Am Verglach mat Siliziumkarbid-Komponenten hunn Galliumnitrid-Energieversuergungskomponenten méi Virdeeler a Szenarien, wou Effizienz, Frequenz, Volumen an aner ëmfaassend Aspekter gläichzäiteg erfuerderlech sinn, sou wéi Galliumnitrid-baséiert Komponenten erfollegräich am Beräich vum Schnellladen a grousser Skala agesat goufen. Mat dem Ausbroch vun neien Downstream-Applikatiounen an dem kontinuéierleche Duerchbroch vun der Technologie fir d'Virbereedung vu Galliumnitrid-Substrater gëtt erwaart, datt d'GaN-Komponenten weider u Volumen eropgoen an zu enger vun de Schlësseltechnologien fir Käschtereduktioun an Effizienz, nohalteg gréng Entwécklung ginn.
Aktuell ass déi drëtt Generatioun vun Hallefleedermaterialien zu engem wichtegen Deel vun strategeschen opkomende Industrien ginn a gëtt och zu engem strategesche Kommandopunkt fir déi nächst Generatioun vun der Informatiounstechnologie, Energiespuer- a Reduktiounstechnologie an der nationaler Verteidegungssécherheetstechnologie ze gräifen. Dorënner ass Galliumnitrid (GaN) ee vun de representativsten Hallefleedermaterialien vun der drëtter Generatioun als Hallefleedermaterial mat enger Bandlück vun 3,4 eV.
Den 3. Juli huet China den Export vu Gallium a Germanium-verbonne Produkter verschäerft, wat eng wichteg Politikännerung ass, déi op der wichteger Eegeschaft vum Gallium, engem rare Metall, als "neie Kär vun der Hallefleederindustrie", a senge breet Uwendungsvirdeeler a Hallefleedermaterialien, neier Energie an anere Beräicher baséiert. Am Hibléck op dës Politikännerung wäert dëse Pabeier Galliumnitrid aus den Aspekter vun der Virbereedungstechnologie an Erausfuerderungen, neie Wuesstemspunkten an der Zukunft an dem Konkurrenzmuster diskutéieren an analyséieren.
Eng kuerz Aféierung:
Galliumnitrid ass eng Zort synthetescht Hallefleedermaterial, dat en typesche Vertrieder vun der drëtter Generatioun vun Hallefleedermaterialien ass. Am Verglach mat traditionelle Siliziummaterialien huet Galliumnitrid (GaN) d'Virdeeler vun enger grousser Bandlück, engem staarken Duerchbrochselektresche Feld, engem niddregen Onwidderstand, enger héijer Elektronemobilitéit, enger héijer Konversiounseffizienz, enger héijer Wärmeleitfäegkeet a wéinege Verloschter.
Galliumnitrid-Eenkristall ass eng nei Generatioun vu Hallefleitmaterialien mat exzellenter Leeschtung, déi wäit verbreet a Kommunikatioun, Radar, Konsumentelektronik, Automobilelektronik, Energieversuergung, industrieller Laserveraarbechtung, Instrumentéierung an aner Beräicher agesat kënne ginn, sou datt seng Entwécklung a Masseproduktioun de Fokus vun der Opmierksamkeet vu Länner an Industrien weltwäit sinn.
Uwendung vu GaN
1--5G Kommunikatiounsbasisstatioun
D'Infrastruktur vun der drahtloser Kommunikatioun ass den Haaptanwendungsberäich vun Galliumnitrid-HF-Apparater a mécht 50% aus.
2--Héich Stroumversuergung
D'"Duebelhéicht"-Funktioun vu GaN huet e grousst Penetratiounspotenzial an héichperformante Konsumentelektronikgeräter, déi d'Ufuerderunge vu Schnellladung a Ladeschutzszenarie erfëllen kënnen.
3 -- Neit Energiefahrzeug
Aus praktescher Siicht sinn déi aktuell Hallefleederkomponenten vun der drëtter Generatioun am Auto haaptsächlech Siliziumcarbid-Komponenten, awer et gëtt gëeegent Galliumnitridmaterialien, déi d'Zertifizéierung vun den Energiemoduler fir d'Autosreguléierung bestoen kënnen, oder aner gëeegent Verpackungsmethoden, déi nach ëmmer vun der ganzer Anlag an den OEM-Hiersteller akzeptéiert ginn.
4 - Datenzentrum
GaN-Energie-Halbleiter ginn haaptsächlech a Stroumversuergungseenheeten an Datenzentren benotzt.
Zesummegefaasst, mat dem Ausbroch vun neien Downstream-Applikatiounen an de kontinuéierlechen Duerchbréch an der Technologie fir d'Virbereedung vu Galliumnitrid-Substrater, gëtt erwaart, datt d'GaN-Apparater weider u Volumen eropgoe wäerten, an zu enger vun de Schlësseltechnologien fir Käschtereduktioun an Effizienz a fir nohalteg gréng Entwécklung ginn.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 27. Juli 2023