Am Moment kann eis Firma weiderhin eng kleng Partie vun 8inchN Typ SiC Wafere liwweren, wann Dir Probe Bedierfnesser hutt, fille mech gratis ze kontaktéieren.Mir hunn e puer Prouf wafers prett ze Schëff.
Am Beräich vun Hallefleitmaterialien huet d'Firma e groussen Duerchbroch an der Fuerschung an Entwécklung vu grousser Gréisst SiC Kristalle gemaach.Andeems Dir seng eege Somkristallen no multiple Ronnen vun der Duerchmiesservergréisserung benotzt, huet d'Firma erfollegräich 8-Zoll N-Typ SiC-Kristalle gewuess, déi schwiereg Probleemer wéi ongläiche Temperaturfeld, Kristallrëss a Gasphase Rohmaterialverdeelung am Wuesstumsprozess léisen. 8-Zoll SIC Kristalle, a beschleunegt de Wuesstum vu grousser Gréisst SIC Kristalle an déi autonom a kontrolléierbar Veraarbechtungstechnologie.D'Kär Kompetitivitéit vun der Firma an der SiC Single Crystal Substrat Industrie staark verbesseren.Zur selwechter Zäit fördert d'Firma aktiv d'Akkumulation vun Technologie a Prozess vu grousser Gréisst Siliziumkarbid Substratpräparatioun experimentell Linn, stäerkt den techneschen Austausch an industrieller Zesummenaarbecht an Upstream an Downstream Felder, a kooperéiert mat Clienten fir d'Produktleistung dauernd ze iteréieren, a gemeinsam fördert den Tempo vun der industrieller Uwendung vu Siliziumkarbidmaterialien.
| 8 Zoll N-Typ SiC DSP Spezifikatioune | |||||
| Zuel | Artikel | Eenheet | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| 1. Parameteren | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | Uewerfläch Orientatioun | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Elektresch Parameter | |||||
| 2.1 | dotéiert | -- | n-Typ Stickstoff | n-Typ Stickstoff | n-Typ Stickstoff |
| 2.2 | Resistivitéit | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Mechanesch Parameter | |||||
| 3.1 | Duerchmiesser | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | deck | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Notch Orientatioun | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Notch Déift | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Béi | μm | -25-25 | -45-45 | -65-65 |
| 3.8 | Warp | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Struktur | |||||
| 4.1 | micropipe Dicht | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | Metal Inhalt | Atomer/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Positiv Qualitéit | |||||
| 5.1 | virun | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | Uewerfläch fäerdeg | -- | Si-Gesiicht CMP | Si-Gesiicht CMP | Si-Gesiicht CMP |
| 5.3 | Partikel | ea / wafer | ≤100 (Gréisst ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | kraazt | ea / wafer | ≤5, Gesamtlängt≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Rand Chips / Intens / Rëss / Flecken / Kontaminatioun | -- | Keen | Keen | NA |
| 5.6 | Polytype Beräicher | -- | Keen | Beräich ≤10% | Beräich ≤30% |
| 5.7 | virun Marquage | -- | Keen | Keen | Keen |
| 6. Réck Qualitéit | |||||
| 6.1 | zréck fäerdeg | -- | C-Gesiicht MP | C-Gesiicht MP | C-Gesiicht MP |
| 6.2 | kraazt | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Réck Mängel Rand Chips / Intens | -- | Keen | Keen | NA |
| 6.4 | Réck roughness | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Réckmarkéierung | -- | Notch | Notch | Notch |
| 7. Rand | |||||
| 7.1 | rand | -- | Chamfer | Chamfer | Chamfer |
| 8. Package | |||||
| 8.1 | Verpakung | -- | Epi-prett mat Vakuum Verpakung | Epi-prett mat Vakuum Verpakung | Epi-prett mat Vakuum Verpakung |
| 8.2 | Verpakung | -- | Multi-wafer Kassettverpackung | Multi-wafer Kassettverpackung | Multi-wafer Kassettverpackung |
Post Zäit: Apr-18-2023