Am Verglach mat Siliziumkarbidgeräter wäerte Galliumnitrid Kraaftapparater méi Virdeeler an Szenarie hunn, wou Effizienz, Frequenz, Volumen an aner ëmfaassend Aspekter zur selwechter Zäit erfuerderlech sinn, sou wéi Galliumnitrid-baséiert Geräter erfollegräich am Feld vum Schnellladung ugewannt goufen. eng grouss Skala.Mam Ausbroch vun neien Downstream Uwendungen, an de kontinuéierlechen Duerchbroch vun der Galliumnitrid Substrat Virbereedung Technologie, GaN Apparater ginn erwaart weider am Volume eropzesetzen, a wäert eng vun de Schlësseltechnologien fir Käschtenreduktioun an Effizienz ginn, nohalteg gréng Entwécklung.
Am Moment, ass déi drëtt Generatioun vun semiconductor Material e wichtege Bestanddeel vun strategesch opkomende Industrien ginn, an ass och de strategesche Kommandant Punkt ginn déi nächst Generatioun vun Informatiounen Technologie, Energie Conservatioun an Emissioun Reduktioun an national Verteidegung Sécherheet Technologie ze gräifen.Ënnert hinnen ass Galliumnitrid (GaN) ee vun de representativsten Drëtt-Generatioun Hallefleitmaterialien als breet Bandgap Hallefleitmaterial mat engem Bandgap vun 3.4eV.
Den 3. Juli huet China den Export vu Gallium a Germanium verbonnen Elementer verschäerft, wat eng wichteg politesch Upassung baséiert op dem wichtegen Attribut vu Gallium, e rare Metal, als "nei Getreid vun der Hallefleitindustrie", a seng breet Uwendungsvirdeeler an semiconductor Materialien, nei Energie an aner Felder.Am Hibléck vun dëser Politik änneren, wäert dëse Pabeier diskutéieren an analyséieren Gallium Nitrid aus den Aspekter vun Virbereedung Technologie an Erausfuerderungen, nei Wuesstem Punkten an Zukunft, a Konkurrenz Muster.
Eng kuerz Aféierung:
Galliumnitrid ass eng Aart vu syntheteschen Halbleitermaterial, wat e typesche Vertrieder vun der drëtter Generatioun vu Hallefleitmaterialien ass.Am Verglach mat traditionelle Siliziummaterialien huet Galliumnitrid (GaN) d'Virdeeler vu grousse Bandspalt, staarken Decompte elektrescht Feld, geréng On-Resistenz, héich Elektronemobilitéit, héich Konversiounseffizienz, héich thermesch Konduktivitéit a geréng Verloscht.
Galliumnitrid Eenkristall ass eng nei Generatioun vu Hallefleitmaterialien mat exzellenter Leeschtung, déi wäit an der Kommunikatioun, Radar, Konsumentelektronik, Automobilelektronik, Kraaftenergie, industriell Laserveraarbechtung, Instrumentatioun an aner Felder benotzt kënne ginn, sou datt seng Entwécklung a Masseproduktioun sinn. de Fokus vun der Opmierksamkeet vu Länner an Industrien ronderëm d'Welt.
Applikatioun vum GaN
1--5G Kommunikatioun Basisstatioun
Wireless Kommunikatiounsinfrastruktur ass den Haaptapplikatiounsberäich vu Galliumnitrid RF Geräter, déi 50% ausmaachen.
2 - Héich Energieversuergung
D'"duebel Héicht" Feature vu GaN huet e grousst Pénétratiounspotenzial an High-Performance Konsumentenelektronesch Geräter, déi d'Ufuerderunge vu schnelle Laden a Ladungsschutz Szenarien entspriechen.
3-- Neit Energie Gefier
Vun der praktescher Applikatioun Siicht sinn déi aktuell drëtt Generatioun Hallefleitgeräter am Auto haaptsächlech Siliziumkarbidgeräter, awer et gi gëeegent Galliumnitridmaterialien, déi d'Autoreguléierungs Zertifizéierung vu Kraaftapparat Moduler passéiere kënnen, oder aner gëeegent Verpackungsmethoden, wäerten nach ëmmer vun der ganzer Planz an OEM Hiersteller ugeholl ginn.
4 - Datenzenter
GaN Kraaft Halbleiter ginn haaptsächlech an PSU Energieversuergungsunitéiten an Datenzenteren benotzt.
Zesummegefaasst, mam Ausbroch vun neien Downstream Uwendungen a kontinuéierlechen Duerchbréch an der Galliumnitrid Substratpräparatiounstechnologie, ginn GaN Geräter erwaart weider am Volume eropzesetzen, a wäert eng vun de Schlësseltechnologien ginn fir Käschtereduktioun an Effizienz an nohalteg gréng Entwécklung.
Post Zäit: Jul-27-2023