12 Zoll SiC-Substrat Duerchmiesser 300 mm Déckt 750 μm 4H-N Typ kann personaliséiert ginn

Kuerz Beschreiwung:

Op engem kritesche Punkt am Iwwergank vun der Hallefleederindustrie zu méi effizienten a kompakten Léisungen huet d'Entstoe vum 12-Zoll SiC-Substrat (12-Zoll Siliziumcarbid-Substrat) d'Landschaft fundamental transforméiert. Am Verglach mat traditionelle 6-Zoll- an 8-Zoll-Spezifikatioune erhéicht de Virdeel vun der grousser Gréisst vum 12-Zoll-Substrat d'Zuel vun de Chips, déi pro Wafer produzéiert ginn, ëm méi wéi véierfacht. Zousätzlech ginn d'Eenheetskäschte vun engem 12-Zoll SiC-Substrat ëm 35-40% am Verglach mat konventionelle 8-Zoll-Substrater reduzéiert, wat entscheedend ass fir déi verbreet Adoptioun vun Endprodukter.
Duerch d'Benotzung vun eiser proprietärer Dampftransport-Wuesstumstechnologie hu mir eng féierend Kontroll iwwer d'Dislokatiounsdicht an 12-Zoll-Kristaller erreecht, wat eng aussergewéinlech Materialbasis fir déi spéider Produktioun vun Apparater bitt. Dëse Fortschrëtt ass besonnesch bedeitend wéinst dem aktuelle weltwäite Chipmangel.

Schlëssel Stroumversuergungsapparater an alldeeglechen Uwendungen - wéi Schnellladestatiounen fir EVs a 5G-Basisstatiounen - benotzen dëst grousst Substrat ëmmer méi. Besonnesch an héijen Temperaturen, Héichspannungen an aner haarde Betribsëmfeld weist en 12-Zoll-SiC-Substrat eng vill besser Stabilitéit am Verglach mat Materialien op Siliziumbasis.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Technesch Parameteren

Spezifikatioun vum 12 Zoll Siliziumkarbid (SiC) Substrat
Grad		ZeroMPD Produktioun Grad (Z Grad)	Standardproduktioun Grad (P Grad)		Dummy-Klass (Klass D)
Duerchmiesser		300 mm~1305 mm
Déckt	4H-N	750μm ± 15 μm	750μm±25μm
	4H-SI	750μm ± 15 μm	750μm±25μm
Wafer Orientéierung		Off-Achs: 4,0° Richtung <1120 >±0,5° fir 4H-N, Op-Achs: <0001>±0,5° fir 4H-SI
Mikropäifdicht	4H-N	≤0,4 cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Widderstandsfäegkeet	4H-N	0,015~0,024 Ω·cm			0,015~0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Primär flaach Orientéierung		{10-10} ±5,0°
Primär flaach Längt	4H-N	N/A
	4H-SI	Kerb
Randausgrenzung		3 mm
LTV/TTV/Béi/Verzerrung		≤5μm/≤15μm/≤35μm/≤55μm			≤5μm/≤15μm/≤35□ μm/≤55□ μm
Rauheet		Polnesch Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,2 nm			Ra≤0,5 nm
Kantrëss duerch héichintensivt Liicht Sechseckplacken duerch héichintensivt Liicht Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht Visuell Kuelestoffinklusiounen Siliziumoberfläche kraazt duerch héichintensivt Liicht		Keen Kumulativ Fläch ≤0,05% Keen Kumulativ Fläch ≤0,05% Keen			Kumulativ Längt ≤ 20 mm, eenzel Längt ≤2 mm Kumulativ Fläch ≤0,1% Kumulativ Fläch ≤3% Kumulativ Fläch ≤3% Kumulativ Längt ≤1 × Waferduerchmiesser
Kantchips duerch héichintensivt Liicht		Keen erlaabt ≥0,2 mm Breet an Déift			7 erlaabt, ≤1 mm all
(TSD) Verrécklung vun der Gewindeschraube		≤500 cm-2		N/A
(BPD) Basisplanverrécklung		≤1000 cm⁻²		N/A
Kontaminatioun vun der Siliziumoberfläche duerch héichintensivt Liicht		Keen
Verpackung		Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter
Notizen:
1 D'Defektlimitte gëllen fir déi ganz Waferuewerfläch ausser fir de Randausschlussberäich. 2D'Kratzer sollten nëmmen op der Si-Gesiicht iwwerpréift ginn. 3 D'Dislokatiounsdaten stamen nëmme vu KOH-geätzten Waferen.

Schlësselmerkmale

1. Produktiounskapazitéit a Käschtevirdeeler: D'Masseproduktioun vun 12-Zoll SiC-Substrater (12-Zoll Siliziumkarbid-Substrater) markéiert eng nei Ära an der Hallefleederproduktioun. D'Zuel vun de Chips, déi aus engem eenzege Wafer kritt kënne ginn, erreecht dat 2,25-mol sou vill wéi vun 8-Zoll-Substrater, wat direkt zu engem Sprong an der Produktiounseffizienz féiert. Clientsfeedback weist datt d'Aféierung vun 12-Zoll-Substrater hir Produktiounskäschte fir Powermoduler ëm 28% reduzéiert huet, wat e wichtege Konkurrenzvirdeel am haart ëmstriddene Maart geschaf huet.
2. Aussergewéinlech physikalesch Eegeschaften: Den 12-Zoll SiC-Substrat ierft all Virdeeler vum Siliziumkarbidmaterial - seng Wärmeleitfäegkeet ass dräimol sou héich wéi déi vu Silizium, während seng Duerchbrochfeldstäerkt zéngmol sou héich ass wéi déi vu Silizium. Dës Charakteristiken erméiglechen et Apparater, déi op 12-Zoll-Substrater baséieren, stabil an Héichtemperaturëmfeld vun iwwer 200°C ze funktionéieren, wat se besonnesch gëeegent mécht fir usprochsvoll Uwendungen, wéi z. B. Elektroautoen.
3. Technologie fir d'Uewerflächenbehandlung: Mir hunn e neie chemesch-mechanesche Polierprozess (CMP) speziell fir 12-Zoll SiC-Substrater entwéckelt, deen eng Uewerflächenflaachheet op atomarer Ebene (Ra<0,15nm) erreecht. Dësen Duerchbroch léist déi weltwäit Erausfuerderung vun der Uewerflächenbehandlung vu Siliziumcarbid-Wafer mat groussen Duerchmiesser a behënnert d'Hindernisser fir e qualitativ héichwäertegt epitaktesch Wuesstum.
4. Leeschtung vun der Thermescher Gestioun: A prakteschen Uwendungen weisen 12-Zoll SiC-Substrater bemierkenswäert Wärmeofleedungsfäegkeeten. Testdaten weisen datt ënner der selwechter Leeschtungsdicht Apparater, déi 12-Zoll-Substrater benotzen, bei Temperaturen funktionéieren, déi 40-50°C méi niddreg sinn wéi Apparater op Siliziumbasis, wat d'Liewensdauer vun der Ausrüstung däitlech verlängert.

Haaptapplikatiounen

1. Neit Energiefahrzeugökosystem: Den 12-Zoll SiC-Substrat (12-Zoll Siliziumkarbid-Substrat) revolutionéiert d'Architektur vun den Undriffssystemer fir Elektroautoen. Vun Onboard-Ladegeräter (OBC) bis hin zu Haaptundriffswandler a Batteriemanagementsystemer erhéijen d'Effizienzverbesserungen, déi duerch 12-Zoll-Substrater mat sech bruecht ginn, d'Reechwäit vum Gefier ëm 5-8%. Rapporte vun engem féierende Autoshersteller weisen datt d'Benotzung vun eise 12-Zoll-Substrater den Energieverloscht a sengem Schnellladesystem ëm beandrockend 62% reduzéiert huet.
2. Secteur vun den erneierbaren Energien: A Photovoltaikkraaftwierker hunn Inverter op Basis vun 12-Zoll SiC-Substrater net nëmme méi kleng Formfaktoren, mä erreechen och eng Konversiounseffizienz vu méi wéi 99%. Besonnesch a Szenarie vun der dezentraler Generatioun féiert dës héich Effizienz zu jäerleche Spuermoossname vun Honnertdausende vu Yuan u Stroumverloschter fir d'Betreiber.
3. Industriell Automatiséierung: Frequenzwandler, déi 12-Zoll-Substrater benotzen, weisen exzellent Leeschtung an Industrieroboter, CNC-Maschinnen an aner Ausrüstung. Hir Héichfrequenz-Schaltcharakteristiken verbesseren d'Motorantwortgeschwindegkeet ëm 30% a reduzéieren gläichzäiteg d'elektromagnetesch Stéierungen op en Drëttel vun konventionelle Léisungen.
4. Innovatioun an der Konsumentelektronik: Schnellladetechnologien vun der nächster Generatioun fir Smartphones benotzen 12-Zoll SiC-Substrater. Et gëtt erwaart, datt Schnellladeprodukter iwwer 65W voll op Siliziumcarbidléisunge wiesselen, woubäi 12-Zoll-Substrater sech als déi optimal Käschte-Leeschtungs-Wiel erausstellen.

XKH personaliséiert Servicer fir 12-Zoll SiC Substrat

Fir spezifesch Ufuerderunge fir 12-Zoll SiC-Substrater (12-Zoll Siliziumkarbid-Substrater) ze erfëllen, bitt XKH ëmfangräiche Serviceënnerstëtzung:
1. Déckt Personnalisatioun:
Mir bidden 12-Zoll-Substrater a verschiddenen Décktspezifikatiounen, dorënner 725μm, fir verschidden Uwendungsbedürfnisser gerecht ze ginn.
2. Dopingkonzentratioun:
Eis Produktioun ënnerstëtzt verschidden Zorte vu Konduktivitéit, dorënner n-Typ- a p-Typ-Substrater, mat enger präziser Widderstandskontroll am Beräich vun 0,01-0,02Ω·cm.
3. Testdéngschter:
Mat komplette Wafer-Niveau-Testausrüstung liwwere mir komplett Inspektiounsberichter.
XKH versteet, datt all Client eenzegaarteg Ufuerderunge fir 12-Zoll SiC-Substrater huet. Mir bidden dofir flexibel Geschäftsmodeller fir Kooperatioun un, fir déi kompetitivst Léisungen ze bidden, egal ob fir:
· Fuerschungs- a Entwécklungsbeispiller
· Akeef a Volumenproduktioun
Eis personaliséiert Servicer suergen dofir, datt mir Är spezifesch technesch a Produktiounsbedürfnisser fir 12-Zoll SiC-Substrater erfëllen kënnen.