglach mat konventionelle 6-Zoll oder méi klenge SiC-Waferen liwwert déi 12-Zoll-Plattform iwwer 300% méi brauchbar Fläch pro Wafer, wat d'Ausbezuelung vun de Brieder dramatesch erhéicht an d'Produktiounskäschte fir Stroumversuergungsapparater reduzéiert. Dës Gréissteniwwergank spigelt déi historesch Evolutioun vu Siliziumwaferen erëm, wou all Duerchmiessererhéijung bedeitend Käschtereduktiounen a Leeschtungsverbesserunge mat sech bruecht huet. Déi iwwerleeën thermesch Leetfäegkeet vum 12-Zoll SiC-Substrat (bal 3x déi vu Silizium) an déi héich kritesch Duerchbrochfeldstäerkt maachen en besonnesch wäertvoll fir 800V Elektroautosystemer vun der nächster Generatioun, wou et méi kompakt an effizient Stroummoduler erméiglecht. An der 5G-Infrastruktur erlaabt déi héich Elektronensättigungsgeschwindegkeet vum Material RF-Apparater bei méi héije Frequenzen mat méi niddrege Verloschter ze funktionéieren. D'Kompatibilitéit vum Substrat mat modifizéierte Siliziumproduktiounsausrüstung erméiglecht och eng méi reibungslos Adoptioun duerch existent Fabriken, obwuel eng speziell Handhabung wéinst der extremer Häert vum SiC (9,5 Mohs) erfuerderlech ass. Mat den eropgoende Produktiounsvolumen gëtt erwaart, datt den 12-Zoll SiC-Substrat den Industriestandard fir Héichleistungsapplikatioune gëtt, wat Innovatioun an der Automobilindustrie, erneierbarer Energie an industrieller Energiekonversiounssystemer fördert.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Technesch Parameteren

Spezifikatioun vum 12 Zoll Siliziumkarbid (SiC) Substrat
Grad		ZeroMPD Produktioun Grad (Z Grad)	Standardproduktioun Grad (P Grad)		Dummy-Klass (Klass D)
Duerchmiesser		300 mm~1305 mm
Déckt	4H-N	750μm ± 15 μm	750μm±25μm
	4H-SI	750μm ± 15 μm	750μm±25μm
Wafer Orientéierung		Off-Achs: 4,0° Richtung <1120 >±0,5° fir 4H-N, Op-Achs: <0001>±0,5° fir 4H-SI
Mikropäifdicht	4H-N	≤0,4 cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Widderstandsfäegkeet	4H-N	0,015~0,024 Ω·cm			0,015~0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Primär flaach Orientéierung		{10-10} ±5,0°
Primär flaach Längt	4H-N	N/A
	4H-SI	Kerb
Randausgrenzung		3 mm
LTV/TTV/Béi/Verzerrung		≤5μm/≤15μm/≤35μm/≤55μm			≤5μm/≤15μm/≤35□ μm/≤55□ μm
Rauheet		Polnesch Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,2 nm			Ra≤0,5 nm
Kantrëss duerch héichintensivt Liicht Sechseckplacken duerch héichintensivt Liicht Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht Visuell Kuelestoffinklusiounen Siliziumoberfläche kraazt duerch héichintensivt Liicht		Keen Kumulativ Fläch ≤0,05% Keen Kumulativ Fläch ≤0,05% Keen			Kumulativ Längt ≤ 20 mm, eenzel Längt ≤2 mm Kumulativ Fläch ≤0,1% Kumulativ Fläch ≤3% Kumulativ Fläch ≤3% Kumulativ Längt ≤1 × Waferduerchmiesser
Kantchips duerch héichintensivt Liicht		Keen erlaabt ≥0,2 mm Breet an Déift			7 erlaabt, ≤1 mm all
(TSD) Verrécklung vun der Gewindeschraube		≤500 cm-2		N/A
(BPD) Basisplanverrécklung		≤1000 cm⁻²		N/A
Kontaminatioun vun der Siliziumoberfläche duerch héichintensivt Liicht		Keen
Verpackung		Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter
Notizen:
1 D'Defektlimitte gëllen fir déi ganz Waferuewerfläch ausser fir de Randausschlussberäich. 2D'Kratzer sollten nëmmen op der Si-Gesiicht iwwerpréift ginn. 3 D'Dislokatiounsdaten stamen nëmme vu KOH-geätzten Waferen.

Schlësselmerkmale

1. Virdeel vun der grousser Gréisst: Den 12-Zoll SiC-Substrat (12-Zoll Siliziumcarbid-Substrat) bitt eng méi grouss Fläch vun enger eenzeger Wafer, wouduerch méi Chips pro Wafer produzéiert kënne ginn, wouduerch d'Produktiounskäschte reduzéiert an den Ertrag erhéicht gëtt.
2. Héichleistungsmaterial: Déi héich Temperaturbeständegkeet an déi héich Duerchbrochfeldstäerkt vu Siliziumkarbid maachen den 12-Zoll-Substrat ideal fir Héichspannungs- an Héichfrequenzapplikatiounen, wéi z. B. EV-Inverter a Schnellladesystemer.
3. Veraarbechtungskompatibilitéit: Trotz der héijer Häert an den Veraarbechtungsproblemer vum SiC erreecht den 12-Zoll SiC-Substrat manner Uewerflächendefekter duerch optiméiert Schnëtt- a Poliertechniken, wat d'Ertragsausbezuelung vum Apparat verbessert.
4. Iwwerleeën Wärmemanagement: Mat enger besserer Wärmeleitfäegkeet wéi Siliziumbaséiert Materialien, adresséiert den 12-Zoll-Substrat effektiv d'Wärmeverloscht an Héichleistungsgeräter a verlängert d'Liewensdauer vun den Ausrüstungen.

Haaptapplikatiounen

1. Elektroautoen: Den 12-Zoll SiC-Substrat (12-Zoll Siliziumcarbid-Substrat) ass e Kärkomponent vun elektreschen Undriffssystemer vun der nächster Generatioun, wat héicheffizient Inverter erméiglecht, déi d'Reechwäit erhéijen an d'Ladezäit reduzéieren.

2. 5G Basisstatiounen: Grouss SiC-Substrater ënnerstëtzen héichfrequent RF-Geräter a erfëllen domat d'Ufuerderunge vu 5G Basisstatiounen u grousser Leeschtung a gerénger Verloschter.

3. Industriell Stroumversuergung: A Solarinverter a Smart Grids kann den 12-Zoll-Substrat méi héije Spannungen aushalen, während den Energieverloscht miniméiert gëtt.

4. Konsumentelektronik: Zukünfteg Schnellladegeräter a Stroumversuergunge fir Datenzentre kéinten 12-Zoll SiC-Substrater benotzen, fir eng kompakt Gréisst an eng méi héich Effizienz z'erreechen.

D'Servicer vun XKH

Mir spezialiséieren eis op personaliséiert Veraarbechtungsservicer fir 12-Zoll SiC-Substrater (12-Zoll Siliziumkarbid-Substrater), dorënner:
1. Wierfelen & Poléieren: Substratveraarbechtung mat gerénger Schuedqualitéit a héijer Flaachheet, déi op d'Ufuerderunge vum Client zougeschnidden ass, fir eng stabil Leeschtung vum Apparat ze garantéieren.
2. Ënnerstëtzung fir epitaktesch Wuesstem: Héichqualitativ epitaktesch Wafer-Servicer fir d'Chipproduktioun ze beschleunegen.
3. Prototyping a klenge Chargen: Ënnerstëtzt d'Validatioun vun der Fuerschungs- an Entwécklungsinstituter an Entreprisen, verkierzt d'Entwécklungszyklen.
4. Technesch Berodung: Komplett Léisunge vun der Materialauswiel bis zur Prozessoptimiséierung, déi de Clienten hëllefen, d'Erausfuerderunge vun der SiC-Veraarbechtung ze bewältegen.
Egal ob et ëm Masseproduktioun oder spezialiséiert Personnalisatioun geet, eis 12-Zoll SiC-Substratservicer passen sech un Är Projetbedürfnisser un a stäerken technologesch Fortschrëtter.