English

12-Zoll 4H-SiC-Wafer fir AR-Brëller

12-Zoll 4H-SiC-Wafer fir AR-Brëller (Ausgewielt Bild)
  • 12-Zoll 4H-SiC-Wafer fir AR-Brëller
  • 12-Zoll 4H-SiC-Wafer fir AR-Brëller
  • 12-Zoll 4H-SiC-Wafer fir AR-Brëller
  • 12-Zoll 4H-SiC-Wafer fir AR-Brëller
  • 12-Zoll 4H-SiC-Wafer fir AR-Brëller

Kuerz Beschreiwung:

Den12-Zoll leetfäeg 4H-SiC (Siliziumkarbid)-Substratass eng Hallefleiterwafer mat ultragroussen Duerchmiesser a breeder Bandlück, déi fir déi nächst Generatioun entwéckelt goufHéichspannung, Héichleistung, Héichfrequenz an HéichtemperaturProduktioun vun der Leeschtungselektronik. D'intrinsesch Virdeeler vu SiC notzen – wéi z.B.héich kritescht elektrescht Feld, héich Driftgeschwindegkeet vun de gesättigte Elektronen, héich thermesch Konduktivitéit, anexzellent chemesch Stabilitéit—dëst Substrat gëllt als Grondmaterial fir fortgeschratt Energieversuergungsplattforme a fir nei grouss Wafer-Applikatioune.


Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

12-Zoll 4H-SiC-Wafer
12-Zoll 4H-SiC-Wafer

Iwwersiicht

Den12-Zoll leetfäeg 4H-SiC (Siliziumkarbid)-Substratass eng Hallefleiterwafer mat ultragroussen Duerchmiesser a breeder Bandlück, déi fir déi nächst Generatioun entwéckelt goufHéichspannung, Héichleistung, Héichfrequenz an HéichtemperaturProduktioun vun der Leeschtungselektronik. D'intrinsesch Virdeeler vu SiC notzen – wéi z.B.héich kritescht elektrescht Feld, héich Driftgeschwindegkeet vun de gesättigte Elektronen, héich thermesch Konduktivitéit, anexzellent chemesch Stabilitéit—dëst Substrat gëllt als Grondmaterial fir fortgeschratt Energieversuergungsplattforme a fir nei grouss Wafer-Applikatioune.

Fir d'branchenwäit Ufuerderungen ze erfëllen,Käschtereduktioun a Produktivitéitsverbesserung, den Iwwergank vum Mainstream6–8 Zoll SiC to 12-Zoll SiCSubstrate ginn allgemeng als e Schlësselwee unerkannt. E 12-Zoll-Wafer bitt eng wesentlech méi grouss Notzungsfläch wéi méi kleng Formater, wat eng méi héich Chip-Ausgab pro Wafer, eng verbessert Waferauslastung an e reduzéierte Kantenverloscht-Proportioun erméiglecht - doduerch gëtt d'Gesamtoptimiséierung vun de Produktiounskäschten an der ganzer Versuergungskette ënnerstëtzt.

Kristallwuesstum a Waferfabrikatiounsroute

 

Dëst 12-Zoll leetfäeg 4H-SiC-Substrat gëtt duerch eng komplett Prozesskette produzéiert, déi ...Saamexpansioun, Eenzelkristallwuesstum, Waferen, Verdënnung a Polieren, no Standardpraktike fir d'Herstellung vu Hallefleeder:

 

  • Saatverbreedung duerch physikaleschen Damptransport (PVT):
    En 12-Zoll4H-SiC Somkristallgëtt iwwer Duerchmiesserexpansioun mat der PVT-Method kritt, wat et erméiglecht, e spéidert Wuesstum vun 12-Zoll leitfäege 4H-SiC-Boules.

  • Wuesstem vun engem leitfäege 4H-SiC-Eenzelkristall:
    Konduktivn⁺ 4H-SiCEenzelkristallwuesstum gëtt erreecht andeems Stéckstoff an d'Wuesstumsumgebung agefouert gëtt, fir eng kontrolléiert Donordopéierung ze garantéieren.

  • Waferherstellung (Standard Hallefleederveraarbechtung):
    Nom Boule-Formen ginn d'Waffele produzéiert iwwerLaserschneiden, gefollegt vunVerdënnen, Polieren (inklusiv CMP-Niveau-Veraarbechtung) a Reinigen.
    Déi resultéierend Substratdicke ass560 μm.

 

Dësen integréierten Usaz ass entwéckelt fir e stabilt Wuesstum bei ultra-groussen Duerchmiesser z'ënnerstëtzen, wärend d'kristallografesch Integritéit an d'konsequent elektresch Eegeschafte behalen ginn.

 

sic Wafer 9

 

Fir eng ëmfaassend Qualitéitsbeurteilung ze garantéieren, gëtt de Substrat mat enger Kombinatioun vu strukturellen, opteschen, elektreschen an Defektinspektiounsinstrumenter charakteriséiert:

 

  • Raman-Spektroskopie (Flächenkartéierung):Verifizéierung vun der Polytyp-Uniformitéit iwwer de Wafer

  • Vollautomatesch optesch Mikroskopie (Wafer-Mapping):Detektioun a statistesch Evaluatioun vu Mikropipen

  • Net-kontaktéiert Widderstandsmetrologie (Wafer-Mapping):Widderstandsverdeelung iwwer verschidde Miessplazen

  • Héichopléisend Röntgendiffraktioun (HRXRD):Bewäertung vun der kristalliner Qualitéit iwwer Miessunge vun der Schwéngkurve

  • Dislokatiounsinspektioun (no selektiver Ätzung):Evaluatioun vun der Dislokatiounsdicht a Morphologie (mat Schwéierpunkt op Schraufdislokatiounen)

 

sic Wafer 10

Schlësselleistungsresultater (Representativ)

D'Charakteriséierungsresultater weisen datt dat 12-Zoll-leitend 4H-SiC-Substrat eng staark Materialqualitéit iwwer kritesch Parameteren weist:

(1) Polytyp-Reinheet an -uniformitéit

  • D'Kaartéierung vum Raman-Gebitt weist100% 4H-SiC Polytyp Ofdeckungiwwer de Substrat.

  • Keng Inklusioun vun anere Polytypen (z.B. 6H oder 15R) gouf festgestallt, wat op eng exzellent Polytypkontroll an engem Moossstaf vun 12 Zoll hiweist.

(2) Mikropäifdicht (MPD)

  • Mikroskopie-Mapping op Wafer-Skala weist op engMikropäifdicht < 0,01 cm⁻², wat eng effektiv Ënnerdréckung vun dëser apparaatlimitéierender Defektkategorie reflektéiert.

(3) Elektresch Widderstandsfäegkeet an Uniformitéit

  • D'kontaktlos Widderstandskartéierung (361-Punkte-Miessung) weist:

    • Widderstandsberäich:20,5–23,6 mΩ·cm

    • Duerchschnëttleche Widderstand:22,8 mΩ·cm

    • Net-Uniformitéit:< 2%
      Dës Resultater weisen op eng gutt Konsistenz vun der Inkorporatioun vum Dopant an eng gënschteg elektresch Uniformitéit op Waferskala hin.

(4) Kristallin Qualitéit (HRXRD)

  • HRXRD-Schaukelkurve-Miessunge op der(004) Reflexioun, opgeholl umfënnef Punktenlaanscht d'Richtung vun engem Waferduerchmiesser, weisen:

    • Eenzel, bal symmetresch Peaks ouni Verhalen vu verschiddene Peaks, wat op d'Feele vu Kärengrenzmerkmale bei nidderegen Wénkel hiweist.

    • Duerchschnëttlech FWHM:20,8 Bogensekonnen (″), wat op eng héich kristallin Qualitéit hiweist.

(5) Schraubenverrécklungsdicht (TSD)

  • Nom selektiven Ätzen an automatiséiertem Scannen,Dicht vun der Schraufverrécklunggëtt gemooss bei2 cm⁻², wat eng niddreg TSD op enger Skala vun 12 Zoll demonstréiert.

Conclusioun aus den uewe genannten Resultater:
De Substrat weistexzellent 4H Polytyp-Reinheet, ultra-niddreg Mikropäifdicht, stabile an eenheetleche niddrege Widderstand, staark kristallin Qualitéit a geréng Schraufverrécklungsdicht, wat seng Gëeegentheet fir d'Produktioun vun fortgeschrattenen Apparater ënnerstëtzt.

Produktwäert a Virdeeler

  • Erméiglecht d'Migratioun vun der 12-Zoll SiC-Produktioun
    Bitt eng héichqualitativ Substratplattform, déi op de Plang vun der Industrie fir d'Produktioun vun 12-Zoll SiC-Wafer ausgeriicht ass.

  • Niddreg Defektdichte fir verbessert Ausbezuelung a Zouverlässegkeet vum Apparat
    Ultra-niddreg Mikrorohrdicht an eng niddreg Schraufverrécklungsdicht hëllefen, katastrophal a parametresch Ausbeutungsverloschtmechanismen ze reduzéieren.

  • Excellent elektresch Uniformitéit fir Prozessstabilitéit
    Eng dicht Widderstandsverdeelung ënnerstëtzt eng verbessert Konsistenz tëscht Waferen an am Apparat bannent de Waferen.

  • Héich kristallin Qualitéit ënnerstëtzt Epitaxie an Apparatveraarbechtung
    HRXRD-Resultater an d'Feele vu Kärengrenzsignaturen a niddregem Wénkel weisen op eng gënschteg Materialqualitéit fir epitaktesch Wuesstem an d'Fabrikatioun vum Apparat hin.

 

Zil-Applikatiounen

Dat 12-Zoll leitfäeg 4H-SiC-Substrat ass uwendbar fir:

  • SiC-Energieversuergungsapparater:MOSFETs, Schottky-Barrièredioden (SBD) a verwandte Strukturen

  • Elektresch Gefierer:Haapttraktiounsinverter, Onboard-Ladegeräter (OBC) an DC-DC-Konverter

  • Erneierbar Energie & Netz:Photovoltaik-Inverter, Energiespeichersystemer a Smart Grid-Moduler

  • Industriell Leeschtungselektronik:Héichleistungs-Stroumversuergungen, Motorundriff an Héichspannungswandler

  • Nei Ufuerderunge fir groussflächeg Waferen:fortgeschratt Verpackung an aner 12-Zoll-kompatibel Halbleiterproduktiounsszenarien

 

FAQ – 12-Zoll leetfäeg 4H-SiC-Substrat

Q1. Wat fir eng Zort SiC-Substrat ass dëst Produkt?

A:
Dëst Produkt ass e12-Zoll leetfäeg (n⁺-Typ) 4H-SiC Eenkristallsubstrat, mat der Physical Vapor Transport (PVT) Method ugebaut a mat Standard-Hallefleiter-Wafering-Techniken veraarbecht.

Q2. Firwat gouf 4H-SiC als Polytyp gewielt?

A:
4H-SiC bitt déi gënschtegst Kombinatioun vunhéich Elektronemobilitéit, grouss Bandlück, héicht Duerchbrochfeld a Wärmeleitfäegkeetënner kommerziell relevante SiC-Polytypen. Et ass de dominante Polytyp, deen dofir benotzt gëttHéichspannungs- a Leeschtungs-SiC-Komponenten, wéi MOSFETs a Schottky-Dioden.

Q3. Wat sinn d'Virdeeler vum Wiessel vun 8-Zoll op 12-Zoll SiC-Substrater?

A:
Eng 12-Zoll SiC-Wafer bitt:

  • Bedeitendméi grouss brauchbar Uewerfläch

  • Méi héich Chip-Ausgab pro Wafer

  • Méi niddreg Kantenverloschtverhältnis

  • Verbessert Kompatibilitéit matfortgeschratt 12-Zoll Hallefleederproduktiounslinnen

Dës Faktoren droen direkt dozou bäi,méi niddreg Käschte pro Apparatan eng méi héich Produktiounseffizienz.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.

d281cc2b-ce7c-4877-ac57-1ed41e119918
  • Virdrun:
  • Weider:

    • Verwandte Produkter

    Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis
    Dréckt Enter fir ze sichen oder ESC fir zouzemaachen